パワーMOSFETの英語

The semiconductor device 1 is a vertical-type power MOSFET.例文帳に追加

半導体装置１は、縦型のパワーMOSFETである。 - 特許庁

A semiconductor die package including a semiconductor die 108 comprising a first surface, a second surface, and a vertical power MOSFET having a gate region and a source region at the first surface and a drain region at the second surface.例文帳に追加

半導体ダイパッケージは第１表面、第２表面、及び第１表面にゲート領域とソース領域とを有し第２表面にドレイン領域を有する垂直パワーMOSFETを備えた半導体ダイ108を含んでいる。 - 特許庁

A malfunction prevention circuit 17 has a power MOSFET with low on-resistance, the drain of the FET is connected to a DC power supply on/off circuit 13, and a source is connected to the gate of a DC motor drive circuit 16.例文帳に追加

誤動作防止回路17は低オン抵抗のパワーMOSFETを備え、このFETのドレインはDC電源オン／オフ回路部13に接続されソースはDCモータ駆動回路部16ゲートに接続される。 - 特許庁

In manufacturing a MOS-gated device 100 such as a power MOSFET comprising well region extensions 432, 434 extending from respective well regions 103 into a drift region 102 of the device, the well region extensions 432, 434 are formed on sidewalls of trenches formed on a semiconductor substrate, and then the trenches are filled with an insulator 430 such as low temperature oxide.例文帳に追加

それぞれのウェル領域１０３からデバイスのドリフト領域１０２の中に延長するウェル領域延長部４３２、４３４を有するパワーMOSFETのようなMOSゲートデバイス１００において、このウェル領域延長部４３２、４３４は、半導体基板にトレンチが形成された後、そのトレンチの側壁に形成され、更にトレンチを低温酸化物のような絶縁体４３０で充填する製造工程で構成される。 - 特許庁