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Ar ionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 Arionは、RandomControlにより開発された、物理ベースの、不偏なレンダリングエンジンである。、Arionは、RandomControlにより開発された、物理ベースの、不偏なレンダリングエンジンである。、アリーオーン(古代ギリシア語: Ἀρίων / Ariōn、アリオンとも)は、半ば伝説的な古代ギリシアの音楽家で、ディオニューソス祭の踊りであるディテュランボスを発明した人物とされる。、アレイオーン(古希: Ἀρίιων、Areiōn)は、ギリシア神話に登場する名馬の名である。
Weblio英和対訳辞書での「Ar ion」の意味 |
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Arion
Arion (mythology)
Arion (software)
Arion (ソフトウェア)
「Ar ion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 59件
An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.例文帳に追加
結晶Siからなる基板1に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁
When the ion flow and the plasma stream are joined, a plasma stream containing the argon ion Ar+ with a given energy is obtained.例文帳に追加
このイオン流とプラズマ流とを合流させたときに、所定のエネルギー有するアルゴンイオンAr+を含むプラズマ流が得られる。 - 特許庁
Microwaves are oscillated by a microwave oscillator 101, and at the same time, argon gas Ar is guided in from a gas guide-in port 102 to generate plasma consisting of argon ion Ar^+ and electron e^-.例文帳に追加
マイクロ波発振器101でマイクロ波を発振すると共に、ガス導入口102からアルゴンガスArを導入して、アルゴンイオンAr^+と電子e^−から成るプラズマを生成する。 - 特許庁
The surface of the absorber film 14 has been irradiated with an Ar ion beam.例文帳に追加
前記吸収体膜14の表面にはArイオンビームが照射されている。 - 特許庁
An ion source 2 projects a beam 2a (for instance, Argon (Ar) ion beam) to a target material 3 to sputter the target material 3.例文帳に追加
イオン源2は、ターゲット材3に向けてイオンビーム2a(例えば、アルゴン(Ar)イオンビーム)を照射し、ターゲット材3をスパッタする。 - 特許庁
The etalon substrate 11 is installed in a sample chamber 12 of an ion beam radiator, and the mixture of gaseous CHF_3 and gaseous Ar is introduced into an ion gun chamber 13 from a gas introduction tube 15 as a reactive etching gas.例文帳に追加
エタロン基板11をイオンビーム照射装置の試料室12に設置し、ガス導入管15より反応性エッチングガスとしてCHF_3ガスとArガスの混合ガスをイオン銃室13内に導入する。 - 特許庁
An ion gun 11 introduces Ar gas from a gas introduction part 114 into a body 111, and generates D.C. hot cathode discharge between a filament 113 and an anode 112 to generate plasma of Ar.例文帳に追加
イオンガン11は、ガス導入部114よりArガスを本体111内に導入し、フィラメント113とアノード112との間で直流熱陰極放電をおこし、Arのプラズマを生成する。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「Ar ion」の意味 |
Arion
出典:『Wikipedia』 (2011/07/08 19:54 UTC 版)
「Ar ion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 59件
A gas (Ar gas) having an atomic weight lower than that of an ion emitted from a target material 6 (Cr) is introduced into a furnace 1, and the Ar gas is ionized with a filament electron source 2.例文帳に追加
ターゲット材6(Cr)より放出されるイオンよりも低原子量のガス(Arガス)を炉1内に導入し、フィラメント電子源2でArガスをイオン化し、基材4にバイアス電圧を印加する。 - 特許庁
While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加
マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁
While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加
マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁
For example, an Ar ion laser at the wavelength λ=334 nm or a He-Cd laser at the wavelength λ=325 nm is used.例文帳に追加
例えば、波長λ=334nmのArイオンレーザーやλ=325nmのHe−Cdレーザーを使用する。 - 特許庁
By using a high-frequency power source device for plasma generation, argon gas is dissociated into argon plus ion (Ar^+) and electron.例文帳に追加
プラズマ発生用高周波電源装置を用い、アルゴンガスをアルゴンプラスイオン(Ar^+)と電子に解離させる。 - 特許庁
After that etching for the remaining electrode film 12 is made by Ar ion milling being slightly over etching and the electrode film 12 is eliminated completely.例文帳に追加
この後、残った電極膜12を、Arイオンミリングでオーバーエッチングぎみにエッチングし、電極膜12を完全に除去する。 - 特許庁
After irradiating locally a metal film forming a spacer layer 6 with an Ar ion beam, the metal film is subjected to an oxidation processing.例文帳に追加
スペーサ層6を形成する金属膜に局所的にArイオンビームを照射し、そののちに当該金属膜を酸化処理する。 - 特許庁
This ruggedness is formed by ion etching using gas such as Ar so that the surface roughness is 1nm-100nm.例文帳に追加
この凹凸は、Ar等のガスを用いたイオンエッチングによって、表面粗さが1nm〜100nmとなるように形成される。 - 特許庁
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