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PMISとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 術後心筋梗塞、ホスホマンノースイソメラーゼ
「PMIS」を含む例文一覧
該当件数 : 41件
Successively, a metal film EM1 for a gate electrode is formed on the cap film Cp1 for pMIS, and by processing these, a metal gate electrode pG1 for pMIS and a high dielectric gate insulating film pI1 for pMIS are formed.例文帳に追加
続いて、ｐＭＩＳ用キャップ膜Ｃｐ１上にゲート電極用金属膜ＥＭ１を形成し、これらを加工することでｐＭＩＳ用金属ゲート電極ｐＧ１とｐＭＩＳ用高誘電率ゲート絶縁膜ｐＩ１とを形成する。 - 特許庁
The active regions Rtn for NMIS and the active regions Rtp for PMIS are so laid out that the distances Dpn in the Y direction between the active regions Rtn for NMIS and the active regions Rtp for PMIS may be essentially a constant value.例文帳に追加
ＮＭＩＳ用活性領域ＲｔｎとＰＭＩＳ用活性領域ＲｔｐとのＹ方向における間隔Ｄｐｎは、実質的に一定値になるようにレイアウトされている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of simultaneously reducing the threshold voltages of an NMIS transistor and a PMIS transistor.例文帳に追加
ＮＭＩＳトランジスタとＰＭＩＳトランジスタの閾値電圧を同時に低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
Gate electrodes 6 and 7 formed of a polysilicon film is separated from each other through the intermediary of a side wall spacer 12S which fills up a gap 10 formed above an element isolation film 5S located at an interface between an NMIS region and a PMIS region, and is disposed in face to face with each other.例文帳に追加
ポリシリコン膜から成るゲート電極６，７は、NMIS領域とPMIS領域との境界に於ける素子分離絶縁膜５Ｓの上方に形成された空隙１０を埋め込むサイドウォールスペーサ部分１２Ｓを介して分離され、互いに対向し合っている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a practical CMISFET having a metal gate electrode suitable for nMIS and pMIS.例文帳に追加
ｎＭＩＳおよびｐＭＩＳに適したメタルゲート電極を有する実用的なＣＭＩＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁
Further, ion implantation in the first stress film N1a in the pMIS region Rp is carried out to reduce stress.例文帳に追加
その後、ｐＭＩＳ領域Ｒｐの第１応力膜Ｎ１ａにイオン注入３００を施すことで応力を緩和させる。 - 特許庁
Bit information of pre-coding matrix indicators (PMIs) to be assigned to pre-coding weights is adjusted to suppress the influence of a feedback error from a mobile station device, in a code book where the multiple pre-coding weights and PMIs to be assigned to the pre-coding weights are decided.例文帳に追加
プリコーディングウェイトと、このプリコーディングウェイトに割り当てられるＰＭＩ(Precoding Matrix Indicator)とを複数定めたコードブックにおいて、プリコーディングウェイトに割り当てられるＰＭＩのビット情報を、移動局装置からのフィードバックエラーによる影響を抑制するように調整したことを特徴とする。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「PMIS」の意味 |
PMIS
名詞
PMIS
- Initialism of project management information system.
- (uncountable) Initialism of pediatric multisystem inflammatory syndrome.
「PMIS」を含む例文一覧
該当件数 : 41件
To improve the current driving ability of a MIS (metal insulator semiconductor) transistor, especially a PMIS transistor by changing a layout without changing a semiconductor process.例文帳に追加
半導体プロセスを変更することなく、レイアウト変更によって、ＭＩＳトランジスタ、特にＰＭＩＳトランジスタの電流駆動能力を向上できるようにする。 - 特許庁
The extruding length of first extrusion 8 of the PMIS transistor 40 is longer than the extruding length of second extrusion 9 of the NMIS transistor 41.例文帳に追加
ＰＭＩＳトランジスタ４０の第１の突き出し部８の突き出し長さは、ＮＭＩＳトランジスタ４１の第２の突き出し部９の突き出し長さよりも長い。 - 特許庁
On a principal surface s1 of a silicon substrate 1, a gate electrode GEn for nMIS is formed in an nMIS region R, a gate electrode GEp for pMIS is formed in a pMIS region Rp, and an n-type source-drain region sdn and a p-type source-drain region sdp are formed by and below them, respectively.例文帳に追加
シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。 - 特許庁
A pMIS region is formed between a boundary BR extending in a direction X and passing through each of a plurality of standard cells Cff and a first peripheral edge OTp.例文帳に追加
ｐＭＩＳ領域は、方向Ｘに沿って複数のスタンダードセルＣｆｆの各々を通る境界ＢＲと、第１の外縁ＯＴｐとの間に形成されている。 - 特許庁
A part (22a) positioned on the NMIS region in the stressed insulating films (22, 22a) includes the tensile internal stress compared with the other part (22) positioned on the PMIS region (4).例文帳に追加
応力絶縁膜(22、22a)におけるＮＭＩＳ領域上に位置する部分(22a)は、ＰＭＩＳ領域(4)上に位置する部分(22)に比べて、引張の内部応力を有している。 - 特許庁
The gate potential of the NMIS transistor 3 can be kept lower than the potential of the power supply line 1 by the NMIS transistor 6 and PMIS transistor 7.例文帳に追加
この時、ＮＭＩＳトランジスタ６及びＰＭＩＳトランジスタ７によりＮＭＩＳトランジスタ３のゲート電位を電源ライン１の電位よりも低く抑えることができる。 - 特許庁
The SiGe_x region 24 in a PMIS region 140 contains p-type impurities at a relatively high concentration, and it is connected with the silicide 26.例文帳に追加
また、ＰＭＩＳ領域１４０におけるＳｉＧｅ_x領域２４は、比較的に高濃度のＰ型不純物を含んでおり、シリサイド２６と電気的に接続されている。 - 特許庁
To make optimum, in a PMIS transistor and an NMIS transistor, a current driving capability of transistors constituting a semiconductor circuit device by the alteration of a layout.例文帳に追加
レイアウト変更によって半導体回路装置を構成するトランジスタの電流駆動能力をＰＭＩＳトランジスタ及びＮＭＩＳトランジスタでそれぞれ最適化できるようにする。 - 特許庁
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