スタンバイ電流ドレインの英語

スタンバイ時のＭＩＳＦＥＴにおいて、電圧が印加されるソース・ドレインとそのソース・ドレインが形成されたウェルとの間で発生するリーク電流を低減する。例文帳に追加

To reduce a leak current generated between a source/drain impressed with a voltage and a well formed with the source/drain in an MISFET on standby. - 特許庁

そして、予め設定されたオン抵抗になるタイミングで、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のソース−ドレイン間を流れるスタンバイ電流を電圧値として取り出す構成とされている。例文帳に追加

A stand-by current flowing between a source-a drain of the transistor M1 is put out as a voltage value in timing bringing preset ON-resistance. - 特許庁

このため、スタンバイ状態におけるメモリトランジスタＭＴｉｊのドレイン・ソース間に電位差は生じないためリーク電流を防止し、マスクＲＯＭの消費電力を低く抑える事が可能となる。例文帳に追加

Therefore, since electric potential is not generated between drain and source of a memory transistor MTij in a standby state, a leakage current is prevented, and consequently power consumption of the mask ROM is reduced. - 特許庁

ソース・ドレイン間リーク電流を低減し、スタンバイ時の消費電力を削減することで、回路の高速性を損なわず、消費電力を低減できるＭＯＳ型電界効果トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a MOS-type field effect transistor for reducing power consumption without losing speediness in a circuit by reducing the leak current between a source and a drain and reducing power consumption in standby. - 特許庁

このため、ワード線とビット線間にショート不良が発生し、ビット線の電圧がスタンバイ期間にワード線の低レベル電圧に変化した場合にも、ｎＭＯＳトランジスタのソースと基板間、またはドレインと基板間に基板電流が流れることを防止できる。例文帳に追加

Thus, even when the voltage of the bit line varies to the low-level voltage of the word line in the standby period due to occurrence of the short-circuit failure between the word line and the bit line, the substrate current is prevented from passing through between the source and the substrate of the nMOS transistor and between the drain and the substrate. - 特許庁

上述した手段によれば、選別を行なう半導体装置を低温化することによって、サブスレッショルド領域にてゲート電圧に対するドレイン電流の変化が大きくなるため、スタンバイ電流を低減することが可能となり、低しきい値のＭＩＳＦＥＴのリーク電流試験を確実に行なうことができる。例文帳に追加

According to the above manner, reducing the temperature of the semiconductor device increases a change in a drain current with respect to a gate voltage in a sub-threshold region, and thus makes it possible to reduce the stand-by current and to surely conduct the leak current test of the MISFET having a low threshold. - 特許庁