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意味・対訳 再結晶する

ライフサイエンス辞書での「recrystallize」の意味

recrystallize

再結晶する


「recrystallize」を含む例文一覧

該当件数 : 24



例文

The semiconductor substrate is heat-treated to recrystallize the region, into which the impurity for forming strain has been injected (d).例文帳に追加

(d)半導体基板を熱処理し、歪形成用の不純物が注入された領域を再結晶化させる。 - 特許庁

Next, the thermal treatment step is executed to recrystallize the amorphized area of the defective semiconductor crystal material.例文帳に追加

次いで、この欠陥性半導体結晶材料のアモルファス化領域を再結晶させるために熱処理ステップを実施する。 - 特許庁

Then a heat treatment is carried out to recrystallize the amorphous layer 12 into n-type silicon carbide 13 of cubic single crystal.例文帳に追加

次に、熱処理することで、アモルファス層12を立方晶単結晶のn型炭化珪素13に再結晶化させる。 - 特許庁

To stably obtain an expected core-loss reducing effect by displaying the core-loss reducing effect to the maximum with quick-heating when a primary recrystallize-annealing is applied.例文帳に追加

一次再結晶焼鈍時の急速加熱による鉄損低減効果を最大限発揮させることにより、所期した鉄損低減効果を安定して発現させる。 - 特許庁

Then, the target region 3 and the peripheral amorphous silicon region 5 are irradiated with a laser beam, so that the crystal grain of the target region 3 is made to melt and recrystallize.例文帳に追加

その後、ターゲット領域3および周囲非晶質珪素領域5にレーザ光を照射して、ターゲット領域3の結晶粒を溶融再結晶化させる。 - 特許庁

A silicon layer 3 is formed on an underlying layer 2 formed on a substrate 1 and then annealed to recrystallize the layer 3, whereby a device-forming layer is obtained.例文帳に追加

基板1上に成膜された下地層2上にシリコン層3を堆積した後、これをアニール処理し、シリコン層3を再結晶化させることでデバイス形成層を得る。 - 特許庁

例文

According to this method, the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers recrystallize into zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having spiniform branches, and a boron nitride film grows on their surfaces.例文帳に追加

硫化亜鉛双晶ナノウィスカーが再結晶化して、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーになると共に、この表面に窒化ホウ素膜が成長する。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「recrystallize」の意味

recrystallize


「recrystallize」を含む例文一覧

該当件数 : 24



例文

The method further includes an intermediate heating process (c) of heating the metal wire in a condition where a metal constituting the metal wire does not recrystallize between the process (a) and the process (b).例文帳に追加

前記工程(a)と前記工程(b)との間で、前記金属線を構成する金属が再結晶しない条件で、前記金属線を加熱する中間加熱工程(c)をさらに備えている。 - 特許庁

Therein, the recrystallize-annealing is applied either before applying a first annealing-separation agent or after applying the first annealing-separation agent and before batch annealing.例文帳に追加

ここで、再結晶焼鈍は、第1の焼鈍分離剤の塗布の前に施すか、あるいは前記第1の焼鈍分離剤の塗布の後であってバッチ焼鈍の前に施すかのいずれかである。 - 特許庁

The method for crystallizing IGF-1 is to mix an IGF-1-containing aqueous solution with a precipitant-containing reservoir solution, crystallize the produced mixture, and optionally recrystallize, to isolate the crystalline IGF-1.例文帳に追加

IGF−1を含む水溶液を、沈殿剤を含むリザーバ液と混合し、生成した混合物を結晶化、場合によっては再結晶化を行い分離する、IGF−1の結晶化方法。 - 特許庁

Further, an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 100 milliseconds to recrystallize the semiconductor layer having been made amorphous, thereby forming a diffusion region of the dopant impurity in the semiconductor layer.例文帳に追加

次いで、0.1ミリ秒〜100ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 - 特許庁

The method disclosed includes (i) ion implantation to create a thin amorphization layer, (ii) deposition of a high stress film on the amorphization layer, (iii) a thermal anneal to recrystallize the amorphization layer, and (iv) removal of the high stress film.例文帳に追加

(i)薄いアモルファス化層を生成するためのイオン注入と、(ii)アモルファス化層上への高応力膜の堆積と、(iii)アモルファス化層を再結晶させるための熱アニールと、(iV)高応力膜の除去とを含む。 - 特許庁

Further, the method includes a process of forming an ingot 2 by performing zoning from the terminal end A2 toward the starting end A1 in pulling of the formed ingot 1 by a floating zone method (FZ method) to recrystallize the ingot 1.例文帳に追加

また、フローティングゾーン法(FZ法)により、形成されたインゴット1の引き上げの終端A2から引き上げの初端A1に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット2を生成する工程を備える。 - 特許庁

To solve the problem that storage stability and discharge stability are deteriorated owing to the generation of large particles and the like, because, when solubility of a pigment to a solvent is highly dependent on temperature, the dissolved component tends to recrystallize.例文帳に追加

液溶媒に対する顔料溶解量の温度依存性が強くなると、溶解した成分の再結晶化が起こりやすくなるため、粗大粒子の発生などにより保存安定性や吐出安定性が劣化する原因となる。 - 特許庁

例文

To obtain an excellent hot dip metal coating property by securing the sufficient internal oxidized layer regardless of component composition of steel and producing history and even in the case of using a radiating tube heating, such as radiant tube to a recrystallize-annealing before the hot dip coating treatment.例文帳に追加

鋼の成分組成や製造履歴を問わず、また溶融めっき処理前の再結晶焼鈍にラジアントチューブ等の輻射式加熱を用いた場合であっても、十分な内部酸化層を確保して優れた溶融めっき性を得る。 - 特許庁

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