サブハーフミクロンの英語

高アスペクト比のサブハーフミクロン応用において、開口を金属化してボイドの無い相互接続を形成するためのプロセスを提供することである。例文帳に追加

To provide a process for forming void-free interconnections by metallizing apertures in high aspect sub-half micron applications. - 特許庁

高解像サブハーフミクロンおよびサブクオーターミクロンフィーチャーなどの高性能用途に適したフォトレジスト組成物の提供。例文帳に追加

To provide a photoresist composition suitable for high performance applications such as high resolution sub-half micron and sub-quarter micron features. - 特許庁

ディープサブハーフミクロン世代のリソグラフィにおいて、選択的に大開口部を有するシェブロン状レジストパターンを高い制御性をもって形成することを目的とする。例文帳に追加

To form a chevron-like resist pattern selectively having a large aperture with high controlling property by lithography of a deep half-micron generation. - 特許庁

基板のステップカバレージを均一にし、金属層を平坦にする方法を提供し、サブハーフミクロンの適用分野において連続してボイドのない接点またはバイアを形成することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of uniforming step coverage on a substrate, and flattening metal layers, and to form continuous, void-free contacts or vias in a sub-half micron application field. - 特許庁

現在利用可能なフォトレジストは、多数の用途に対し好適であるが、現在のレジストは、また、特に高性能の用途、例えば、高度に解像されたサブ−ハーフミクロンおよびサブ−クォーターミクロン（ｓｕｂ−ｑｕａｒｔｅｒ ｍｉｃｒｏｎ）フィーチャーの形成において、顕著な欠点を示し得る。例文帳に追加

To solve the problem that available photoresists are suitable for many applications but existing resists may show notable defects particularly in high-performance application, e.g., in the formation of highly resolved sub-half micron and sub-quarter micron features. - 特許庁