マルチステップ法の英語

マルチステップ・ラティス・ボクセル法例文帳に追加

MULTI-STEP LATTICE VOXEL METHOD - 特許庁

マルチステップ研磨技術による、侵食およびディッシングが低減された銅の研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for polishing copper with reduced erosion and dishing, according to a multi-step polishing technique. - 特許庁

マルチステップにて行うゲート電極ドライエッチングにおいて、ゲート酸化膜破れの生じないより高選択性を有するドライエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a dry etching method having higher selectivity and causing no breakage of a gate oxide film when dry etching a gate electrode in multistep. - 特許庁

多数の署名装置（１１、１３、１５、１７、１９）を用いるマルチステップ署名システム及び方法は単一の公開照合鍵をもちいて照合される単一の署名を添付する。例文帳に追加

A multi-step signing system and method uses multiple signing devices (11, 13, 15, 17, 19) to affix a single signature which can be verified using a single public verification key. - 特許庁

ビア孔５及び配線溝１３に対して、それぞれバリアメタル膜６，１４の成膜態様を最適化、ここでは共にスパッタ法を用い、バリアメタル膜６の形成には例えばマルチステップ・スパッタ法を、バリアメタル膜１４の形成には例えば１ステップの低パワー・スパッタ法を適用する。例文帳に追加

In order to optimize the film forming embodiments of barrier metal films 6, 14 for a via hole 5 and wiring groove 13 respectively, a sputtering method is used to both of them in this case, for example, a multi-step sputtering method is applied to form the barrier metal film 6 and a low power sputtering method of 1 step is applied to form the barrier metal film 14. - 特許庁

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。例文帳に追加

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps. - 特許庁