「イオン注入ダメージ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

これにより導電層１８の下の領域のイオン注入ダメージが減少する。例文帳に追加

By this setup, a region located under conductive layer 18 is less damaged by implantation of ions. - 特許庁

ダメージ層３５とは、注入イオンによる格子欠損などが生じた部分である。例文帳に追加

The damage layer 35 is a part where a lattice failure, etc., takes place dug to implanted ion. - 特許庁

表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implantation amount measuring apparatus capable of highly accurately measuring an ion implantation amount in a semiconductor subjected to ion implantation into a surface layer by a comparatively simple constitution without damaging the semiconductor. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。例文帳に追加

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11. - 特許庁

被処理基板に正電荷のイオン注入の際、被処理基板にチャージアップダメージが発生しにくいイオン注入装置およびイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method, capable of preventing a charge-up damage from being easily generated on a substrate to be processed in implanting positive charge ions into the substrate to be processed. - 特許庁

イオン注入のダメージに起因する結晶欠陥の発生を防止することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus preventing crystal defects caused by damage in ion implantation, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

イオン注入の際にゲート電極又はコントロールゲートへのダメージを減少させた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To reduce damage to a gate electrode or a control gate when implanting an ion. - 特許庁

次に、スルー酸化膜にアルゴンのイオン注入を行い、ダメージが導入されたスルー酸化膜１３を形成する。例文帳に追加

Then, argon ions are implanted into the through-oxide film 12 for the formation of a through-oxide film 13 where damages are introduced. - 特許庁

イオン注入ダメージを受けない改善された品質と特性とを有する集積回路コンデンサを提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit capacitor which is not damaged by implantation of ions and is improved in quality and characteristics. - 特許庁

注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon wafer capable of effectively and efficiently removing an injection damage while suppressing the diffusion of an injected ion. - 特許庁

ＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板（１０）に酸素イオンをイオン注入した際に結晶欠陥最大となるダメージピークの深さ位置に中心を有するＳｉＯ_2膜（２３０）を有する。例文帳に追加

A SOI substrate has an SiO2 film 230 the center of which is positioned to the depth of the damage peak at which crystal defects become the maximum when oxygen ions are implanted into an Si substrate 10. - 特許庁

トレンチ１１内に均一に厚いシリコン酸化膜３を形成させた後、Ａｒなどのイオンを斜めイオン注入によるシャドーイングを利用してトレンチ側壁のシリコン酸化膜に選択的に注入ダメージ領域３１を導入する。例文帳に追加

After forming a thick silicon oxide film 3 uniformly inside the trench 11, an ion-implanted damage region 31 is selectively introduced into the silicon oxide film on the side wall of the trench using shadowing by inclined ion implantation of ions such as Ar ions. - 特許庁

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。例文帳に追加

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together. - 特許庁

マスクパターンをマスクとして、絶縁膜のうちマスクパターンで覆われていない部分にイオンを注入することにより、絶縁膜にダメージを与える。例文帳に追加

With the mask pattern as a mask, ion is injected to a part which is not covered with the mask pattern in the insulating film to damage the insulating film. - 特許庁

バッファ層２２により、スパッタ法あるいはイオンプレイティング法による電子注入電極２４の形成時に有機発光層１６等へダメージが及ぶことを防止できる。例文帳に追加

When forming the electron injection electrode 24 by a sputtering method or an ion plating method, damages can be prevented from spreading to the organic luminescent element 16 or the like by the buffer layer 22. - 特許庁

基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and heat treatment apparatus for performing both activation of implanted ions and recovery of an introduced defect without damaging a substrate. - 特許庁

水素イオン注入により、ガラス基板１、２１内の約深さ７３μmから約７８μmまでの間の領域にのみ、ダメージ層３２が形成される。例文帳に追加

A damage layer 32 is formed only in a region ranging from a depth of nearly 73 μm to that of nearly 78 μm inside each of the glass substrates 1, 21 by the hydrogen ion implantation. - 特許庁

基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストを良好に剥離（除去）することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate processing method by which a resist used as a mask at ion implantation is well separated (removed) without damaging a substrate, and also to provide a substrate processing device. - 特許庁

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、イオン注入に起因する絶縁膜の初期欠陥やダメージを低減させて歩留まりを向上させること。例文帳に追加

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing initial defects and damage on an insulation layer caused by an ion implantation. - 特許庁

基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストなどの有機物を良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device capable of satisfactorily removing an organic material such as a resist used as a mask at the time of ion implantation without giving damage to a substrate. - 特許庁

例えばイオン注入法やサンドブラスト法によってウェーハ１のエッジ部１Ａの単結晶性を崩すことにより、当該ウェーハエッジ部１Ａの表層にダメージ層１１を形成する。例文帳に追加

For example, the single crystallinity of the edge 1A of a wafer 1 is destroyed through ion implantation or sand blasting to form a damage layer 11 on the surfacial layer of the wafer edge 1A. - 特許庁

イオン注入によりレジスト硬化層が形成されたレジストを、下地層にダメージを与えずに除去することが可能なレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist-removing apparatus and its method for removing resist, even when a resist cured layer is formed through ion implantation. - 特許庁

これにより、ソース／ドレイン拡散層１６の活性化拡散がなされると共に、先のイオン注入工程におけるゲート酸化膜１４のダメージが緩和される。例文帳に追加

Thus, a source/drain diffusion layer 16 is diffused so as to activate, and also damages to the gate oxide film 14 are relaxed in a preceding ions implantation process. - 特許庁

ＳｉとＣとを含む半導体層を活性領域とする半導体素子を製造する方法において、半導体層内へのイオン注入層の表面部を新たなダメージを与えずに除去する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means for removing the surface part of an ion implantation layer in a semiconductor layer without causing new damage in a method for manufacturing a semiconductor device possessed of the semiconductor layer containing Si and C and serving as an active region. - 特許庁

ソース領域の下部に入り込ませるコンタクト領域の濃度を濃くする場合に、イオン注入のダメージによる結晶欠陥を抑制できるようにすると共に、半導体装置の動作しきい値Ｖｔが変動することを防止する。例文帳に追加

To suppress a crystal defect caused by damage by ion implantation and preventing the fluctuation of an operation threshold Vt of a semiconductor device when the density of a contact region inserted into a lower part of a source region is increased. - 特許庁

高低2種類のしきい値のＭＯＳトランジスタで構成するマスクＲＯＭを内蔵した半導体装置においてしきい値イオン注入ダメージによるゲート酸化膜の信頼性劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress the deterioration of a gate oxide film due to threshold ion implantation damage in a semiconductor device incorporating a mask ROM that is composed by two kinds MOS transistors with high and low thresholds. - 特許庁

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。例文帳に追加

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation. - 特許庁

III族窒化物半導体基板の主面にイオン注入する際に、当該主面がダメージを受けにくい貼り合わせ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a laminated substrate, which, when implanting ions on the major surface of a group III nitride semiconductor substrate, hardly damages the major surface. - 特許庁

不純物拡散を抑制しつつ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a bipolar transistor wherein the device characteristics of the transistor are not deteriorated, while impurity diffusion in the layers in the transistor is inhibited, and moreover by the generation of damage to the transistor due to an ion implantation into the layers or the like. - 特許庁

基板の表面に形成されているレジスト（とくに、イオン注入によって表面に硬化層が形成されているレジスト）を、基板表面の酸化膜などにダメージを与えることなく良好に除去する。例文帳に追加

To provide a device and a method for treating substrate, by which a resist (particularly, a resist having a cured layer formed on its surface by ion implantation) formed on the surface of a substrate can be removed satisfactorily, without giving damages to the oxidized film formed on the surface of the substrate. - 特許庁

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。例文帳に追加

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield. - 特許庁

単結晶ＳｉＣ基板１１の表面に対して水素イオンを注入して所定深さの位置にダメージ層１２を形成したのち、ダメージ層１２を形成しておいた単結晶ＳｉＣ基板１１とＳｉＣの微細粉末１３を加熱加圧することで、焼結体１を形成すると共に、焼結体１を単結晶ＳｉＣ基板１１に一体化させる。例文帳に追加

A damage layer 12 is formed at a position of desired depth to implant hydrogen ions toward a surface of the single crystal SiC substrate 11, then the single crystal SiC substrate 11 in which the damage layer 12 is formed, and fine powder 13 of SiC is heated and compressed to form a sintered body 1 and integrate the sintered body 1 with the single crystal SiC substrate 11. - 特許庁

また、前記ＳＯＩ層表面に水素イオンを注入する工程と第１の熱処理の後に、酸化性雰囲気および／または還元性雰囲気で第２の熱処理を施すことをにより薄膜化処理により生じたダメージ層の除去および薄膜化処理により生じたダメージ層の再結晶化および表面ラフネスの改善をすることができる。例文帳に追加

Further, a 2nd heat treatment in an oxidizing atmosphere and/or a reducing atmosphere after the stage of injecting hydrogen ions into the surface of the SOI layer and the 1st heat treatment is performed to remove a damage layer formed as a result of the film thinning processing, recrystallize the damage layer, and improve surface roughness. - 特許庁

更に、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面１３に沿ってＳｉＧｅエピタキシャル膜の剥離を行ってＳｉＧｅ薄膜１４を得、さらにこのＳｉＧｅ薄膜１４の表面に最終表面処理（ＣＭＰ研磨等）を施して水素イオン注入起因のダメージを除去する。例文帳に追加

Further, an external impact is applied onto a bonding interface, the SiGe epitaxial film is separated along a hydrogen ion implantation interface 13 to obtain an SiGe thin film 14, and further a surface of the SiGe thin film 14 is subjected to final surface treatment (CMP polishing, or the like) to remove damage caused by hydrogen ion implantation. - 特許庁

ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。例文帳に追加

After growing GaAs in which Sn is doped by a liquid phase growth method, Ni is doped into the GaAs by an ion injection method, then, a heat processing is applied to the GaAs to remove the damage caused by the ion injection method, thereby producing Ni-Sn doped GaAs phosphor having the good light-emitting property of donor-acceptor pair. - 特許庁

絶縁性基板上に、接着剤を用いないで単結晶シリコン集積回路を作製すると共に、単結晶シリコン集積回路の活性領域が水素イオン注入等のダメージを受けず、素子本来の特性を十分に発揮することのできる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where a single crystal silicon integrated circuit is made on an insulating substrate without an adhesive, an active area does not receive damage due to a hydrogen ion implantation etc., and the proper characteristic of the device can be sufficiently shown. - 特許庁

シリコン基板の表面へのダメージが少なく、しかもドライエッチング工程やイオン注入工程を経たフォトレジスト、フォトレジストを酸素プラズマで処理した後に生じる残渣物の剥離性能に優れたフォトレジスト剥離剤を提供する。例文帳に追加

To provide a photoresist release agent causing little damage to the surface of a silicon substrate and having excellent striping performance for a photoresist subjected to a dry etching process or an ion implantation process or for a residue produced after the oxygen plasma treatment of a photoresist. - 特許庁

上部電極形成時のスパッタに与えられる有機ＥＬ発光層のダメージを抑制し、かつ上部電極の仕事関数と正孔注入層のイオン化ポテンシャルとを適合させることが可能な構造を有する有機ＥＬ発光素子およびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide an organic EL element with a structure in which damage to an organic EL layer inflicted by the sputter at the time of formation of the upper electrode is suppressed and the work function of the upper electrode and ionization potential of the hole injecting layer can be made compatible. - 特許庁

基板上の拡散層上に形成した第１導電膜にリンイオンを注入して、その表面部にダメージ層を形成した後、その上に形成したレジスト膜をマスクにしてパターニングして第１導電膜９Ｂを形成する。例文帳に追加

Phosphorus ions are implanted to a first conductive film formed on the diffusion layer on a substrate, and a damaged layer is formed on the surface part, and then patterning is performed with a resist film formed thereon as a mask, thereby forming a first conductive film 9B. - 特許庁

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、蓄積容量の下部電極において必要な比抵抗値を確保しながらイオン注入に起因する蓄積容量の絶縁膜へのダメージを低減させて歩留まりを向上させること。例文帳に追加

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing damage on an insulation layer of storage capacitance caused by an ion implantation while maintaining necessary specific resistance on the lower electrode of the storage capacitance. - 特許庁

これにより、電極６の周囲にｎ型半導体領域７を形成するイオン注入の際に電極６の端部に生じたダメージによる、電極６の端部における電界集中を緩和して異常なリーク電流の発生を抑える。例文帳に追加

According to this method, field concentration in the end of the electrode 6 due to a damage generated in the end of the electrode 6 upon pouring ion for forming an n-type semiconductor region 7 around the electrode 6 is mitigated and the generation of abnormal leakage current is suppressed. - 特許庁

半導体ウェハーＷの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができるため、半導体ウェハーＷに熱的なダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる。例文帳に追加

While the surface of the semiconductor wafer W is held at a nearly constant processing temperature T2, even a position a little deeper than the surface is raised in temperature to some extent, so the activation of implanted ions and the recovery of an introduced defect are both achieved without thermally damaging the semiconductor wafer W. - 特許庁

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。例文帳に追加

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus. - 特許庁