テトラエチルオルトシリケートの英語

第１の混合ガスはテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、ヘリウム（Ｈｅ）、及び窒素（Ｎ_2）を有する。例文帳に追加

The first gas mixture has tetraethylorthosilicate(TEOS), helium (He) and nitrogen (N_2). - 特許庁

続けて、トリエチルボレート、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用してホウ素の含量調節が可能である絶縁膜形成のための第２シード層を形成し、トリエチルボレート、トリエチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガスを使用してＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８を形成する。例文帳に追加

Successively, a second seed layer which can adjust a boron content and is used for forming the insulating film 18 is formed using triethyl borate, tetraethyl orthosilicate and oxygen gas, and the insulating film 18 comprising the BPSG film is formed using riethyl borate, triether phosphate, tetraethyl orthosilicate and ozone gas. - 特許庁

エッチング阻止膜１２が形成された基板１０に酸素ガスを使用して酸化性雰囲気を組成した後に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用して第１シード層を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method of an insulating film comprising a BPSG film, an oxidizing atmosphere is composed in a substrate 10 formed with an etching stop film 12 using oxygen gas, and thereafter, a first seed layer is formed using tetraethyl orthosilicate and oxygen gas. - 特許庁

第１の方法として、化学気相成長によりシリコン酸化膜を成長させるに伴って発生してしまう結晶欠陥を少なくすべく、成膜の原料として、テトラエチルオルトシリケートSi(OC2H5)4を用いる方法を提供する。例文帳に追加

As a first method, tetraethylorthosilicate Si(OC2H5)4 is employed as a film deposition material in order to reduce crystal defects occurring as a silicon oxide film is grown by chemical vapor deposition. - 特許庁

室温で、ポリオキシエチレンラウリルアミン（Ｃ_１２Ｈ_２５−ＮＨ−（ＥｔＯ）_５）１０．１ｇ（０．０２５モル）を水１３５ｇ（７．４９モル）とエタノール４７．０ｇ（１．００モル）の混合溶媒に溶かし、ここへテトラエチルオルトシリケート１５．６２ｇ（０．０７５モル）を添加した。例文帳に追加

Polyoxyethylene laurylmine (C_12H_25-NH-(EtO)_5) of 10.1 g (0.025 mol) is dissolved in a mixed solvent of water of 135 g (7.49 mol) and ethanol of 47.0 g (1.00 mol) at a room temperature, and tetraethyl orthosilicate of 15.62 g (0.075 mol) is added thereto. - 特許庁

珪素化合物担持工程：固体シリカに珪素化合物を担持することにより、珪素が担持された固体を得る工程 チタン化合物担持工程：珪素化合物担持工程で得られた固体にチタン化合物を担持することにより、チタン含有珪素酸化物触媒を得る工程 珪素化合物としては、たとえばテトラメチルオルトシリケート、テトラエチルオルトシリケート、テトラプロピルオルトシリケート、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリエトキシクロロシラン等があげられる。例文帳に追加

Silicone compounds include tetramethyl orthosilicate, tetraethyl orthosilicate, tetrapropyl orthosilicate, trimethoxysilane, trietoxysilane, triethoxychlorsilane and the like. - 特許庁

好ましい中多孔性酸化物膜は、アルコールベースの溶剤中にテトラエチルオルトシリケート、水及び界面活性剤を含むゾルゲル前駆物質の基板上へのスピン・オン処理、立方相膜を形成するための処理されたゾルゲル前駆物質の硬化、次いで、その膜を酸化環境にさらすことによって作る。例文帳に追加

Preferable mesoporous oxide films are formed, by performing spin-on deposition of the sol-gel precursor containing tetraethyl orthosilicate, water and a surfactant in an alcohol-based solvent onto a substrate, to cure the deposited sol-gel precursor to form a cubic-phase film and exposing the film to an oxidizing atmosphere. - 特許庁