パターンの総描の英語

本発明はＥＢ描画装置を用いて製造される半導体装置に関し、有効なパターン領域内に形成されるメインフィールドやサブフィールドの境界線の総延長を、チップ面積に対して最短化することを目的とする。例文帳に追加

To minimize the total length of boundary lines for main fields and sub-fields formed in an effective pattern region per chip area, in a semiconductor device manufactured by using an EB lithography system. - 特許庁

２つのパラメータで角度、幅を配慮して、斜め線を含む矩形を斜め線を含まない矩形に変更することで総描画図形数を減らし、精度を保持したままスループットを向上させる露光パターン生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of generating an exposure pattern that reduces the total number of drawing figures by changing a rectangles containing transverse lines to a one containing no transverse lines in consideration of an angle and a width through the use of two parameters to improve throughput while maintaining accuracy. - 特許庁