シンタの英語

ヒトチミジル酸シンタ—ゼの測定方法及び測定用キット例文帳に追加

METHOD AND KIT FOR DETERMINATION OF HUMAN THYMIDYLATE SYNTHASE - 特許庁

次に半導体層２１および電極部３４とを予め定める第１の温度Ｔ１のＮ_２雰囲気下でシンタ処理し、半導体層２１と電極部３４とのオーミック性を向上させる。例文帳に追加

Next, the semiconductor layer 21 and the electrode 34 are sintered at a predetermined first temperature T1 in N_2 atmosphere, so as to improve the ohmic properties thereof. - 特許庁

アルミニウム配線層等の４５０℃以上の高温の熱処理に弱い配線層を形成する前にのみ、温度条件４５０℃〜６００℃の水素雰囲気中において、トランジスタのゲート絶縁膜１３をシンタ処理する。例文帳に追加

A gate insulated film 13 of a transistor is subjected to sintering treatment at a temperature of 450 to 600°C in a hydrogen atmosphere, only prior to the formation of a wiring layer which is liable to be adversely affected by a high-temperature thermal treatment that is carried out at a temperature of 450°C or higher. - 特許庁

第１白金層８１の粒界が少なく、また第２白金層８２の粒界とは連続しにくいので、粒界拡散が生じにくく、アルミ配線層１１の水素シンタを行っても還元種が粒界を介して酸化物誘電体膜７に到達しにくくなる。例文帳に追加

Since the grain boundaries of the first platinum layer 81 are fed, while being difficult to continue to the grain boundary of the second platinum layer 82, a grain boundary diffusion is made hard to occur and reductant seeds are difficult to reach the oxide dielectrics film 7 via the grain boundary, even under hydrogen sintering with an aluminum wiring layer. - 特許庁