ホットウォール法の英語

縦型ホットウォールＣＶＤエピタキシャル装置、ＳｉＣエピタキシャル成長方法及びＳｉＣエピタキシャル成長膜例文帳に追加

VERTICAL HOT-WALL CVD EPITAXIAL EQUIPMENT, SiC EPITAXIAL GROWTH METHOD, AND SiC EPITAXIAL GROWTH FILM - 特許庁

剥離やクラックの発生が抑制されるサセプタを用いた縦型ホットウォールＣＶＤエピタキシャル装置、この装置を用いたＳｉＣエピタキシャル成長方法及びこれらの装置と方法とを用いて形成されるＳｉＣエピタキシャル成長膜を提供する。例文帳に追加

To provide vertical hot-wall CVD(chemical vapor deposition) epitaxial equipment which uses a susceptor which controls the development of peeling and crack, an SiC epitaxial growth method which uses the equipment, and an SiC epitaxial growth film formed by using the equipment and method. - 特許庁

繰り返し行う成膜ステップの間に、ホットウォール型ＣＶＤ装置のチャンバ内壁をクリーニングする方法であって、チャンバへのダメージを抑制しつつ、且つドライクリーニング後の成膜速度の変動を抑制できる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning method of a semiconductor manufacturing device which can restrain the variation of a film formation velocity after dry cleaning while restraining damage to a chamber, in the method for cleaning a chamber inner wall of a hot wall type CVD device in repeatedly performed film formation steps. - 特許庁

少なくとも１つのケイ素前駆体を含む、実質的にハロゲンを含まない、多元素系水溶性前駆体溶液を与えることと、このケイ素前駆体に熱プラズマ、火炎噴霧、ホットウォールリアクタまたは噴霧熱分解システムから選択される、熱源をあてて多元素系ケイ素材料を作成することとを含む、ケイ素材料を製造する方法。例文帳に追加

There is provided a method for producing silicon materials, including steps of: providing a multi-elemental water-soluble precursor solution containing at least one silicon precursor without substantially containing halogen; and applying a heat source selected from thermal plasma, flame spraying, a hot-wall reactor or a spray pyrolysis system with the silicon precursor to produce multi-elemental silicon materials. - 特許庁