「エネルギーバンド」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

第２導電型の領域のフロント面がその内部に存在する第１導電型の活性層（２４）と、上記活性層（２４）に積層され、第１導電型で、上記活性層（２４）よりもエネルギーバンドギャップが大きく、かつ不純物濃度（キャリア濃度）が高いクラッド層（２３又は２５）とを備える。例文帳に追加

This LED array comprises an active layer (24) of the first conductivity type, inside of which a front face of each second conductivity-type region exists, and cladding layers (23 or 25) of the first conductivity type stacked by sandwiching the active layer (24) have energy gaps larger than that of the active layer (24), and have high impurity concentrations (carrier concentrations). - 特許庁

必要な電極数を低減すると共に全発光層を同時点灯させる場合の順方向電圧は各発光層のエネルギーバンドギャップの総和未満となる白色を含むマルチカラーを発光可能な発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting diode, capable of reducing the necessary number of electrodes, and emitting multi-colors including a white color to set a forward voltage at the time of simultaneously turning on all light-emitting layers to be less than the total sum of the energy band gaps of the respective light-emitting layers. - 特許庁

運動量空間における磁気単極子は、電子スピン配置と電子構造とからエネルギーバンドが近接またはクロスする電子状態を有する固体材料において実現され、この固体材料のブロッホ波動関数の内積からベリー位相が定まり、ベリー位相からゲージ場が定まる。例文帳に追加

The magnetic monopole in the momentum space is realized in a solid material that has an electronic state which the energy band approaches or crosses owing to the electron spin arrangement and electronic structure, the Baly phase is settled from the inner product of a Bloch function of the solid material, and the gauge field is settled from the Baly phase. - 特許庁

ｎ型半導体の活性層１４を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いｎ型半導体の第１と第２のクラッド層１３，１５を配置したエピウエハ１０にｐ型拡散層２１を形成し、表面側にｐ、ｎの両電極３１，３２を設ける。例文帳に追加

A p-type diffusion layer 21 is formed in an epitaxial wafer 10 arranged with first and second clad layers 13 and 15 of n-type semiconductor having an energy band gap higher than that of an active layer 14 of n-type semiconductor sandwiched between, and p and n electrodes 31 and 32 are provided on the surface side. - 特許庁

本発明は、Ｓｉ原子を主体としかつエネルギーバンド構造が直接遷移型であり、安価で簡便に製造でき、赤色発光が可能なクラスレート化合物及びそれを用いた発光素子、クラスレート化合物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive, easily producible clathrate compound essentially consisting of Si atoms, also having a direct transition type energy band structure, and capable of red light emission, to provide a light emitting device obtained by using the same, and to provide a method of producing a clathrate compound. - 特許庁

特定の入射方向に感度を限定させた検出部を複数個組み合わせることにより、全方向から入射するガンマ線について入射方向毎の各種放射線源からの線量率、あるいはエネルギーバンド毎の線量率を求める。例文帳に追加

A plurality of detection sections, where sensitivity is limited to a specific incident direction, are combined, thus determining the dose rate from each kind of radiation source for each incident direction for gamma rays entering from all directions, or determining the dose rate for each energy band. - 特許庁

埋め込み領域がフローティング構造であるので埋め込み領域と一導電型半導体層のエネルギーバンドはフラットとなり、順方向電圧印加時に埋め込み領域周囲に空乏層が広がることはなく、ショットキー接合面積を損なうことがない。例文帳に追加

Since the embedded region has a floating structure, energy bands of the embedded region and one conductivity-type semiconductor layer are flat and the depletion layer is prevented from spreading around the embedded region when a forward direction voltage is applied, and thus, an area of Schottky contact is not impaired. - 特許庁

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層内に水素（Ｈ）または水酸基（ＯＨ）を導入する第２ステップと、水素または水酸基が導入された非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化させる第３ステップと、を含むことを特徴とするアルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法である。例文帳に追加

The method of raising the energy band gap of an aluminum oxide layer includes a first step of forming an amorphous aluminum oxide layer on a bottom film, a second step of introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and a third step of crystallizing the amorphous aluminum oxide layer with the introduced hydrogen or hydroxyl group. - 特許庁

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。例文帳に追加

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。例文帳に追加

An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101. - 特許庁

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。例文帳に追加

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode. - 特許庁

Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とＳｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる電力半導体素子を、それぞれ別の絶縁金属基板に搭載し、さらにこれら絶縁金属基板がそれぞれ別の放熱用金属ベースに搭載されるので、両電力半導体素子間における熱の伝わりが抑制される。例文帳に追加

The power semiconductor device using Si as the base substance and the power semiconductor device using the semiconductor having an energy bandgap wider than the energy bandgap of Si as the base substance are mounted on different insulated metal substrates respectively, and those insulated metal substrates are mounted on different metal bases for heat dissipation respectively, so that conduction of heat between both power semiconductor devices is suppressed. - 特許庁

この装置によると、２光子で電子が励起されるために重い正孔と軽い正孔のエネルギーバンドの縮退を解かないでも大きな偏極度が得られ、電子を伝導帯内の高いエネルギーレベルにまで励起できるために化合物半導体の外部に電子を放出させるために負の電子親和性を得る必要がない。例文帳に追加

The device excites electrons with two photons to thereby provide a large polarization even without separating the degeneracy of the energy bands of a heavy electron hole and a light electron hole, and can excite the electrons to a high energy level in a conduction band to thereby dispense with a negative electron affinity for external emission of the electrons from the compound semiconductor. - 特許庁

被帯電物１０に対向して設置されている電子放出素子１４は、３．６０ｅＶ以上か１．３０ｅＶ以下のエネルギーバンドギャップの半導体層１６及び薄膜絶縁層１８と、薄膜絶縁層１８表面側に形成された薄膜電極２０と、半導体層１６裏面側に形成された基板電極２２とを有している。例文帳に追加

An electron discharge element 14 arranged oppositely to the object 10 to be charged has a semiconductor layer 16 having an energy band gap of ≥3.60 eV or ≤1.30 eV, a thin film insulation layer 18, a thin film electrode 20 formed on the surface side of the layer 18, and a substrate electrode 22 formed on the rear side of the layer 16. - 特許庁

一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。例文帳に追加

The light-emitting element 100 includes a pair of electrodes 2 and 7, a light-emitting layer 5 provided between the pair of electrodes 2 and 7 and having a donor-acceptor pair light emitting function, a buffer layer 4 and a carrier injection layer 3 containing a p-type semiconductor in this order. - 特許庁