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「sputter out」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
In copper deposition processes, a sputter etching process 162 of deposited copper whose deposition is carried out in a same sputter chamber is performed following a sputter deposition process 160 of copper.例文帳に追加
同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング162が、銅のスパッタ堆積160の後に続いて実行される。 - 特許庁
Sputter etching is applied to a reflector layer or a dielectric layer formed between the base and the recording layer, and another sputter etching is carried out on the surface of the recording layer laminated on it.例文帳に追加
基板と記録層の間に形成された反射膜層又は誘電体層の表面にスパッタエッチングを行い、さらにその上に積層する記録層の表面にもスパッタエッチング処理を施す。 - 特許庁
It is preferable that the mixed gas further contains BCl3 66 so that sputter-etching by boron ion can be carried out.例文帳に追加
ガス混合物は、ホウ素イオンによるスパッタエッチングが行われるように、更にBCl_366を含むことが好ましい。 - 特許庁
Recessed shape processing (recess-shaped sputter etching) using a converged ion beam is carried out along the width of the supercondcutvie film 210.例文帳に追加
超電導膜210の幅方向に集束イオンビームによる凹形加工(凹形スパッタエッチング)を行う。 - 特許庁
Then, a metal film 64 containing bias sputter copper is formed on the plated copper film 62 so that the other part of the wiring groove is buried, and heat treatment is carried out.例文帳に追加
次いで、めっき銅膜62上に、配線溝の他の部分を埋め込むようにバイアススパッタ銅含有金属膜64を形成し、熱処理を行う。 - 特許庁
To provide an ion implanting device in which ion implantation by a large area ion beam can be carried out in a large-scale substrate, uniformity of ion beam is controllable, there is no occurring of a sputter by the ion beam, and which can prevent adverse effect by a sputter.例文帳に追加
大面積イオンビームにより大型の基板にイオン注入を行うことができ、イオンビームの均一性を制御可能であり、かつイオンビームによるスパッタの発生がなく、スパッタによる悪影響を防止することができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
At this time, sputter-depositing the lower electrode 7 and the upper electrode 9 is carried out from an obliquely upward direction to the upper face of the substrate 1, while making a shadow portion where the deposition is not carried out in the portion of the trench 2a.例文帳に追加
このとき、下部電極7及び上部電極9を、基板1の上面に対して斜め上方向からスパッタして成膜することで、溝2aの部分に成膜されない影の部分を作りながら行う。 - 特許庁
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「sputter out」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
The shoulder of a portion of the silicon oxide film 30 covering a side wall spacer 14 in the silicide region is removed by carrying out sputter etching in the state.例文帳に追加
この状態でスパッタエッチングを行うことにより、シリサイド領域におけるシリコン酸化膜30のうちサイドウォールスペーサ14を覆う部分の肩部を除去する。 - 特許庁
Since SiO_2 is employed as the material of a guide ring 9, O_2 atoms out of the SiO_2 subjected to sputter etching with Ar ions contributes to etching at the end portion of a body 6 to be etched thereby raising etching rate at the end portion.例文帳に追加
ガイドリング9の材質をSiO_2にすることにより、ArイオンによりスパッタエッチングされたSiO_2のうちのO_2原子が被エッチング体6の端部のエッチングに寄与し、端部のエッチング速度を上げることができる。 - 特許庁
Further, the unevenness is formed in the via hole even by the processing using the excimer laser, and a sputter layer is not uniform, so seed plating 11 on the via hole is carried out.例文帳に追加
更に、エキシマレーザで加工してもビアホール内部に凹凸が出来、スパッタ層が均一にされないため、ビアホールにシードめっき11を施す。 - 特許庁
Machining is carried out after control of the hardness Hv of the sputter surface to ≥20, to suppressed the development of surface defects due to working and to prevent abnormal discharges.例文帳に追加
スパッタ面側の硬度をHv20以上に調整した後、機械加工を行なうことにより、加工に伴なう表面欠陥の発生を抑制し、異常放電の発生を防ぐ。 - 特許庁
To provide a radiation system which has a large turnout, and radiates a reduced out-of-band radiation amount and a reduced amount of high-speed particles which may possibly sputter downstream matters.例文帳に追加
大きな生産高を有し、低減された量の帯域外放射、及び、下流の物体をスパッタする可能性がある高速粒子の低減された量を発生できる放射システムを提供すること。 - 特許庁
To provide a understructure of an elevator car on hydraulic system capable of suppressing sputter of the water having flowed out onto the bottom surface of the car floor and establishing the waterproofing measure for a hydraulic jack at a low cost and with easy mounting works.例文帳に追加
かご床底面に流れ出た水分の飛散を抑制し、油圧ジャッキの防水対策を安価で取付けが容易に行なえる油圧式エレベーターのかご下構造の提供。 - 特許庁
The manufacturing method of this lithium secondary battery electrode comprises a process of forming an oxidation film 11 by carrying out oxidation treatment on the surface of a current collector 10 made of copper and then a process of forming an active material layer 12 made of Si on the current collector 10 by using a sputter method.例文帳に追加
このリチウム二次電池用電極の製造方法は、銅からなる集電体10の表面を酸化処理することによって、酸化膜11を形成する工程と、その後、スパッタ法を用いて、集電体10上に、Siからなる活物質層12を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁
The lower electrode arranged with a substrate 19 is applied with an rf electric current such as MF, HF or VHF so that negative self-bias voltage is generated on the lower electrode for taking out ionized sputter atoms filling a contact hole on the surface of the substrate.例文帳に追加
基板19が配置される下部電極は、基板の表面上のコンタクトホールを満たすイオン化されたスパッタ原子を取り出すため、下部電極上に負の自己バイアス電圧を生成するようにMF,HFまたはVHFのrf電流が与えられる。 - 特許庁
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