「イオン注入シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

トレンチ１１内に均一に厚いシリコン酸化膜３を形成させた後、Ａｒなどのイオンを斜めイオン注入によるシャドーイングを利用してトレンチ側壁のシリコン酸化膜に選択的に注入ダメージ領域３１を導入する。例文帳に追加

After forming a thick silicon oxide film 3 uniformly inside the trench 11, an ion-implanted damage region 31 is selectively introduced into the silicon oxide film on the side wall of the trench using shadowing by inclined ion implantation of ions such as Ar ions. - 特許庁

炭化珪素からなるＭＯＳＦＥＴの製造工程において、半導体層１０上に形成されたエピタキシャル層１６に対してシリコンイオン注入を行い、シリコンイオン注入領域の一部を熱酸化してゲート酸化膜１７を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing process of an MOSFET formed of silicon carbide, silicon ions are implanted in an epitaxial layer 16 formed on a semiconductor layer 10, a portion of a silicon ion implanted region is thermally oxidized to form the gate oxide film 17. - 特許庁

シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１ａと、シリコン基板１１に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入工程Ｓ１３ａとを備える。例文帳に追加

A method for manufacturing the silicon wafer includes a process S11a for preparing a silicon substrate 11 and an ion implantation process S13a for implanting ions to the silicon substrate 11 by dose of 1×10^13 to 3×10^14 atoms/cm^2. - 特許庁

シリコンウェーハに酸素イオンを注入して、前記シリコンウェーハ中に酸素の高濃度層を形成する工程を有するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入に用いるビーム電流がもつ仕事率を１４ｋＷ以下とする。例文帳に追加

In the method of manufacturing the SIMOX wafer including a step of forming a high-concentration layer of oxygen in a silicon wafer by implanting oxygen ions into the silicon wafer, the power that a beam current used for the oxygen ion implantation has is not larger than 14 kW. - 特許庁

シリコン基板に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入（ステップＳ１２ａ）した後、結晶回復熱処理を行うことなく、シリコン基板をエピタキシャル成長装置に搬送する（ステップＳ１３ａ）。例文帳に追加

A silicon substrate is conveyed to an epitaxial growth device (step S13a) without performing a crystal recovery heat treatment after ion implantation ( step S12a) for implanting ions in the silicon substrate by a dosage of 1×10^13 to 5×10^15 atoms/cm^2. - 特許庁

マスク酸化膜２３を形成する以前又はマスク酸化膜２３を形成する工程と酸素イオン１６を注入する工程の間に、得ようとする埋込み酸化膜１３の周囲に対向するシリコン基板１２の表面にシリコンイオン２１を注入する工程を有する。例文帳に追加

Before forming the mask oxide film 23 or between a process for forming the mask oxide film 23 and a process for implanting oxygen ions 16, a process is provided for implanting silicon ions 21 onto the surface of the silicon substrate 12 that faces the periphery of the embedded oxide film 13 to be obtained. - 特許庁

比較のために、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行なったところ、点線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する比較品が得られた。例文帳に追加

For comparison, the phosphorus ions are implanted on the polysilicon thin film at the high concentration, next, they are implanted on the polysilicon thin film at the low concentration, and then the inventive product having Vg-Id characteristics shown in a dotted line can be obtained by activating them by furnace annealing treatment. - 特許庁

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。例文帳に追加

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration. - 特許庁

そして、ポリシリコンに不純物をイオン注入後、熱処理を行い、選択的エッチングにより窒化膜キャパシタ５、第２のポリシリコン抵抗１０ｂを形成する。例文帳に追加

After an impurity is ion implanted to the polysilicon, the polysilicon is heat treated, and a nitride film capacitor 5 and a second polysilicon resistor 10b are formed by the selective etching. - 特許庁

ポリシリコン膜の他部にボロンのイオン注入を行なってから、ポリシリコン膜をパターニングして、ゲート電極８，抵抗体膜１３を形成する。例文帳に追加

After boron ions are implanted into another part of the polysilicon film, the resulting polysilicon film is patterned to form a gate electrode 8 and a resistor film 13. - 特許庁

単結晶シリコン基板１の一主表面上に形成されたシリコン酸化膜を介して不純物のイオン注入及びアニール処理を行うことにより、ウェル領域を形成する。例文帳に追加

A well region is formed by implanting impurity ions through a silicon oxide film formed on one major surface of a single-crystal silicon substrate 1 and then performing annealing. - 特許庁

また、イオン注入を行なってソース領域及びドレイン領域を形成した後に、画素領域のみにプラズマ窒化シリコン膜及びＬＰ−窒化シリコン膜を形成する。例文帳に追加

After a source region and a drain region are formed by implanting ion, a plasma nitride silicon film and an LP-nitride silicon film are formed only in a pixel region. - 特許庁

シリコン合金およびドープシリコン膜が、ＩＩＩ族およびＶ族の原子の供給源としてＳｉを含有する化学前駆体を用いたイオン注入法によって調製される。例文帳に追加

A silicon alloy and doped silicon film are prepared by an ion implanting method using a chemical precursor containing Si as the supply source of the atom of group III and group V. - 特許庁

緩衝層２を通して炭素イオンＣ＋を注入することによりシリコン基板１内にシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成する（Ｓ２）。例文帳に追加

A carbon-containing layer 3 in which silicon and carbon exist in a mixed state is formed in the silicon substrate 1 by implanting carbon ion C+ through the buffer layer 2 (S2). - 特許庁

ＳＩＭＯＸ基板は、シリコンウェーハ１１内部に酸素イオンを注入した後、熱処理して埋込みシリコン酸化層１２が形成され、その表面にＳＯＩ層１３が形成される。例文帳に追加

In the SIMOX substrate after pouring oxygen ion inside a silicon wafer 11, an embedded silicon oxidation layer 12 is formed by heat-treatment, and a SOI layer 13 is formed on the surface. - 特許庁

窒化膜付き基材へのイオン注入により導入される水素の窒化シリコン膜２側の表面から測定した投影飛程はシリコン基板１中に存在する。例文帳に追加

A projection range measured from a surface at the side of the silicon nitride film 2 of the hydrogen introduced through the ion injection to the base material is present in the silicon substrate 1. - 特許庁

層間絶縁膜１０上に位置するアモルファスシリコン膜１４にリンイオンが注入されることによって、結晶粒の成長が妨げられて、凹凸を有しないポリシリコン膜が形成される。例文帳に追加

The implantation of the phosphorus ions into the amorphous silicon film 14 prevents the growth of crystal grains to form a polysilicon film having no bumps and dips. - 特許庁

シリコン酸窒化膜１２の上にアモルファスシリコン膜１３を堆積し、デュアルゲート構造を形成するための不純物イオンの注入を行なう。例文帳に追加

An amorphous silicon film 13 is then deposited on the silicon oxide nitride film 12 and impurity ions are implanted in order to form a dual gate structure. - 特許庁

窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。例文帳に追加

An impurity region 121 is formed by performing oblique ion implantation below a bird's beak part 310 of the silicon oxide film 300 with the silicon nitride film 200 used as a mask. - 特許庁

シリコン基板１００上にゲート電極１０２を形成した後、ゲート電極１０２の寸法を測定し、その後、シリコン基板１００に対してイオン注入を行なってドレインエクステンション領域１０４を形成する。例文帳に追加

After forming a gate electrode 102 on a silicon substrate 100, the size of the gate electrode 102 is measured and then ions are injected to the silicon substrate 100 to form a drain extension area 104. - 特許庁

その後、歪ＳｉＧｅ層１６とシリコン基板１０との界面よりも下の深さにまでＨ^＋イオンを注入して、ＳＴＩによって、シリコン基板１０内に達するトレンチ２６を形成する。例文帳に追加

Subsequently, H^+ ions are implanted down to a depth below the interface of the strained SiGe layer 16 and the silicon substrate 10 and a trench 26 reaching the inside of the silicon substrate 10 is made by STI. - 特許庁

シリコン酸化膜２０及びシリコン窒化膜２１が形成されている状態で、ｐ型不純物２３_１，２３_２を、Ｙ方向の斜め上方からイオン注入する。例文帳に追加

In the state that a silicon oxide film 20 and a silicon nitride film 21 are formed, p-type impurities 23_1, 23_2 are ion implanted from obliquely above of a Y direction. - 特許庁

例えば、シリコン基板に不純物を注入する場合は、少なくとも引き出し電極と接地電極はシリコンからなるイオン引き出し電極系とする。例文帳に追加

For example, when the impurities are implanted into a silicon substrate, at least the extraction electrode and the ground electrode are made of silicon. - 特許庁

酸化膜３の表面に減圧ＣＶＤ法で多結晶シリコン膜４を形成した後、この多結晶シリコン膜４に対してリンをイオン注入法により添加する。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film 4 is formed on the surface of the oxide film 3 by a decompression CVD method, and then phosphorus is doped to the polycrystalline silicon film 4 by the ion implantation method. - 特許庁

シリコン基板１１に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成する。例文帳に追加

The diffused resistor 12 is formed by inducing impurities through ion implantation on a silicon substrate 11, followed by heat treatment at high temperature to an interlayer insulating film 14, a silicon nitride film 18 and the like. - 特許庁

次いで、前記ポリシリコン膜にｐ型不純物をイオン注入し、前記ポリシリコン膜の所定厚さほどを化学機械的研磨方法で除去する。例文帳に追加

Subsequently, a p-type impurity is ion-implanted into the polysilicon film, and a predetermined thickness of the polysilicon film is removed by a chemical mechanical polishing method. - 特許庁

フローティングゲート３をｌｏｇｉｃ部のポリシリコンゲート２８と兼ねて形成し、コントロールゲート６をシリコン基板１にイオン注入によって形成した拡散層で構成する。例文帳に追加

A floating gate 3 is formed on the polysilicon gate of a logic part, and a control gate 6 is composed of a diffusion layer formed on a silicon substrate 1 by implantion of ions. - 特許庁

この加熱処理により、シリコン基板１０と石英基板２０の両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力が生じてイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合が弱化する。例文帳に追加

The heating treatment results in thermal stress due to a difference in thermal expansion coefficient between both substrates 10 and 20, and the chemical bond of silicon atoms in the ion implantation layer 11 is weakened. - 特許庁

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。例文帳に追加

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed. - 特許庁

オーバーフローバリア層２０は、下層基板となるｎ型シリコン基板１０に、高抵抗エピタキシャル成長層３０を形成する前の段階で、ｎ型シリコン基板１０にボロン等のイオン注入を行うことにより形成される。例文帳に追加

The layer 20 is formed by implanting ions of boron, etc., into the silicon substrate 10, at a step prior to the formation of the epitaxially grown layer 30. - 特許庁

シリコン層３において化合物領域４２，５１以外の領域が基体領域を構成し、化合物領域４２，５１はリソグラフィ技術とイオン注入技術とを利用してシリコン層３内に選択的に形成される。例文帳に追加

The region in the silicon layer 3 except the compound regions 42, 51 constitute a substrate region and the compound regions 42, 51 are selectively formed in the silicon layer 3 by utilizing lithography and ion implantation. - 特許庁

トレンチ内に埋め込まれたシリコン層と複数のトレンチ間の半導体基板上に形成されたシリコン層とを同じイオン注入を行ない導電層とすること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same in which the same ion injection process is performed on silicon layers embedded in trenches and on silicon layers formed on a semiconductor substrate between multiple trenches to form conductive layers. - 特許庁

これにより、イオン注入領域６のＰ型シリコン基板１はアモルファス化され、この部分のＰ型シリコン基板１の面方位性を無くすことができる。例文帳に追加

Consequently, the substrate 1 in the ion-implanted region 6 becomes amorphous, and the plane orientation property of the substrate 1 in the amorphous portion can be eliminated. - 特許庁

次に、ｐＭＯＳＦＥＴ領域Ｒｐにおけるポリシリコン膜７に、Ｂ+ のイオン注入を行った後、ゲート形状となるようにポリシリコン膜７のエッチングを行う。例文帳に追加

Then, after B+ ions are implanted into the film 7 in a pMOSFET region Rp, the film 7 is etched into a gate configuration. - 特許庁

酸素イオンをシリコン基板の深さ６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に注入した後、該シリコン基板上に、ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。例文帳に追加

The method of producing a semiconductor substrate characterised in that oxygen ions are implanted into a silicon substrate at a depth of 60-100 nm and then an SiGe layer is grown epitaxially on the silicon substrate, is used. - 特許庁

その後、溝５の内壁に熱酸化膜２１を形成する際にイオン注入多結晶シリコン層１６の露出部分も酸化され、多結晶シリコン酸化領域２１ａが比較的広い形成幅で形成される。例文帳に追加

Thereafter, at the time of forming a thermal oxidation film 21 on an inner wall of a groove 5, an exposed part of the silicon layer 16 is also oxidized so that a polycrystalline silicon oxidation region 21a is formed relatively wide. - 特許庁

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。例文帳に追加

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing. - 特許庁

シリコン基板１上に分離酸化膜２，ゲート酸化膜３を介して形成したポリシリコン膜４のｎＭＯＳ領域Ｂに燐６を、ｐＭＯＳ領域Ａにボロン８をイオン注入する。例文帳に追加

Phosphorous ions 6 and boron ions 8 are respectively implanted into the n-type MOS region B and p-type MOS region A of a polysilicon film 5 formed on a silicon substrate via a separation oxide film 2 and a gate oxide film 3. - 特許庁

（ａ）に示すように、不純物イオン注入で整えられたシリコン基板１０上にゲート酸化膜（トンネル酸化膜）１１、ポリシリコン層１２及び窒化膜１３を積層する。例文帳に追加

As shown in the figure (a), a gate oxide film (tunnel oxide film) 11, a polysilicon layer 12, and a nitride film 13 are stacked in layers on a silicon substrate 10 which is well conditioned by implantation of impurity ions. - 特許庁

半導体基板１１の全面に膜厚が１０〜５０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、異方性エッチングを行なうことにより、ゲート構造体１７の側面上に酸化シリコンからなるイオン注入調整膜１８を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film of 10-50 nm thick is deposited on the entire surface of a semiconductor substrate 11 and subjected to anisotropic etching to form an ion implantation regulating film 18 of silicon oxide on the side face of a gate structure 17. - 特許庁

低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるＳＯＩ構造のシリコン単結晶基板の製造方法。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon single-crystal substrate of SOI structure through oxygen ion implantation which reduces defects of a silicon single-crystal part on the surface as much as possible, by forming a sound embedded oxide layer with a low dosage. - 特許庁

ここで、ヒータ３６とサーモパイル３７、３８のポリシリコン細線４１には、Ｐ（燐）がイオン注入等によってドーピングされており、ヒータ３６のドーピング量がポリシリコン細線４１よりも大きくなっている。例文帳に追加

The heater 36 and the polysilicon thin wires 41 of the thermopiles 37, 38 are doped with P (phosphorus) by an ion implantation operation or the like, and the doping amount of the heater 36 is set to be larger than that of the polysilicon thin wires 41. - 特許庁

ヒータ基板１となるシリコン基板上に蓄熱層２を形成後、多結晶シリコンにより発熱抵抗体層を形成し、イオン注入法等で高抵抗領域３ａと低抵抗領域３ｂを形成する。例文帳に追加

After a heat storage layer 2 is formed on a heater substrate 1, i.e., a silicon substrate, a heating element layer is formed of polysilicon followed by formation of high and low resistance regions 3a, 3b by ion implantation. - 特許庁

ｎＭＯＳＦＥＴ領域Ｒｎのポリシリコン膜７に、Ｐ+ のイオン注入を行った後、リンをポリシリコン膜７の下部にまで拡散させるために熱処理を行う。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step wherein after P+ ions are implanted into a polysilicon film 7 in an nMOSFET region Rn, a heat treatment is given to diffuse phosphorus into a lower portion of the film 7. - 特許庁

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。例文帳に追加

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well. - 特許庁