バイポーラトランジスタ構造の英語

サイリスタ構造に形成されたｐｎｐバイポーラトランジスタ及びｎｐｎバイポーラトランジスタを設ける。例文帳に追加

A pnp bipolar transistor and an npn bipolar transistor which are formed in a thyristor structure are provided. - 特許庁

サイリスタ構造に形成された第１接合型のバイポーラトランジスタ及び第２接合型のバイポーラトランジスタと、第１接合型のバイポーラトランジスタのコレクタ端子と第２接合型のバイポーラトランジスタのベース端子との間に介挿されたＭＯＳトランジスタと、を設ける。例文帳に追加

The electrostatic protective circuit has a first junction type bipolar transistor and a second junction type bipolar transistor which are formed in a thyristor structure; and an MOS transistor intervened between a collector terminal of the first junction type bipolar transistor and a base terminal of the second junction type bipolar transistor. - 特許庁

コレクタに抵抗が接続された抵抗内臓バイポーラトランジスタ及び同一チップに複数個の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを容易に形成可能なバイポーラトランジスタの構造を提供する。例文帳に追加

To provide the structure of a bipolar transistor with a built-in resistor in which the resistor is connected to its collector, and a bipolar transistor capable of easily forming a plurality of bipolar transistors with built-in resistors on the same chip. - 特許庁

バイポーラトランジスタ構造を有する半導体材料及びこれを用いた半導体素子例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MATERIAL HAVING BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

寄生キャパシタンスを低減できる構造を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor having a structure in which the parasitic capacitance can be reduced. - 特許庁

デバイスの信頼性を更に向上できる構造を有するバイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar transistor having a structure capable of further improving reliability of a device. - 特許庁

パワーＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：集積ゲートバイポーラトランジスター）デバイスを有するモノリシリック集積抵抗構造例文帳に追加

MONOLITHIC INTEGRATED RESISTANCE STRUCTURE HAVING POWER IGBT DEVICE - 特許庁

実施形態によれば、半導体装置は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ構造を有するメイン素子と、前記メイン素子よりも帰還容量が大きい絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ構造を有するセンス素子とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a main element with an insulated gate bipolar transistor structure, and a sense element with an insulated gate bipolar transistor structure having a larger feedback capacitance than the main element. - 特許庁