カステスの英語

フォーカステスト方法、フォーカステストマスク、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

FOCUS TEST METHOD, FOCUS TEST MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

フォーカステスト実施方法およびデバイス製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PERFORMING FOCUS TEST, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

フォーカス位置を正確に把握できるフォーカステスト法を提供する。例文帳に追加

To provide a focus test method for correctly knowing a focus position. - 特許庁

そして、それらのウエハを現像後、重ね合わせ計測装置を用いて、各ウエハ上のフォーカステストマークのレジスト像の位置情報（内側マークの像と外側マークの像との位置ずれ量）を計測する（ステップ１２８〜１３２）。例文帳に追加

After developing these wafers, positional information of the resist image of a focus test mark on each wafer (positional shift between the images of the inside mark and the outside mark) is measured using a superposition measuring apparatus (step 128-132). - 特許庁

次いで、計測した全てのフォーカステストマークのレジスト像の位置情報に基づいて、走査露光時のデフォーカス量の速度比例位置項、速度比例時間項、時間項及び位置項を、それぞれ算出する（ステップ１３４）。例文帳に追加

Subsequently, the speed proportional position term of the amount of defocus at the time of scanning exposure, the speed proportional time term, time term and position term are calculated respectively based on the positional information of the resist image of all focus test marks thus measured (step 134). - 特許庁

複数の異なる同期移動速度条件の下で、レチクルステージ上の計測用レチクルに形成されたパターン領域内のパターン（フォーカステストマークを構成する内側マーク，外側マーク）を投影光学系を介して、異なるウエハ上にそれぞれ転写する。例文帳に追加

Under a plurality of different synchronous moving speed conditions, a pattern (an inside mark and an outside mark constituting a focus test mark) in a pattern region formed in a measuring reticle on a reticle stage is transferred onto different wafers, respectively, through a projection optical system. - 特許庁