sputtering yieldとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor substrate holder capable of enhancing a manufacturing yield in a sputtering process of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のスパッタリング処理における歩留まりを向上させることができる半導体基板保持装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming method which causes an adequate nitriding reaction, is suitable for producing a nitride thin film, and forms a film at a high sputtering yield and at a high film-forming speed.例文帳に追加

窒化反応が良好で窒化物薄膜の生成に適し、かつ、スパッタリングイールドが高く成膜速度が高い成膜を行う。 - 特許庁

To provide a target for sputtering in which the structure of crystal orientation is improved, thus the uniformity of a film upon sputtering is made satisfactory, the quality of sputtering film deposition is improved, and further, a production yield can be remarkably improved, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a target for sputtering capable of ameliorating the texture of crystal orientation of the target, of improving the uniformity of a film when sputtering is carried out, and of enhancing the quality of sputtering deposition and greatly improving the yield of manufacturing and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can deposit a sputtered film having an excellent uniformity in a film thickness distribution on a wafer without increasing the cost and size of the sputtering apparatus, and further without reducing the reliability and yield of a product, and to provide a sputtering method using the same.例文帳に追加

スパッタ装置を高コスト化・大型化させることなく、さらには製品の信頼性や歩留りを低下させることなく、ウェーハ上に膜厚分布の均一性の優れたスパッタ膜を形成することができるスパッタ装置及びそれを用いたスパッタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method carrying out sputtering process in a correction part in a circuit in an intended process shape without reducing processing yield.例文帳に追加

加工歩留まりを低下させることなく、回路修正個所におけるスパッタ加工を意図した加工形状にて行うことのできるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target material with which a W target having a uniform particle size can be obtained, thereby particles and the reduction of sheet resistance value at the time of sputtering are reduced, and the productivity and yield in products can be remarkably improved.例文帳に追加

均一な粒径のＷターゲットが得られ、それによりスパッター時のパーティクルやシート抵抗値が低下し、製品生産性並びに歩留を顕著に向上し得るスパッターリングターゲット材を提供すること。 - 特許庁

This ECR sputtering method attains an excellent nitriding reaction and a high sputtering yield by irradiating a substrate with plasma originating from a sputter target, simultaneously ionizing reactive gases such as nitrogen gas and irradiating the substrate with ions of the ionized reactive gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタにおいて、スパッタターゲットのプラズマを基板に照射するとともに、窒素ガス等の反応性ガスをイオン化し、このイオン化した反応性ガスイオンを基板に照射することによって、窒化反応を良好なものとするとともに、高いスパッタリングイールドを得る。 - 特許庁