「トロンプ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

マグネトロンプラズマ用磁場発生装置例文帳に追加

MAGNETIC FIELD GENERATOR FOR MAGNETRON PLASMA - 特許庁

マグネトロンプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法例文帳に追加

EQUIPMENT FOR MAGNETRON PLASMA TREATMENT AND METHOD OF PLASMA TREATMENT - 特許庁

マルチポール型マグネトロンプラズマ用磁場発生装置例文帳に追加

MAGNETIC FIELD GENERATING DEVICE FOR MULTIPOLAR MAGNETRON PLASMA - 特許庁

不揮発性メモリ装置およびそのホットエレクトロンプログラムディスターブ防止方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND HOT ELECTRON PROGRAM DISTURB PREVENTING METHOD FOR THE SAME - 特許庁

また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した２つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に４００Ｇ以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が３５０Ｖ以下となるように構成される。例文帳に追加

Moreover, in the manufacturing method, magnetron plasmas having ≥400 G magnetic field intensity and each having a closed loop are generated on the surface of the target located on the surface of the cathode by using the two magnetron magnetic circuits arranged on the back side of the cathode of equipotential, and sputtering voltage at the magnetron-plasma generation is made to ≤350 V. - 特許庁

被処理基板が大型の場合にも処理空間に均一なプラズマを形成することができるマグネトロンプラズマ処理装置および処理方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a magnetron plasma processing apparatus and a processing method, where plasma can be uniformly formed in a processing space, even if a work substrate is large. - 特許庁

マグネトロンプラズマ用磁場発生装置２１の各磁石セグメント２２の向きを変更するとともに、中間部分の磁石セグメント２２を取り外す（間引く）ことによって、磁極の数を１２個に減少させる。例文帳に追加

The number of poles is reduced to twelve pieces by changing the directions of the magnet segments 22 of the magnetic field generator 21 for the magnetron plasma and removing (thinning out) the magnet segments 22 at an intermediate part. - 特許庁

本発明の目的は、エッチングの均一性を得るためにウエハ面における磁力線の角度を制御できるマグネトロンプラズマ磁場発生装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a magnetron plasma magnetic field generator, capable of controlling an angle of a line of magnetic force on a wafer surface for obtaining uniformity of etching. - 特許庁

被処理体の処理空間の所望の位置に局部的に強磁場強度部分を形成して、処理空間のプラズマ密度を高くすることができるマグネトロンプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetron plasma processing device which is capable of locally producing a strong magnetic field at a required site in the processing space of a work so as to enhance a processing space in plasma density. - 特許庁

エッチングの均一性を得るためにウエハ面に対する磁界の方向（ウエハのエッチング面近傍での磁界の方向）を制御できるマグネトロンプラズマ磁場発生装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetron plasma magnetic field generation apparatus capable of controlling the direction of a magnetic field with respect to a wafer surface (the direction of a magnetic field in the vicinity of an etching surface of a wafer) in order to obtain uniformity of etching. - 特許庁

マグネトロンプラズマＣＶＤ法を用いることにより、６００℃以下の低温で単独分離した単層カーボンナノチューブ及び／又は整列配向した単層カーボンナノチューブを製造可能にする単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single-wall carbon nanotube in which the individually separated monolayer carbon nanotube and/or the orientated monolayer carbon nanotube is manufactured at a low temperature of ≤600°C by using a magnetron plasma CVD method. - 特許庁

低密度プラズマの領域で堆積する低い膜質の膜堆積を抑制し、高密度プラズマ領域のみを利用して成膜を行うことにより膜質が一定な成膜を形成するマグネトロンプラズマ処理装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an equipment for magnetron plasma treatment and a method of magnetron plasma treatment that make deposition of a film with uniform film quality by restraining deposition of film with low quality which is deposited at low density plasma region and by utilizing only high density plasma region. - 特許庁

円筒型電子銃として低真空で作動する逆マグネトロンプラズマ電子銃２を使用し、差動排気機構６，７を配設することで電子線発生部を真空にし電子線照射部Ｂを真空または低真空雰囲気にする。例文帳に追加

A reverse magnetron plasma electron gun 2, actuating at low vacuum, is used as a cylindrical electron gun, and differential vacuum mechanisms 6, 7 are provided, thereby evacuating an electron beam generating part and making an electron beam irradiating part B a vacuum level or low- vacuum atmosphere. - 特許庁

紙に印刷された印刷物や、ボールペンやマジックなどを用いて筆記された筆記物に転移したインキ等の転移及び浸透状態を、集束イオンビーム装置等により断面を作製し、該断面を電子顕微鏡或いはエレクトロンプローブマイクロアナライザーにより観察する。例文帳に追加

To form the cross section of an ink transfer part by a focusing ion beam device, in the observation of the transfer and penetration of the ink transferred to a printed matter wherein ink is printed on paper or a written matter written by using a ball point pen or a marking pen, to observe the same by an electron microscope or an electron probe microanalyser. - 特許庁

異なった大きさの被処理基板に対応したマルチポール磁場を容易に形成することができ、異なった大きさの被処理基板に対して、夫々良好な処理を行うことのできるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic field generator for a magnetron plasma which can easily form a multi-polar magnetic field corresponding to a substrate to be processed of different size and which can properly process the substrate to be processed of different size. - 特許庁

マグネット５による磁界の移動、回転により処理能力を高めたマグネトロンプラズマ処理装置において、プラズマ密度の反応容器内部における分布に対応して、ガスの導入分布を制御し、又は下部電極８上のウェハ１０に印加されるバイアス分布を制御する。例文帳に追加

In an equipment for magnetron plasma treatment that raises throughput by moving and turning magnetic field using magnet 5, distribution of gas introduction is controlled corresponding to the distribution of plasma density in the reaction vessel, or distribution of bias voltage impressed to a wafer 10 on the lower electrode 8 is controlled. - 特許庁

日本のトロンプロジェクトに代表されるすぐれたバーチャルミュージアム、デジタルライブラリィ、アミューズメント施設の成果等をふんだんに取り入れているので、老若男女は問わず家族でも楽しめるが、主な対象はあくまで中高生を中心とする青少年であり、彼ら、彼女らが豊かで充実した職業人生を送れるためのあらゆる事業を行っている。例文帳に追加

It provides a wide variety of programs that help young people such as high school or junior high school students, who are the main participants, to lead a rich life with satisfying jobs, and incorporates technologies of the excellent virtual museum, digital libraries, and amusement facilities, as represented by the Tron Project in Japan, which are enjoyable by every generation and families as well.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明は、複数の柱状の異方性セグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を備えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置に関し、上記複数のセグメント磁石の夫々は、上記ダイポールリング磁石の長さ方向に２分割され、分割されたセグメント磁石の温度を夫々制御する構造を有する。例文帳に追加

The magnetron plasma magnetic field generator comprises a dipole ring magnet, having a plurality of columnar anisotropic segment magnets disposed in a ring state, and each of the segment magnets is split in the length direction of the ring magnet, and the temperature of the divided segment magnet is controlled. - 特許庁

スパッタ室内に配置されたカソードに対向した位置を移動する基板に対し、カソード表面に設置されたターゲット材をスパッタすることにより連続的に薄膜を形成する装置において、同電位のカソード背面に２つのマグネトロン磁気回路を配置し、それぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを２つ発生させるように構成される。例文帳に追加

In the system where the thin film is continuously deposited onto a substrate moving in the position facing a cathode arranged in a sputtering chamber by sputtering a target material located on the surface of the cathode, two magnetron magnetic circuits are arranged on the back side of the cathode of equipotential and constituted in such a way that two magnetron plasmas each having a closed loop can be generated. - 特許庁

外部印加の高周波電場と定常磁場とが直交するマグネトロン型放電電極の直下に基板を設置すると共に、該基板上に担体に担持された金属触媒を固定し、該基板をヒーターで加熱しながら炭化水素ガスの共存下にマグネトロンプラズマを発生し、該基板の直流バイアス制御のもとに前記金属触媒上に単層カーボンナノチューブを生成する。例文帳に追加

A substrate is placed direct below a magnetron type discharge electrode where a high frequency electric field applied from the outside intersects a stationary magnetic field at a right angle, a metallic catalyst supported on a support is fixed on the substrate, magnetron plasma is produced under the coexistence of a hydrocarbon gas while heating the substrate by a heater and the single-wall carbon nanotube is formed on the metallic catalyst under the DC bias control of the substrate. - 特許庁