「イオン注入シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シリコン基板１中にボロンを含むイオンを注入する。例文帳に追加

Ions containing boron are implanted in a silicon substrate 1. - 特許庁

そのアモルファスシリコン膜１４に、リンイオンを注入する。例文帳に追加

Phosphorus ions are implanted into the amorphous silicon film 14. - 特許庁

その後、シリコン酸化膜を通してイオン注入を行う。例文帳に追加

Thereafter, ions are implanted into the silicon substrate through the silicon oxide film. - 特許庁

シリコン基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる。例文帳に追加

Ions are implanted in a surface portion of a silicon substrate to make it amorphous. - 特許庁

イオン注入後、シリコン酸化膜を残したままでアニールを行う。例文帳に追加

After implantation of ions, the silicon substrate is annealed with the silicon oxide film left on its surface. - 特許庁

（ｂ）次にイオン注入法で不純物原子をシリコン薄膜に注入する。例文帳に追加

(b) Impurity atoms are then doped into the silicon thin film by an ion implanting method. - 特許庁

アモルファスシリコン膜２１内に高濃度の水素イオン４０をイオン注入する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 21 is heavily doped with hydrogen ions 40. - 特許庁

水素イオン４０のイオン注入により、水素イオン注入層４１がアモルファスシリコン膜２１内に形成される。例文帳に追加

Consequently, the amorphous silicon film 21 is formed in a hydrogen ion implantation layer 41. - 特許庁

そして、不純物イオンを単結晶シリコン膜１５およびポリシリコン膜の上部にのみ注入した後に、ポリシリコン膜を除去する。例文帳に追加

The impurity ion is implanted only into both the upper part of the polysilicon film and the single crystal silicon film 15, and then the polysilicon film is removed. - 特許庁

注入工程は、単結晶シリコン層１３ａに不純物イオン１８を注入してシリコン層１３ａを活性化する工程である。例文帳に追加

In the injection process, an impurity ion 18 is injected to the single crystal silicon layer 13a for activating the silicon layer 13a. - 特許庁

そして不純物イオン６をシリコン窒化膜１６を介してシリコン基板１の主面にイオン注入する。例文帳に追加

Impurity ions 6 are implanted into the surface of the silicon substrate 1 through the intermediary of the silicon nitride film 16. - 特許庁

イオン１５は増速酸化作用のある元素のイオン種であるため、イオン１５の注入によって多結晶シリコン層３から、より酸化レートが高い性質のイオン注入多結晶シリコン層１６に変換される。例文帳に追加

Since the ions 15 are ion species of an element having enhanced oxidation action, the implantation of the ions 15 causes conversion from the polycrystalline silicon layer 3 to the ion-implanted polycrystalline silicon layer 16 having a higher oxidation rate. - 特許庁

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。例文帳に追加

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5. - 特許庁

多結晶シリコン層３に対しシリコン窒化膜２越しに上方からイオン１５を注入することにより、イオン注入多結晶シリコン層１６を得る。例文帳に追加

Ions 15 are implanted upwards onto a silicon nitride film 2 into a polycrystalline silicon layer 3 to obtain an ion-implanted polycrystalline silicon layer 16. - 特許庁

イオン注入用のマスクとしてポリシリコン層を用いる際、ポリシリコン層の厚さが薄かったりポリシリコン層の幅が狭い場合においても、所望のイオン注入を行うことができる、半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which enables desired ion injection even if a polysilicon layer is thin or narrow when the polysilicon layer is used as a mask for ion injection. - 特許庁

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。例文帳に追加

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3. - 特許庁

シリコン酸化膜１１０中に、約３０ｋｅＶの注入エネルギーで、負イオン注入法によって銀を注入する。例文帳に追加

Silver is implanted into the silicon oxide film 110 with a negative ion implantation method in the implantation energy of about 30 keV. - 特許庁

シリコン基板１上に酸化シリコン膜２、多結晶シリコン膜３をこの順で形成した後、多結晶シリコン膜３にシリコン原子をイオン注入する。例文帳に追加

A silicon oxide film 2 and a polycrystalline silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1 in order, and silicon atoms are applied to the polycrystalline silicon film 3 through ion implantation. - 特許庁

シリコンゲルマニウム層にＰを選択的にイオン注入してイオン注入されていないシリコンゲルマニウム層部分に対してエッチング抵抗性を付与した後、シリコンゲルマニウム層のイオン注入されていない部分を選択的に等方性エッチング除去するパターニング方法。例文帳に追加

After P is selectively ion-implanted into the silicon germanium layer and properties of resistance to etching are given to the ion-implanted part of the silicon germanium layer, the part of the silicon germanium layer that is not ion-implanted is selectively removed by isotropic etching. - 特許庁

シリコンウェーハに酸素イオンを注入する工程と、酸素イオン注入したシリコンウェーハをアニールする工程とを有するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、酸素イオン注入量を、シリコンウェーハの温度むらに応じて調整する。例文帳に追加

In a method of manufacturing an SIMOX wafer including a process of implanting oxygen ions into the silicon wafer and a process of annealing the silicon wafer into which the oxygen ions have been implanted, the amount of implanted oxygen ions is adjusted in accordance with temperature unevenness of the silicon wafer. - 特許庁

イオン注入によりシリコンゲルマニウム層を選択的にパターニングする方法例文帳に追加

METHOD FOR SELECTIVELY PATTERNING SILICON GERMANIUM LAYER BY ION IMPLANTATION - 特許庁

イオン注入によりシリコンゲルマニウム層を選択的にパターニングする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for selectively patterning a silicon germanium layer by ion implantation. - 特許庁

その後、開口部ＯＰを介してポリシリコンゲート１２内に窒素をイオン注入する。例文帳に追加

Then, nitrogen is ion-implanted in the polysilicon gate 12 through the opening part OP. - 特許庁

ポリシリコン膜の一部にリンのイオン注入を行なってから第１回目のＲＴＡを行なう。例文帳に追加

A first RTA process is performed after phosphorus ions are implanted into part of a polysilicon film. - 特許庁

シリコン半導体基板の水素イオン注入量測定方法及び標準試料用基板例文帳に追加

HYDROGEN ION IMPLANT DOSE MEASURING METHOD OF SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SUBSTRATE FOR STANDARD SAMPLE - 特許庁

シリコンゲルマニウム層は、析出もしくはイオン注入プロセスによって形成される。例文帳に追加

The silicon germanium layer is formed through a separation method or an ion implantation method. - 特許庁

Ｐ型シリコン基板１にイオン注入を行うことでコレクタ領域２を形成する。例文帳に追加

A collector region 2 is formed by carrying out ion implantation in the p-type silicon substrate 1. - 特許庁

よって、イオンがゲート電極３を突き抜けてシリコン基板１内に注入されることはない。例文帳に追加

Thus, the ions are not implanted into the silicon substrate 1 by penetrating through the gage electrode 3. - 特許庁

絶縁層１３は、シリコン基板１０に酸素をイオン注入することで形成される。例文帳に追加

The insulating layer 13 is formed by implanting oxygen ions to a silicon board 10. - 特許庁

そして、ポリシリコン膜４２の膜厚は、イオン注入の際に、不純物が通過できる膜厚である。例文帳に追加

Then, the film thickness of the polysilicon film 42 is a film thickness for enabling impurities to pass in ion implantation. - 特許庁

そして、レジストマスクを用いてシリコン酸化膜を介してｐ型不純物をイオン注入する。例文帳に追加

P-type impurity ions are then implanted via the silicon oxide film using a resist mask. - 特許庁

次いで第一の熱処理を行い、イオン注入の際に生じた格子間シリコン原子を除去する。例文帳に追加

Then, a first thermal treatment is carried out to remove interstitial silicon atoms which are generated when ions are implanted. - 特許庁

多結晶シリコン膜３には、イオン注入などにより不純物が導入されている。例文帳に追加

Impurities are introduced into the polycrystalline silicon film 3 by ion implantation. - 特許庁

ポリシリコン層１８に電気的に不活性なイオンを注入して表層２０をアモルファス化する。例文帳に追加

Electrically inactive ions are implanted into the polysilicon layer 18 to amorphize a surface layer 20. - 特許庁

イオン注入及び非晶質化を経た後にｎ型シリコン基板１をアニールする。例文帳に追加

After the ion implantation and the non-crystallization, the n-type silicon substrate 1 is annealed. - 特許庁

この結晶欠陥層２はイオン注入とシリコン基板の熱処理とで生成される。例文帳に追加

The crystal defect layer 2 is formed due to the ion implantation and a heat treatment of the silicon substrate. - 特許庁

イオン注入後熱処理を行い二酸化シリコン層を形成し、絶縁層となる。例文帳に追加

After the ion implantation, the heat treatment is executed to form a silicon dioxide film as the insulation layer. - 特許庁

イオン注入後、熱燐酸によりウェットエッチングによりシリコン窒化膜３を除去する。例文帳に追加

After an ion implantation process is carried out, the silicon nitride film 3 is removed by wet etching using a hot phosphoric acid. - 特許庁

シリコンウェーハを加熱して酸素イオンを注入するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、シリコンウェーハをイオン注入装置内に搬入するに先立ち、該シリコンウェーハのエッジとウェーハ保持具との整合をダミーウェーハでとり、しかるのち該シリコンウェーハをイオン注入装置内に搬入して、酸素イオンの注入を行う。例文帳に追加

In the method of manufacturing the SIMOX wafer of heating the silicon wafer to implant oxygen ions into the wafer, before carrying the silicon wafer into an ion implanting device, the silicon wafer edge is matched with the wafer holder using a dummy wafer and then the silicon wafer is carried into the ion implanting device to implant the oxygen ions into the wafer. - 特許庁

多結晶シリコントランジスタのソースおよびドレイン領域にゲルマニウムイオンを注入することにより、シリコンゲルマニウム領域を形成する。例文帳に追加

A silicon/germanium region is formed by implanting germanium ions into the source and drain regions of a polycrystalline silicon transistor. - 特許庁

薄いシリコン酸化膜が形成される第２の領域１１ａのシリコン基板１１に選択的に窒素イオン１５を注入する。例文帳に追加

Nitrogen ions 15 are selectively implanted into a second region 11a of the silicon board 11, where a thin silicon oxide film is formed. - 特許庁

半導体基板１上にポリシリコン膜を形成し、ポリシリコン膜の上からＢをイオン注入する。例文帳に追加

A polysilicon film is formed on a semiconductor substrate 1, and B is subjected to ion implantation on the polysilicon film. - 特許庁

好ましいイオン注入法によって、結晶膜を含めて、水素非添加のシリコン合金膜およびドープシリコン膜が製造される。例文帳に追加

A crystalline film, hydrogen non-doped silicon alloy film and doped silicon film are formed by a preferable ion implanting method. - 特許庁

酸化シリコン膜を基板に形成したのちに、イオン注入を行い、次に窒化シリコン膜をその上に形成する。例文帳に追加

Ion is poured after forming an oxide silicon film on a substrate and sequentially a nitride silicon film is formed on the oxide silicon film. - 特許庁

イオン注入調整膜として、シリコン窒化膜１１４を、ゲート電極３を含むシリコン基板１の全面に形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film 114 acting like an ion implantation adjustment film is formed on the entire surface of the silicon substrate 1 including the gate electrode 3. - 特許庁