クアンタムの英語

クアンタムホールの形成方法とそのクアンタムホールを用いる半導体発光素子及びその製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF QUANTUM HOLE, SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT TO USE QUANTUM HOLE THEREOF AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

また、Ｐ型半導体層７０上に真性半導体層を成長させ、該真性半導体層に複数のクアンタムホールを形成した後、クアンタムホール内には、インジウムガリウムニトリド（ＩｎＧａＮ）を単結晶成長させて充填し、クアンタムホール層７２を形成する。例文帳に追加

An intrinsic semiconductor layer is grown on a P-type semiconductor layer 70 and, after a plurality of quantum holes are formed in the intrinsic semiconductor layer, an indium-gallium-nitride(InGaN) is single-crystal grown in the quantum holes to fill the quantum holes with the InGaN, and a quantum hole layer 72 is formed in the layer 70. - 特許庁

半導体基板にナノメートル程度の直径を有する複数のクアンタムホールを形成する方法と、その複数のクアンタムホールを用いて所定の色相の光を出力する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a plurality of quantum holes having a diamater of nanometers in a semiconductor substrate, a semiconductor light emitting element to output light of a prescribed hue using a plurality of the quantum holes and a manufacturing method of the element. - 特許庁

イオンビーム走査装置のイオンビームの加速電圧、大きさ及び入射時間とを調節して半導体基板に所望の直径及び深さを有するクアンタムホールを形成する。例文帳に追加

The accelerating voltage, the size and the incident time of an ion beam of an ion beam scanning device are adjusted to form quantum holes having a desired diameter and depth in a semiconductor substrate. - 特許庁