トロンプの英語

マルチポール型マグネトロンプラズマ用磁場発生装置例文帳に追加

MAGNETIC FIELD GENERATING DEVICE FOR MULTIPOLAR MAGNETRON PLASMA - 特許庁

不揮発性メモリ装置およびそのホットエレクトロンプログラムディスターブ防止方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND HOT ELECTRON PROGRAM DISTURB PREVENTING METHOD FOR THE SAME - 特許庁

また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した２つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に４００Ｇ以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が３５０Ｖ以下となるように構成される。例文帳に追加

Moreover, in the manufacturing method, magnetron plasmas having ≥400 G magnetic field intensity and each having a closed loop are generated on the surface of the target located on the surface of the cathode by using the two magnetron magnetic circuits arranged on the back side of the cathode of equipotential, and sputtering voltage at the magnetron-plasma generation is made to ≤350 V. - 特許庁

被処理基板が大型の場合にも処理空間に均一なプラズマを形成することができるマグネトロンプラズマ処理装置および処理方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a magnetron plasma processing apparatus and a processing method, where plasma can be uniformly formed in a processing space, even if a work substrate is large. - 特許庁

マグネトロンプラズマ用磁場発生装置２１の各磁石セグメント２２の向きを変更するとともに、中間部分の磁石セグメント２２を取り外す（間引く）ことによって、磁極の数を１２個に減少させる。例文帳に追加

The number of poles is reduced to twelve pieces by changing the directions of the magnet segments 22 of the magnetic field generator 21 for the magnetron plasma and removing (thinning out) the magnet segments 22 at an intermediate part. - 特許庁

本発明の目的は、エッチングの均一性を得るためにウエハ面における磁力線の角度を制御できるマグネトロンプラズマ磁場発生装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a magnetron plasma magnetic field generator, capable of controlling an angle of a line of magnetic force on a wafer surface for obtaining uniformity of etching. - 特許庁

被処理体の処理空間の所望の位置に局部的に強磁場強度部分を形成して、処理空間のプラズマ密度を高くすることができるマグネトロンプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetron plasma processing device which is capable of locally producing a strong magnetic field at a required site in the processing space of a work so as to enhance a processing space in plasma density. - 特許庁

エッチングの均一性を得るためにウエハ面に対する磁界の方向（ウエハのエッチング面近傍での磁界の方向）を制御できるマグネトロンプラズマ磁場発生装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetron plasma magnetic field generation apparatus capable of controlling the direction of a magnetic field with respect to a wafer surface (the direction of a magnetic field in the vicinity of an etching surface of a wafer) in order to obtain uniformity of etching. - 特許庁