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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 機械工学英和和英辞典 > エネルギーバンドの英語・英訳 

エネルギーバンドの英語

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英訳・英語 energy band


機械工学英和和英辞典での「エネルギーバンド」の英訳

エネルギーバンド


「エネルギーバンド」を含む例文一覧

該当件数 : 70



例文

第2のエネルギーバンドのバンド幅は、第1のエネルギーバンドのバンド幅よりも大きい。例文帳に追加

The band width of the second energy band is larger than the band width of the first energy band. - 特許庁

上記基板は第1エネルギーバンドギャップを有している。例文帳に追加

The substrate has a first energy band gap. - 特許庁

上記第2半導体膜は、第1エネルギーバンドギャップよりも大きな第2エネルギーバンドギャップを有している。例文帳に追加

The second semiconductor film has a second energy band gap larger than the first energy band gap. - 特許庁

また前記超格子は、共通のエネルギーバンド構造を有しても良い。例文帳に追加

In addition, the superlattice may have a common energy band structure. - 特許庁

N型AlGaAsバッファ層5は、ストライプ状の凸部3のN型GaAsバッファ層4のエネルギーバンドギャップEg2とN型AlGaAs下部クラッド層6のエネルギーバンドギャップEg3との中間のエネルギーバンドギャップEg1を有する。例文帳に追加

The buffer layer 5 has an energy band gap Eg 1 that serves as an intermediate between the energy band gap Eg2 of an n-type GaAs buffer layer 4 of the convex portion 3 and the energy band gap Eg3 of the clad layer 6. - 特許庁

第1上部クラッド層106aのエネルギーバンドギャップEg(106a)は、第2上部クラッド層106bのエネルギーバンドギャップEg(106b)より大きく、かつ、第1上部クラッド層106a及び第2上部クラッド層106bのエネルギーバンドギャップが活性層105のエネルギーバンドギャップEg(105)より大きい。例文帳に追加

An energy band gap Eg (106a) in the first upper clad layer 106a is larger than an energy band gap Eg (106b) in the second upper clad layer 106b, and each of the energy band gaps of the first upper clad layer 106a and the second upper clad layer 106b is larger than an energy band gap Eg (105) in the active layer 105. - 特許庁

例文

エミッタ層70はベース層60よりも大きなエネルギーバンドギャップを有している。例文帳に追加

The emitter layer 70 has an energy band gap, which is larger than that of the base layer 60. - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「エネルギーバンド」の英訳

エネルギーバンド


日英・英日専門用語辞書での「エネルギーバンド」の英訳

エネルギーバンド


Weblio専門用語対訳辞書での「エネルギーバンド」の英訳

エネルギーバンド

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「エネルギーバンド」を含む例文一覧

該当件数 : 70



例文

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF RAISING ENERGY BAND GAP OF CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING CHARGE TRAP MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE HAVING HIGH ENERGY BAND GAP - 特許庁

本発明のキャパシタ構造では、面方向の運動量が一致しないエネルギーバンドが存在するため、このエネルギーバンドが関与するキャリアの透過による電流を抑制することができる。例文帳に追加

In the capacitor structure, since an energy band in which momentums in plane directions do not coincide with each other exists, a current by the transmission of the carrier concerning the energy band is suppressed. - 特許庁

コンタクト層のエネルギーバンドギャップは少なくとも光電変換層のエネルギーバンドギャップより大きく、また、コンタクト層は光電変換層と格子整合している。例文帳に追加

An energy band gap of the contact layer is greater than at least that of the photoelectric conversion layer, and the contact layer is lattice-matched with the photoelectric conversion layer. - 特許庁

第二の領域は、前記光の表皮深さの2倍よりも薄く、エネルギーバンド121を備えた膜152を含み、エネルギーバンド121においてキャリアはエネルギー緩和される。例文帳に追加

The second region includes a film 152 which is thinner than the two times of the skin depth of the rays of light, and equipped with an energy band 121, and the carries are subjected to energy relaxation in the energy band 121. - 特許庁

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of raising the energy band gap of a crystalline aluminum oxide layer, and a method of manufacturing a charge trap memory device provided with a crystalline aluminum oxide layer having a high energy band gap. - 特許庁

第3の半導体のエネルギーバンドギャップは第1及び第2の半導体に比較して狭いものとされる。例文帳に追加

The energy band gap of the third semiconductor is narrower than those of the first and second semiconductors. - 特許庁

金属酸化物膜内に、エネルギーバンドギャップが5.0eV以上である透明薄膜を有していてもよい。例文帳に追加

The conductive film may have a transparent thin film having an energy band gap of 5.0 eV or more in the metal oxide film. - 特許庁

例文

これにより、結晶化されたアルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップは、7.0eVより大きい。例文帳に追加

Thus, the energy band gap of the crystallized aluminum oxide layer is not less than 7.0 eV. - 特許庁

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