「エネルギーバンド」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第１上部クラッド層１０６ａのエネルギーバンドギャップＥｇ（１０６ａ）は、第２上部クラッド層１０６ｂのエネルギーバンドギャップＥｇ（１０６ｂ）より大きく、かつ、第１上部クラッド層１０６ａ及び第２上部クラッド層１０６ｂのエネルギーバンドギャップが活性層１０５のエネルギーバンドギャップＥｇ（１０５）より大きい。例文帳に追加

An energy band gap Eg (106a) in the first upper clad layer 106a is larger than an energy band gap Eg (106b) in the second upper clad layer 106b, and each of the energy band gaps of the first upper clad layer 106a and the second upper clad layer 106b is larger than an energy band gap Eg (105) in the active layer 105. - 特許庁

エミッタ層７０はベース層６０よりも大きなエネルギーバンドギャップを有している。例文帳に追加

The emitter layer 70 has an energy band gap, which is larger than that of the base layer 60. - 特許庁

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF RAISING ENERGY BAND GAP OF CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING CHARGE TRAP MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE HAVING HIGH ENERGY BAND GAP - 特許庁

本発明のキャパシタ構造では、面方向の運動量が一致しないエネルギーバンドが存在するため、このエネルギーバンドが関与するキャリアの透過による電流を抑制することができる。例文帳に追加

In the capacitor structure, since an energy band in which momentums in plane directions do not coincide with each other exists, a current by the transmission of the carrier concerning the energy band is suppressed. - 特許庁

コンタクト層のエネルギーバンドギャップは少なくとも光電変換層のエネルギーバンドギャップより大きく、また、コンタクト層は光電変換層と格子整合している。例文帳に追加

An energy band gap of the contact layer is greater than at least that of the photoelectric conversion layer, and the contact layer is lattice-matched with the photoelectric conversion layer. - 特許庁

第二の領域は、前記光の表皮深さの2倍よりも薄く、エネルギーバンド121を備えた膜152を含み、エネルギーバンド121においてキャリアはエネルギー緩和される。例文帳に追加

The second region includes a film 152 which is thinner than the two times of the skin depth of the rays of light, and equipped with an energy band 121, and the carries are subjected to energy relaxation in the energy band 121. - 特許庁

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of raising the energy band gap of a crystalline aluminum oxide layer, and a method of manufacturing a charge trap memory device provided with a crystalline aluminum oxide layer having a high energy band gap. - 特許庁

第３の半導体のエネルギーバンドギャップは第１及び第２の半導体に比較して狭いものとされる。例文帳に追加

The energy band gap of the third semiconductor is narrower than those of the first and second semiconductors. - 特許庁

金属酸化物膜内に、エネルギーバンドギャップが５．０ｅＶ以上である透明薄膜を有していてもよい。例文帳に追加

The conductive film may have a transparent thin film having an energy band gap of 5.0 eV or more in the metal oxide film. - 特許庁

これにより、結晶化されたアルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップは、７．０ｅＶより大きい。例文帳に追加

Thus, the energy band gap of the crystallized aluminum oxide layer is not less than 7.0 eV. - 特許庁

キャリア濃度が低く、ホール移動度が高く及びエネルギーバンドギャップが大きい結晶酸化物半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal oxide semiconductor having a low carrier concentration, a high Hall mobility and a large energy band gap. - 特許庁

高い誘電定数と大きいエネルギーバンドギャップとを有するブロッキング絶縁膜を有する電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法例文帳に追加

CHARGE TRAP MEMORY DEVICE WITH BLOCKING INSULATING LAYER HAVING HIGH-DIELECTRIC CONSTANT AND LARGE ENERGY BAND-GAP, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

これにより、ゲート酸化膜６のエネルギーバンドの傾きを抑え、トンネル電流を抑制してデータの保持性を向上させる。例文帳に追加

Consequently, an energy band tilt of the gate oxide film 6 is suppressed and a tunneling current is suppressed to improve data holding characteristics. - 特許庁

第２の層は、第１の層よりエネルギーバンドギャップの大きい材料を有する構成とすることができる。例文帳に追加

The second layers can have a material with a wider energy band gap than that of the first layers. - 特許庁

窓部材１１は、活性層５で発振したレーザ光の波長に相当するエネルギーバンドギャップよりも大きいエネルギーバンドギャップを有する半導体材料からなり、活性層５の出射面と反対側に曲面１１Ａを有する。例文帳に追加

The window member 11 is made of a semiconductor material having an energy band gap larger than an energy band gap corresponding to the wavelength of laser light oscillated by the active layer 5, and has a curved surface 11A on the opposite side from a projection surface of the active layer 5. - 特許庁

これによって、Ｉｎを１％含むＩｎＧａＮ層４の近傍の傾斜層５では、エネルギーバンドがゆっくりと変化するのに対し、Ｉｎを１５％含むＩｎＧａＮ層６ａの近傍の傾斜層５では、エネルギーバンドが急激に変化する。例文帳に追加

Thus, in the inclined layer 5 near the InGaN layer 4 containing indium in 1%, energy band changes slowly, whereas in the inclined layer 5 near the InGaN layer 6a containing 15% indium, energy band is changed rapidly. - 特許庁

一対のクラッド層間にバリア層を挟んで複数の発光層を積層した構成では、上記両クラッド層間のエネルギーバンドギャップは上記両発光層のエネルギーバンドギャップの総和でとなるため、上記両発光層を発光させるための順方向電圧は高くなる。例文帳に追加

To solve the problem that a forward voltage required for enabling light emitting layers to emit light gets high because an energy band gap between clad layers is the total sum of the energy band gaps of the light emitting layers in a structure in which a plurality of the light emitting layers are laminated between a pair of the clad layers as pinching a barrier layer between them. - 特許庁

これにより、金属性炭素ナノチューブを半導体性炭素ナノチューブに、かつ、エネルギーバンドギャップの狭い半導体性炭素ナノチューブをエネルギーバンドギャップの広い半導体性炭素ナノチューブに変えられるため、電子素子、電気光学的な素子又はエネルギー貯蔵素子などに幅広く利用できる。例文帳に追加

Thereby, since the metallic carbon nanotubes can be changed to the semiconductor like carbon nanotubes and also the semiconductor like carbon nanotubes having a narrow energy band gap to those having a wide energy band gap, such semiconductor like carbon nanotubes are widely utilized as an electronic element, electrooptical element, energy storage element or the like. - 特許庁

特に光学的基板上にコーティング膜をつけるための真空蒸着装置のプラズマ発生源用のカソード電極において、カソード電極は、少なくとも部分的にエネルギーバンドの間に少なくとも３ｅＶの好ましくは最大可能なエネルギーバンドギャップ（ワイドバンドギャップ）を有する材料から成ることを特徴とするカソード電極。例文帳に追加

The cathode electrode is a cathode electrode for the plasma source of a vacuum deposition system for depositing a coating film particularly on a optical substrate, and this cathode electrode is composed of a material which has at least 3 eV energy band gap (wide band gap), preferably the maximal one, between the energy bands. - 特許庁

高いスペクトル強度の波長線分は、当該エネルギーバンドギャップを持つ半導体の部分の厚みが十分確保されているので、効率的に吸収することができる。例文帳に追加

Wavelength line segments of high spectrum intensity can be efficiently absorbed because the thickness of a semiconductor having the energy band gap is sufficiently ensured. - 特許庁

光導電性スイッチは、比較的広いエネルギーバンドギャップを有する第１及び第２の半導体、及びそれらの間に挟まれるように置かれる第３の半導体からなる光導電層を有する。例文帳に追加

A photoconductive switch 100 comprises a photoconductive layer 106 which consists of first and second semiconductors, each having a relatively broad energy band gap, and a third semiconductor interposed between the first and second semiconductors. - 特許庁

圧力を利用しその活性層のエネルギーバンドギャップを調整することにより発光波長を可変させることが可能な波長変換型の発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting diode of a wavelength transformation type capable of varying a luminescence wavelength by utilizing a pressure and adjusting an energy band gap of an active layer thereof. - 特許庁

イオン化したＧａ空孔１４による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。例文帳に追加

Since a fixed negative charge layer in high density by the ionized Ga voids 14 exists, the curvature of energy band becomes large, the Schottky barrier becomes thin, and the ohmic property is materialized. - 特許庁

半導体基板２と光吸収層３との間には、光吸収層３より大きいエネルギーバンドギャップを有し、ＡｌＧａＳｂからなるｐ^＋型の正孔ブロック層４が形成されている。例文帳に追加

A p+ type hole block layer 4 with an energy band gap larger than the light absorption layer 3 and made of AlGaSb is formed between the semiconductor substrate 2 and the light absorption layer 3. - 特許庁

エネルギーバンドギャップの傾斜を、太陽光のスペクトル強度分布に対応して最適化させることにより、太陽光の高効率利用を図ることができる太陽光励起半導体を用いたレーザ発振装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser oscillator using a sunlight excited semiconductor by which the sunlight can be used with a high efficiency by optimizing the inclination of an energy band gap in response to the spectrum intensity distribution of the sunlight. - 特許庁

量子井戸構造の電子エネルギー準位を簡単に求めることができ、量子井戸構造のエネルギーバンド構造を特定し、半導体装置の設計を支援することができる。例文帳に追加

The electron energy level of the quantum well structure can be obtained easily, the energy band structure of the quantum well structure is specified, and the design of a semiconductor device can be supported. - 特許庁

この中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有するＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５の存在により、電流−電圧特性が著しく改善されて、動作電圧の低減を実現できる。例文帳に追加

The presence of the buffer layer 5, having the intermediate energy band gap Eg1 significantly improves the current-voltage characteristics, and reduction in the operation voltage can be realized. - 特許庁

高分子ＥＬデバイスに有用な発光性高分子材料、及びエネルギーバンドギャップの種類が多く発色範囲が広い発光性高分子を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting high polymer materials useful for a macromolecule EL device, and the light emitting high polymer having many kinds of energy band gaps and wide coloring range. - 特許庁

量子ドットを用いた場合であっても所望のエネルギーバンド構造を実現し得る量子半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a quantum semiconductor device capable of realizing a desired energy band structure even when a quantum dot is employed, and to provide the manufacturing method of the same. - 特許庁

材料が互いに異なる複数の量子ドットを積層することにより積層体が構成されているため、所望のエネルギーバンド構造を得ることができる。例文帳に追加

The laminate is constituted of a plurality of quantum dots whose materials are different from each other, and which are laminated whereby the desired energy band structure can be obtained. - 特許庁

光素子は、光のフォトンエネルギーよりも大きいエネルギーバンドギャップを持つ半導体層２と、半導体層２と電気的に接触した複数の電極３を備える。例文帳に追加

The optical element includes a semiconductor layer 2 having an energy bandgap larger than that of a photon energy of light and a plurality of electrodes 3 electrically contacting with the semiconductor layer 2. - 特許庁

超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。例文帳に追加

Each group of layers of the superlattice includes a plurality of stacked base semiconductor molecular layers defining a base semiconductor portion and an energy-band-modifying layer on the base semiconductor portion. - 特許庁

高い誘電定数と大きいエネルギーバンドギャップとを有するブロッキング絶縁膜を有する電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge trap memory device with a blocking insulating layer having a high-dielectric constant and a large energy band-gap, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

運動量空間のエネルギーバンドが近接または近接またはクロスする点においてはゲージ場が特異的振る舞いを示し、ホール効果において実効的に１０^８ ガウスに相当する磁気単極子が形成される。例文帳に追加

The gauge field shows a unique behavior at the point that the energy band of the momentum space approaches or crosses, and the magnetic monopole that, in effect, corresponds to 10^8G at the Hall effect is formed. - 特許庁

これにより、光触媒の内部においてエネルギーバンドの空間的傾斜又は曲がりが生じ、光照射により生成した電子と正孔が直ちに逆方向に移動するため、両者の早期の再結合が防止される。例文帳に追加

Thereby, since spatial inclination or bending of the energy band is generated at the inside of the photocatalyst and an electron produced by irradiation with a light and a positive hole are immediately moved in a reverse direction, both early re-bonding is prevented. - 特許庁

更に望ましくは、前記発光層を３層以上備え、各発光層は発光性有機物質のエネルギーバンドギャップの値が陰極１０１側より順に大きくなるように発光性有機物質がドープされた。例文帳に追加

Furthermore, three or more layers of the light-emitting layers are preferably provided, where each light-emitting layer is doped with a luminescent organic material so that the value of the energy band gap of the luminescent organic material, in each light-emitting layer, becomes larger sequentially starting from the cathode 101 side. - 特許庁

エネルギーバンドギャップが太陽光の通過経路に沿って減少する程度を示す傾斜は、吸収される波長における太陽光のスペクトル強度が高い（緑色光）ほど、緩やかに設定されている。例文帳に追加

The higher the spectrum intensity of the sunlight (green light) with wavelength to be absorbed, the gentler the inclination which indicates the degree of reduction of the energy band gap along the passage way of the sunlight is set. - 特許庁

太陽光取り入れ部８から入射された太陽光は、光吸収層２を通過中に、エネルギーバンドギャップに応じて吸収され、励起した電子・正孔が発光層３で再結合してレーザ光を発振する。例文帳に追加

The sunlight incident from a sunlight intake 8 is absorbed in response to the energy band gap when it passes through a light absorbing layer 2 and excited electrons and positive holes are recombined in a light emitting layer 3 and generate laser light. - 特許庁

この３次元フォトニック結晶の格子定数Ｌｘ１、Ｌｙ、Ｌｚ１を、光機能回路の動作帯域が３次元フォトニック結晶のＸ点にある第１エネルギーバンドギャップを含むように決定する。例文帳に追加

Grating constants Lx1, Ly1, Lz1 of the three-dimensional photonic crystal are determined to allow an operational band of the optical function circuit to include a first energy band gap in a point X of the three-dimensional photonic crystal. - 特許庁

半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。例文帳に追加

The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic contact system of a new concept having excellent electrical, optical, thermal and structural characteristics in which an effective carrier concentration is increased, a Schottky barrier is reduced by the adjustment of an energy-band gap between substances, and high transmissivity is obtained. - 特許庁

ガンマ線の入射方向の情報とともにその方向から入射するガンマ線のエネルギースペクトルを求め、入射方向毎の各種放射線源からの線量率、あるいは、エネルギーバンド毎の線量率を求めることができる装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for determining the energy spectrum of gamma rays entering from the incident direction of gamma rays along with information on the incident direction, and determining dose rate from each kind of radiation source for each incident direction, or dose rate for each energy band. - 特許庁

前記エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取りこまれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、前記超格子は、超格子が存在しない場合に比べて、前記平行な方向において大きな電荷キャリア移動度を有する。例文帳に追加

The energy-band-modifying layer includes at least one non-semiconductor molecular layer constrained within a crystal lattice adjacent to the base semiconductor portion so that the superlattice has higher charge carrier mobility in the parallel direction than a case without the superlattice. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide a new-concept ohmic contact system with excellent electrical, optical, thermal and structural features, to increase an effective carrier density, to reduce a Schottky barrier by adjusting an energy bandgap between substances, and high in permeability. - 特許庁

グレーデッド層４，８のクラッド層３，９近傍において、キャリア濃度が連続的に増加しているので、これらの界面において、エネルギーバンドギャップにノッチが生じるのが抑制され、活性層６へのキャリアがスムーズに注入できる。例文帳に追加

The graded layers 4 and 8 continuously increase in carrier density nearby the clad layers 3 and 9, so an energy band gap is deterred from being notched on their interfaces and a carrier can smoothly be injected into the active layer 6. - 特許庁