「イオン注入シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

イオン注入領域とＬＯＣＯＳ酸化膜とをオーバラップさせることにより、第１のシリコン基板の表層部に結晶欠陥を形成することができる。例文帳に追加

Making an ion implantation region and a LOCOS oxide film overlap, the crystal defects can be formed in the surface layer part of a first silicon substrate. - 特許庁

こうして３回のイオン注入が終了すると、上記単結晶シリコン膜３０内で不純物を拡散させるとともにこれを活性化すべく、熱処理を行う。例文帳に追加

Upon ending three times of ion implantation, impurities are diffused in the single crystal silicon film 30 and activated by heat treatment. - 特許庁

その後、イオン注入法等によりゲート絶縁膜１３を介してポリシリコン薄膜１２に選択的に不純物を導入するとＬＤＤ領域１９とソース・ドレイン領域１８が同時に形成される。例文帳に追加

Thereafter, by selectively introducing impurities into the polysilicon thin film 12 via the gate insulation film 13 by ion implantation method or the like, an LDD region 19 and a source/drain region 18 are formed at the same time. - 特許庁

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。例文帳に追加

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorous ions for forming a source-drain region. - 特許庁

シリコン基板１上の半導体動作層（チャネル層３と電子供給層４）を複数の半導体動作層領域に電気的に絶縁分離するイオン注入領域９が形成されている。例文帳に追加

An ion implantation region 9 for electrically insulating and isolating the semiconductor operation layers (channel layer 3 and electron supply layer 4) on the silicon substrate 1 into a plurality of semiconductor operation layers is formed. - 特許庁

このように、高濃度イオン注入のシリコン結晶のアモルファス化現象による影響を不純物拡散計算中に考慮することにより、半導体の製造プロセスをより正確にシミュレーションすることができる。例文帳に追加

As explained above, the manufacturing process of a semiconductor can be simulated more accurately by considering the effect on the phenomenon of making amorphous silicon crystals at the time of implanting high concentration ions when the impurity diffusion is calculated. - 特許庁

ＳＯＩ基板１００を用いたＳＯＩ構造の半導体装置において、活性層３となるシリコン基板に対してＡｒイオンを注入することにより格子歪み層４を形成する。例文帳に追加

In this semiconductor device of SOI structure using an SOI substrate 100, a lattice strain layer 4 is formed by injecting Ar ions into a silicon substrate acting as an active layer 3. - 特許庁

無欠陥層１３内の底部付近に、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つをイオン注入によって導入することで、ゲッタリング領域１４を形成する。例文帳に追加

Ions of at least one of oxygen(O), silicon(Si) and carbon(C) are introduced into the vicinity of a bottom in the non-defect layer 13 by ion implantation to form a gettering region 14. - 特許庁

Ｐウェル領域２が形成されたＮ型シリコン基板１上にフォトレジスト３を形成した後、イオン注入法により光電変換部（フォトダイオード）４を形成する。例文帳に追加

After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, a photoelectric conversion section (photodiode) 4 is formed by an ion implantation method. - 特許庁

半導体層１２に不純物イオンを注入し、その後、半導体層１２の上に約５００℃以下の温度で酸化シリコン等からなる絶縁膜１４を形成する。例文帳に追加

Impurity ions are implanted to the semiconductor layer 12, an insulation film 14 composed of silicon oxide or the like is formed on the semiconductor layer 12 at a temperature of about 500°C or lower. - 特許庁

イオン注入領域をパターン形成した感光性樹脂を除去する時に、シリコン基板を酸化させないことで、酸化による基板の削れを抑制する。例文帳に追加

To prevent a substrate from being shaved through oxidization by allowing a silicon substrate not to be oxidized when removing a photosensitive resin used for pattern formation of an ion implantation area. - 特許庁

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。例文帳に追加

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented. - 特許庁

また、水平転送レジスタ１３０では、トランスファ部のバリア層１３４を下層転送電極１３２のポリシリコン膜をセルフアラインとするイオン注入によって形成できる。例文帳に追加

In addition, the barier layer 134 in a transfer part is formed through ion implantation by which the polysilicon film of the lower-layer transfer electrode 132 is self-aligned, in the horizontal transfer register 130. - 特許庁

好ましくは、単結晶シリコン基板に対し、第１の熱処理を行なった後、表面層を所定量除去し、該除去された表面側から前記酸素イオン注入を行なう。例文帳に追加

The first thermal treatment is performed on the single crystal silicon substrate, a prescribed amount of a surface layer is removed, and the oxygen ions are implanted from the removed surface side. - 特許庁

シリコン基板に高純度イオンを注入した後、熱処理工程で形成された金属−シリサイドを含むショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky barrier tunnel transistor comprising a metal-silicide formed in an annealing process after implanting high-purity ions into a silicon substrate, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

絶縁層２上のｐ形シリコン層よりなる半導体層３の主表面側にしきい値電圧を制御するためのイオン注入を行う（図１（ａ））。例文帳に追加

On the main surface side of a semiconductor layer 3 composed of a p-type silicon layer on an insulation layer 2, ion implantation is conducted for controlling a threshold voltage (Figure 1 (a)). - 特許庁

シリコン基板１の表面に犠牲膜３を形成した後、レジストマスク１１を介して垂直な方向からイオン注入を行い、ローカルチャネル１４を形成する。例文帳に追加

After a sacrificial film 3 is formed on the surface of a silicon substrate 1, ions are implanted from a vertical direction through a resist mask 11 to form a local channel 14. - 特許庁

シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。例文帳に追加

A high concentration N type layer 3 is formed on the surface side of a silicon substrate 1 by implanting arsenic (or antimony) ions, and an epitaxial layer 4 is formed on the high concentration N type layer 3 by epitaxial growth. - 特許庁

その後、第一導電型の第二不純物をシリコン基板１０１にイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、ｎ型ソース・ドレイン領域１０９を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a second impurity of the first conductivity type is ion implanted into the silicon substrate 101 and flash lamp annealing is performed thereon, so that an n-type source-drain region 109 is formed. - 特許庁

シリコン単結晶基板１の主表面上の酸化膜２に対しイオン注入を行った後、該酸化膜２をウェットエッチングすることにより、パターン開口部２ａを形成する。例文帳に追加

By conducting wet etching to the oxide film 2, after performing ion implantation to the oxide film 2 on the primary surface of the silicon single-crystal substrate 1, the pattern opening 2a is formed. - 特許庁

その結果、埋め込みシリコン酸化膜を形成するための酸素イオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、重金属汚染ｃをなくすことができる。例文帳に追加

Consequently, heavy metal contamination (c) can be eliminated not only in the oxygen ion injection and its heat treatment for forming a buried silicon oxide film, but also in the heat treatment in the device process. - 特許庁

酸素イオンの注入後であって熱処理以前にシリコン基板を不活性ガス若しくは還元性ガス又は混合ガス雰囲気において１０００℃から１２８０℃の温度範囲で５分〜４時間の前熱処理を行う。例文帳に追加

Before the treat treatment after implanting oxygen ion, the silicon substrate is heat pretreated in a temperature range of 1,000-1,280°C in an inert gas, reductive gas or mixed gas atmosphere for 5 minutes to 4 hours. - 特許庁

レーザアニールを施した多結晶シリコン膜に対して、イオン注入処理を行なうことによって特定方位を有する種結晶を形成し、その後固相成長させることによって結晶配向を制御することが出来る。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film where laser annealing is made is subjected to ion implantation for forming a seed crystal having a specific orientation, and then solid-phase growth is made, thus controlling the crystal orientation. - 特許庁

ＮＭＩＳ領域を覆うレジストパターン２１を形成した後、ＰＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にボロンイオンを注入した後、拡散用の熱処理を行う。例文帳に追加

Further, after a resist pattern 21 that covers an NMIS region has been formed and the polysilicon germanium film 18 in the PMIS region has been implanted with boron ions, heat treatment for diffusion is conducted. - 特許庁

その後、ゲート電極１０２の側面にサイドウォール１０６を形成した後、シリコン基板１００に対してイオン注入を行なってソース・ドレイン領域１０５を形成した後、熱処理を実施する。例文帳に追加

Then a sidewall 106 is formed on the side face of the gate electrode 102, ions are injected to the silicon substrate 100 to form a source/drain area 105, and then heat treatment is performed. - 特許庁

シリコン等の半導体ウエハ１０の内部に第１の熱処理により酸素析出核１２を形成した後、ウエハ１０の表面層にＨ_２^＋からなる水素イオンを注入する。例文帳に追加

After an oxygen precipitated nucleus 12 is formed inside a semiconductor wafer 10 such as silicon or the like through a first heat treatment, hydrogen ion composed of H_2^+ is implanted into the surface layer of the wafer 10. - 特許庁

また、シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入した後、該基板を急速加熱処理し、その後高温熱処理を施すことを主工程とするＳＩＭＯＸ基板の製造方法である。例文帳に追加

In a method for manufacturing the SIMOX substrate, the oxide ion is implanted to the silicon mono-crystal substrate, and the quick heating treatment and high temperature heat treatment of the substrate is carried out in a main process. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19. - 特許庁

緑色感光層と赤色感光層をシリコン表面に形成されるアクティブピクセルセンサ回路に連結するための経路を作るために、イオン注入及びマスクの数を低減し、工程を単純化するようにする。例文帳に追加

To reduce the number of ion injection times and masks and simplify a step in order to create a path for connecting a green photosensitive layer and a red photosensitive layer with an active pixel sensor circuit formed on a silicon surface. - 特許庁

また、ダイヤフラム部４の形成時には、シリコン基板１の表面１Ａ側のうちダイヤフラム部４に対応する位置に高濃度のイオン注入部位を予め形成しておく。例文帳に追加

When the diaphragm portion 4 is formed, an injection portion of high concentration ion is previously formed at a position corresponding to the diaphragm portion 4 of the front surface 1A side of the silicon substrate 1. - 特許庁

ついで、デバイス形成領域２に形成されたエピタキシャル層と、ＰＣＭ形成領域３におけるシリコン基板とに、同条件で、同時期に、イオンを注入する。例文帳に追加

Furthermore, ions are implanted into the epitaxial layer formed in the device formation area 2 and a silicon substrate in the PCM formation area 3, at the same timing and under the same condition. - 特許庁

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。例文帳に追加

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching. - 特許庁

そして、貼り合わされた基板に衝撃力を付与し、水素イオン注入層１１に沿ってシリコン薄膜を単結晶Ｓｉのバルク部１３から剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を有するＳＯＩ基板を得る。例文帳に追加

Impact force is given to the bonded substrate, and a silicon thin film is separated from a bulk section 13 of a single crystal Si along the hydrogen ion implantation layer 11, thus obtaining the SOI substrate having the SOI layer 12 on the crystal substrate 20. - 特許庁

イオン注入により、ドレイン領域３と、ソース領域２とを形成し、これにより、３つのポリシリコン層６１−６３で構成されるチャネル領域６０が形成される。例文帳に追加

By implanting ions into the polysilicon layers 61, 63, a drain region 3 and a source region 2 are formed, and thereby, a channel region 60 comprising the three polysilicon layers 61-63 is formed. - 特許庁

Ｐ型Ｓｉ基板１上の高速用ＨＢＴの形成領域Ａに高濃度のリンイオンを注入した後、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化膜３を形成する。例文帳に追加

High-concentration phosphor ions are implanted into the formation area A of a high-speed HBT on a p-type Si substrate 1, and a silicon oxide film 3 is formed on the Si substrate 1. - 特許庁

縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子を製造するにあたり、レジストマスクを用いることなくシリコン基板１全面にイオン注入を行い、オーバーフローバリア層１１を形成する。例文帳に追加

When manufacturing a solid-state image pickup element having a vertical type overflow drain structure, ions are implanted on the entire surface of a silicon substrate 1 without using a resist mask to form an overflow barrier layer 11. - 特許庁

次に、コンタクトホール１０を介して、イオン注入し、ポリシリコン抵抗層４上に低抵抗領域１５ａ〜１５ｃ（高濃度に不純物が導入された領域）を形成する。例文帳に追加

Then, ions are implanted through the contact hole 10, and low resistance regions 15a-15c (regions where impurities are introduced in a high concentration) are formed on the polysilicon resistance layer 4. - 特許庁

シリコン単結晶からなる第二基板１の第一主表面Ｊ上の最表層にパターン形成用層２１を形成した後、第二基板１に対して剥離用イオン注入層４を形成する。例文帳に追加

After a pattern forming layer 21 is formed on the uppermost layer on a first main surface J of a second substrate 1 made of silicon single crystal, an ion implantation layer 4 for peeling is formed with respect to the second substrate 1. - 特許庁

この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。例文帳に追加

The light emitting material is formed on a semiconductor substrate in a form of the silicon nanostructure, ions of the group IVb, III-V or II-VI impurities are implanted into a surface of the substrate, and then the substrate is subjected to annealing processing. - 特許庁

酸素イオンが注入されるシリコン基板は、ボイド欠陥又はＣＯＰからなる結晶欠陥密度が１×１０^5ｃｍ^-3以上でありかつ結晶欠陥のサイズ分布の最大頻度が０．１２μｍ以下であることが好ましい。例文帳に追加

The oxygen ion-implanted silicon substrate has preferably a void defect or COP crystal defect density of ≥1×10^5 cm^-3, and a maximum frequency of ≤0.12 μm in the crystal defect size distribution. - 特許庁

レジストマスクＲ１を除去し、第１導電性膜５２上からｎ型不純物イオン（Ａｓ^＋）を注入することにより、シリコン基板４０の表層にＦＤ部１６を形成する（図５（Ｃ））。例文帳に追加

The FD portion 16 is formed in the surface layer of the silicon substrate 40 (Fig. 5(C)) by removing the resist mask R1 and implanting n-type impurity ions (As^+) from above the first conductive film 52. - 特許庁

Ｐウェル領域２が形成されたＮ型シリコン基板１上にフォトレジスト３を形成した後、イオン注入法によりＮ型領域４およびＰ型領域５を形成してフォトダイオードを形成する。例文帳に追加

After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, an n-type region 4 and a p-type region 5 are formed by an ion implantation method to form a photodiode. - 特許庁

多結晶シリコンの反射率を測定することにより、注入されたイオンにより非晶質となった半導体領域の深さ方向の結晶化率を精度良く非破壊で測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a non-destructive method for measuring in higher accuracy a crystallization ratio in the depth direction of a semiconductor region that has been changed to an amorphous region with implanted ions by measuring a reflectivity of a polycrystal silicon. - 特許庁

そして、前記イオン注入層２３を押込み酸化してｐ^-型不純物層２４を形成すると共に、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側表面にシリコン熱酸化膜２１ｂを形成する(Ｓ４ａ)。例文帳に追加

The ion implanted layer 23 is turned to a P--type impurity layer 24 by forced oxidation, and a silicon thermal oxide film 21b is formed on the surface of the cathode side of the substrate 45 (S4a). - 特許庁

従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide an evaluation method for accurate and simple measurement of lifetime of a silicon single-crystal wafer having an ion implantation layer or a diffusion layer formed, which has been conventionally considered to be impossible. - 特許庁