「イオン注入シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

また、前記の箇所と隣接してノンドープのポリシリコン配線１１に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＡｓ（ヒ素）２９を選択的にイオン注入して、同時にｎ^+ 層１９とｎ型ダイオードになるｎ^+ Ｐｏｌｙ２０（ｎ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入するポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。例文帳に追加

Adjacently to the region, As (rsenic) with a does of 5×1014 cm-2 to 1016 cm-2 is selectively ion implanted in the non-doped polysilicon wiring, n+Poly 20 (n+ polysilicon) which will be n+ layer 15 and n-type diode is simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm. - 特許庁

したがって、イオン注入されるイオンが、レジスト１８に邪魔されることなく、シリコン層１３と埋め込み絶縁層１７の端部の一部が露出した露出面に到達し、寄生チャンネル抑制イオン注入を効率的に行うことができる。例文帳に追加

Accordingly, ions to be implanted reach an exposed surface, where ends of a silicon layer 13 and the embedded insulation layer 17 are exposed without being interrupted by the resist 18, and the parasitic channel suppression ion implantation can be performed efficiently. - 特許庁

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。例文帳に追加

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6. - 特許庁

Ａｒイオン注入工程において、ソース/ドレイン領域９の表面および多結晶シリコン制御ゲート７の表面付近を非晶質化しないが改質するようなイオン注入条件(１.０×１０^１４イオン数/ｃｍ^２以下、１０ｋｅＶ)とした。例文帳に追加

In an Ar ion implantation step, ion implantation conditions (1.0×10^14 ions/cm^2 or less, at 10 keV) are provided not for making noncrystalline but for reforming near the surface of a source/drain region 9 and the surface of a polycrystalline silicon control gate 7. - 特許庁

本発明は、シリコン基盤１２上に酸化膜１４を形成するステップと、酸化膜１４の上にポリシリコン電極膜１６を形成するステップと、ポリシリコン電極膜１６を介して、酸化膜１４とシリコン基盤１２との界面に、イオン注入機により重水素イオンを供給するステップとにより構成される。例文帳に追加

A method of manufacturing the field-effect transistor comprises a step of forming an oxide film 14 on a silicon substrate 12, a step of forming a polysilicon electrode film 16 on the oxide film 14, and a step of supplying deuterium ions to the interface between the oxide film 14 and silicon substrate 12 through the polysilicon electrode film 16 by means of an ion implanter. - 特許庁

不純物をイオン注入にてポリシリコン層３に導入した後に、熱処理することによりＩＰＯ酸化を行い、ポリシリコン層３の表面にＩＰＯ酸化膜４を形成し、さらにＩＰＯ酸化膜４の上に第二のポリシリコン層を形成した。例文帳に追加

After impurities are introduced in the polysilicon layer 3 by ion injection, a heat treatment is carried out for IPO oxidation to form an IPO oxide film 4 on the surface of the polysilicon layer 3, and a second polysilicon layer is further formed on the IPO oxide film 4. - 特許庁

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。例文帳に追加

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask. - 特許庁

シリコン基板１内部に酸素イオンを注入した後、雰囲気ガス中の熱処理によりシリコン基板内部に埋め込みシリコン酸化膜３を形成するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記雰囲気ガスを、窒化ガスを含むガスとする。例文帳に追加

A method for manufacturing an SOI wafer comprises the steps of implanting oxygen ions in a silicon substrate 1, and then forming an embedding silicon oxide film 3 in the substrate by heat treating in an atmospheric gas; and in this case, the atmospheric gas is a gas which contains a nitride gas. - 特許庁

該シリコンナノワイヤは、一次元構造の結晶シリコンナノワイヤにＯ^２＋イオンを注入してから不活性ガス雰囲気下にアニールしてその内部にシリコンナノ結晶を析出させ、その後、加熱と共に水素プラズマ処理することにより得られる。例文帳に追加

The silicon nanowire is obtained by implanting O^2+ ions into a crystalline silicon nanowire of a one-dimensional structure, depositing silicon nanocrystals within the nanowire by annealing the nanowire in an inert gas atmosphere, and carrying out hydrogen plasma treatment with heating. - 特許庁

抵抗素子領域８，８，…は、ポリシリコン膜３に所定の不純物がイオン注入されてなり、その外縁が、ポリシリコン膜３の外縁から、ポリシリコン膜３をエッチングで形成する際の寸法のバラツキに応じた距離だけ内側に隔てられている。例文帳に追加

The resistance-element regions 8, 8 are made of the ion-implanted polysilicon film 3 with a predetermined impurity, and the outer peripheral edge of each of them is separated inward from the outer peripheral edge of the polysilicon film 3 by a distance corresponding to the dimesional variation generated when forming the polysilicon film 3 by etching. - 特許庁

シリコンウェーハ１１の表面から酸素イオンを注入した後、シリコンウェーハをアニール処理してウェーハ表面から所定の深さに埋込みシリコン酸化層１２を形成するＳＯＩ基板１０の製造方法である。例文帳に追加

In the method of manufacturing the SOI substrate 10, a buried silicon oxide layer 12 is formed in a silicon wafer 11 at a prescribed depth from the surface of the wafer 11 by annealing the wafer after oxygen ions are implanted into the wafer 11 from the surface of the wafer 11. - 特許庁

また、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域のアンドープシリコン膜にＢをイオン注入してｐ型シリコン膜９ｐに変換する際、ゲート絶縁膜８との界面近傍におけるｐ型シリコン膜９ｐのＢ濃度を２×１０^２０atom/cm^３以下に制御する。例文帳に追加

In addition, when the B ions are implanted into an undoped silicon film in a p-channel MISFET formation area so as to convert it into a p-type silicon film 9p, the concentration of B of the p-type silicon film 9p adjacent to the boundary with a gate insulating film 8 is controlled to 2×10^20 atoms/cm^3 or less. - 特許庁

乾燥雰囲気中で熱酸化を行い、第１の領域１１ａのシリコン基板１１の表面には厚さ３ｎｍのシリコン酸化膜１６_1 が形成され、窒素イオンが注入されていない第２の領域１１ｂには厚さ６ｎｍのシリコン酸化膜１７_1 が形成される。例文帳に追加

A thermal oxidation process is carried out in a dry atmosphere, whereby a silicon oxide film 161 of thickness 3 nm is formed on the surface of the first region 11a of the silicon board 11, and a silicon oxide film 171 of thickness 6 nm is formed on the surface of a second region 11b of the silicon board 11 where no nitrogen ions are implanted. - 特許庁

薄膜化の際の研磨ストップを精度よく行い、貼り合わせシリコンウェーハの活性層厚さのばらつきを改善し、活性層用シリコンウェーハ中の酸素イオン注入層がオーバーエッチングされることを防止する貼り合わせシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a bonded silicon wafer, which stops polishing in thin film formation with sufficient accuracy, improves variation in the thickness of an active layer of the bonded silicon wafer, and prevents overetching of an oxygen ion implanted layer in the silicon wafer for the active layer. - 特許庁

ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜３１のうちＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に形成されている部分（シリコン酸化膜５１）の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜３１をマスクとして第１のイオン注入を行う。例文帳に追加

In a process of forming the well region, a part of a part (silicon oxide film 51) which is formed in the formation scheduled region A2 of the MOS transistor 4 of the silicon oxide film 31 is removed by wet etching and after that, the first ion implantation is performed by using the silicon oxide film 31 as a mask. - 特許庁

単結晶シリコン基板１の表層部の窒化によりに窒化シリコン膜２の形成を行って窒化膜付き基材を得る工程と、窒化膜付き基材の窒化シリコン膜２側から水素イオン注入によって測定対象元素たる水素の導入を行う工程とを有する。例文帳に追加

The method includes a process of forming a silicon nitride film 2 by nitriding to a surface layer part of a single crystal silicon substrate 1, thereby obtaining a base material with the nitride film, and a process of injecting hydrogen ions from the side of the silicon nitride film 2 of the base material thereby introducing hydrogen as an element to be measured. - 特許庁

第１および第２のイオン源１１・１２で生成される、異なる種類のイオンビームの照射を可能とすることで、多原子分子のイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射して表面の酸化膜を除去する工程と、注入イオンのイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射してイオンを注入する工程とを、チャンバ１８内のプラテンに装着されたシリコンウェーハ１０に対し、その間の真空雰囲気を破ること無く連続して行う。例文帳に追加

By enabling the irradiation of different type ion beams generated by first and second ion sources 11, 12, a process irradiating a silicon wafer 10 with a polyatomic molecule ion beam for removing a surface oxide film and a process irradiating the silicon wafer 10 with an ion beam of the implanted ions for implanting ions are continuously carried out to the silicon wafer 10 attached to a platen in a chamber 18 without breaking a vacuum atmosphere during them. - 特許庁

エピタキシャル法により、主面上に形成したシリコン単結晶層２４を有する第１のウェハ２０を形成し、シリコン単結晶層２４の上に酸化シリコン層２２を形成し、イオン注入法により、シリコン単結晶層２４の内部に欠陥層２３を形成し、酸化シリコン層２２と第２のウェハ１７とを貼り合わせる。例文帳に追加

By an epitaxial method, a first wafer 20 having a silicon single-crystal layer 24 formed on a principal surface is formed, and a silicon oxide layer 22 is formed on the silicon single-crystal layer 24; a defective layer 23 is formed in the silicon single-crystal layer 24 by an ion implantation method; and the silicon oxide layer 22 is stuck to a second wafer 17. - 特許庁

このポリシリコン膜６ａは幅が相互に異なるものであり、基板に対して傾斜した２方向（左上及び右上から基板表面に対して４５°傾斜）からボロンをイオン注入すると、ポリシリコン膜６ａの両側面に注入領域８，１８が形成される。例文帳に追加

When boron ions are implanted from two directions inclining against a substrate (at an angle of 45° against the substrate surface from upper left and right), implanted regions 8, 18 are formed on the opposite sides of the polysilicon film 6a. - 特許庁

次に、ゲート電極５及びサイドウォール８ｓ，８ｄをマスクとして、ｐ型シリコン基板１内にヒ素イオンを注入することにより、ｐ型シリコン基板１の主面内に、ｎ^+不純物注入領域９ｓ，９ｄを形成する。例文帳に追加

Next, n+ impurity implantated regions 9s and 9d are made within the main face of the p-type silicon substrate 1 by implanting arsenic ions into the p-type silicon substrate 1, with the gate electrode 5 and the side walls 8s and 8d. - 特許庁

シリコン粒、シリコン酸化物、ボロンを含む薄膜化ストップ層がウェーハ表層に存在するので、酸素イオンの注入欠陥をボロンが捕獲し、この注入欠陥を原因としたエピタキシャル膜の成膜欠陥の発生頻度を低減できる。例文帳に追加

Since a thinning stop layer containing silicon grains, silicon oxide and boron is present on a wafer surface layer, an implantation defect of oxygen ions is captured by boron, and the occurrence frequency of film formation defects of an epitaxial film caused due to the implantation defect can be reduced. - 特許庁

サリサイド構造のデュアルゲートプロセスにおいて、ゲートポリシリコンへのレジストをマスクとしたイオン注入で、レジスト材料がポリシリコンへノックオン注入されて炭化物が生ずるが、この炭化物によるシリサイド化の阻害を防止する。例文帳に追加

To prevent a metal from obstructed in being silicification due to carbide, even though a resist material is knocked on a polysilicon and injected thereinto to generate the carbide, when injecting ions into the gate-polysilicon through using the resist as a mask in the dual gate process of a salicide structure. - 特許庁

ＳＯＩ基板１の裏面を窒化シリコン膜４で保護した後、レジストパターンをマスクとしてイオン注入法によりアンチモンを注入し、次いで拡散炉を用いて１２００℃で熱処理をＳＯＩ基板１に施すことによって、シリコン層１ｃにコレクタ埋め込み層５Ｃを形成する。例文帳に追加

The rear of an SOI substrate 1 is covered with a silicon nitride film 4, antimony is injected into the substrate 1 using a resist pattern as a mask through an ion implantation method, and the substrate 1 is thermally treated at 1,200°C in a diffusion oven, by which a collector embedded layer 5C is formed in an silicon layer 1c. - 特許庁

また、転送ゲート下に電荷蓄積部を潜り込ませる手段として（ポリシリコンゲート規定での斜めイオン注入を行わず）ポリシリコンゲート形成前にマスク規定で転送ゲート電極に対して食い込み、逃がしのない角度にて注入を行う。例文帳に追加

As a means for allowing the charge accumulator to get under the transfer gate (with no diagonal ion implantation with polysilicon gate regulation), implantation is implemented at the angle where the charge accumulation part is prevented from cutting into the transfer gate electrode with a mask regulation before formation of the polysilicon gate and from having any escape from the same. - 特許庁

シリコン基板１０２とシリコン基板１０２上に形成されるＬＤＤ構造のＭＯＳＦＥＴ１１０とを備える半導体装置１００において，ＭＯＳＦＥＴ１１０のＬＤＤ部は，相互に注入エネルギが異なる２度以上のイオン注入により形成されることを特徴としている。例文帳に追加

In a semiconductor device 100 which is provided with a silicon substrate 102 and a MOSFET 110 of an LDD structure formed in the substrate 102, an LDD section of the MOSFET 110 is formed by two or more ion implantations in which implantation energy is different, respectively. - 特許庁

ＣＭＯＳデバイスのプロセスにおいて、このＮＭＩＳゲート注入レイヤを用いてイオン注入を行なうことにより、ゲートポリシリコン膜中におけるＰＮ接合部及びノンドープ領域の総数が低減される。例文帳に追加

In the process of a CMOS device, the total number of the pn junction and the non-doped region in the gate polysilicon film is reduced by ion implanting by using this NMIS gate implantation layer. - 特許庁

フォトレジスト６を注入マスクとして用いて、シリコン基板１の上面に対してほぼ垂直な方向から、リン等のｎ型の不純物７をイオン注入する。例文帳に追加

With the photoresist 6 used as an injection mask, an n-type impurity 7, such as phosphorus, etc. is ion injected from a direction substantially perpendicular to the upper surface of the silicon substrate 1. - 特許庁

さらに、この膜面にシリコン炭化膜からなるキャップ膜１８を形成して、その上面からホウ素をイオン注入法により注入し、Ｃｕの埋め込み配線２２とその周囲の絶縁膜との密着強度を強化する。例文帳に追加

Further, a cap film 18 as a silicon carbide film is formed thereon, boron ions are implanted from its upper surface by an ion implanting method to increase bonding strength between the Cu-buried wiring 22 and the insulating film. - 特許庁

ゲート構造４、ＬＤＤ領域６、及びサイドウォール７をこの順に形成した後、斜方注入法によって、ヒ素イオン８をシリコン基板１の上面内に注入する。例文帳に追加

After a gate structure 4, an LDD area 6 and a side wall are formed in this order, arsenic ions 8 are implanted in the upper face of a silicon substrate 1 by oblique injection. - 特許庁

Ｐ型シリコン基板に深いＮ型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第１のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、Ｎ型ウエル層を形成する。例文帳に追加

The first phosphorus ion implantation is performed to a p-type silicon substrate using a resist mask as the implantation mask to form a deep n-type well layer, and the n-type well layer is also formed simultaneously with the LOCOS oxidation. - 特許庁

注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon wafer capable of effectively and efficiently removing an injection damage while suppressing the diffusion of an injected ion. - 特許庁

フォトレジスト４を注入マスクとして用いて、イオン注入法によって、リン等のＮ型不純物５を、シリコン基板１の上面内に導入する。例文帳に追加

An n-type impurity 5 such as phosphorous or the like is introduced into the upper surface of a silicon substrate 1 by using the photo resist 4 as an injection mask by ion implantation. - 特許庁

フォトレジスト６をマスクとして、シリコン層３の分離注入領域に第１導電型の不純物をイオン注入しチャネル領域よりも高い不純物濃度を有する不純物領域を形成する。例文帳に追加

With photoresist 6 being a mask, a first conductivity type impurity is ion-implanted in a separated implanted region of a silicon layer 3 to form an impurity region having higher impurity concentration than a channel region. - 特許庁

次に、図８（ｂ）〜図８（ｄ）に示す工程において、上記単結晶シリコン膜３０に、それぞれ注入エネルギ量を、「３０ｋｅＶ」、「１００ｋｅＶ」、「１７０ｋｅＶ」としてイオン注入を行う。例文帳に追加

In the steps shown on Fig. (b)-Fig.(d), ions are implanted in the single crystal silicon film 30 with implantation energy quantities of "30 keV", "100 keV" and "170 keV". - 特許庁

また、このときのイオン注入に起因して、ゲート酸化膜７ａの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３内には、Ｐ型不純物が不純物濃度Ｐ２で注入されている。例文帳に追加

Due to this ion implantation, part of the silicon layer 3 near an interface with the BOX layer 2 below a gate oxide film 7a is doped with the P-type impurity at a concentration P2. - 特許庁

抗菌効果を評価するための標準となる抗菌効果評価用標準試料であって、イオン注入法によりシリコンウェーハからなる基体５に銀が注入されてなる。例文帳に追加

The standard sample for the evaluation of antibacterial effects which can be used as a standard for the evaluation comprises a substrate 5 comprising a silicon wafer implanted with silver by an ion-implantation method. - 特許庁

注入角度αをこの範囲内に規定すると、第２側面１０Ａ_２及び第５側面１０Ａ_５内には、シリコン酸化膜１３を通して不純物２３_１，２３_２がイオン注入される。例文帳に追加

When the implanting angle α is specified in this range, the impurities 23_1, 23_2 are ion implanted in the second side face 10A_2 and the fifth side face 10A_5 through the silicon oxide film 13. - 特許庁

素子分離絶縁膜５ａの底面とＢＯＸ層２の上面とによって挟まれている部分のシリコン層３内には、イオン注入によって、素子分離のためのＰ型不純物が不純物濃度Ｐ１で注入されている。例文帳に追加

Part of a silicon layer 3 held between a bottom face of an element isolation insulation film 5a and a top face of a BOX layer 2 is doped with a P-type impurity for element isolation at a concentration P1 by ion implantation. - 特許庁

不純物イオン注入の際に、この凹凸部４１ａ，４２ａでイオンビームが散乱するため、シリコン膜−ゲート絶縁膜界面近傍のシリコン膜にドーピングされる不純物濃度が格段に大きくなり、効率的なドーピングを行うことができる。例文帳に追加

Since the ion beams scatter in the irregularities 41a and 42a when impurity ions are injected, impurity concentration doped in the silicon film near the interface of the silicon film and the gate insulating film becomes remarkably large, and efficient doping is performed. - 特許庁

ガラスよりなる光学素子のプレス成形に用いる光学素子成形用型の製造方法において、第１の工程で、金属よりなる型母材の少なくとも成形面にケイ素イオンおよび炭素イオンを注入し、炭化シリコン膜あるいは炭素とシリコンの混合膜を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the mold for molding the optical element which is used for press-molding the optical element composed of a glass, a silicon carbide film or a mixed film of carbon with silicon is formed by implanting silicon ion and carbon ion at least on a molding surface of the mold base material composed of a metal in a 1st process. - 特許庁

第１の工程は、シリコン層１３に注入するイオンを酸素イオンとするとき、ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態からイオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０^１５〜１．５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とする。例文帳に追加

In the first process, when the ion to be injected into the silicon layer 13 is oxygen ion, its injection is started in the state where the temperature of the SIMOX wafer is 50°C or lower, the amount of ion dose is 5×10^15-1.5×10^16 atoms/cm^2, and an injected energy is 150 keV or more and 220 keV or less. - 特許庁

貼り合わせ基板６００において、単結晶シリコン基板２００の表面にイオン遮蔽用マスク３００ａを形成し、酸素イオン４００を注入する。例文帳に追加

A stuck substrate 600 has an ion shielding mask 300a formed on the surface of a silicon substrate 200 and oxygen ions 400 are implanted. - 特許庁

シリコンからなる半導体基板１０１に窒素（ｎ）イオンを注入する工程と、窒素（ｎ）イオンをアニールすることにより、半導体基板１０１中に窒素を含むクラスター含有層１０３を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

This processing method comprises a first process of implanting nitrogen (n) ions into a semiconductor substrate 101 of silicon and a second process of forming a cluster-containing layer 103 in the semiconductor substrate 101 by annealing nitrogen (n) ions. - 特許庁

好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程Ｓ１０３をさらに備える。例文帳に追加

Preferably, the manufacturing method further includes a process S103 for removing an ion layer injected into the silicon substrate in the slit portion formed in the etching mask material by the focused ion beam. - 特許庁

半導体デバイスの製造におけるイオン注入の際にホウ素イオンの突き抜けを防止できるシリコン膜及びその形成方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon film, a forming method thereof, etc., capable of preventing the punch-through of a boron ion when the ion is implanted in manufacturing a semiconductor device. - 特許庁