メモリの下半分の英語

書き込み対象のデータＤｉｎの冗長化符号処理を行い、所定値をとるビットの個数が全ビット数の半分以下となるデータＲＤｉｎを生成する符号処理回路１００と、前記符号処理回路により生成されるデータＲＤｉｎが書き込まれるメモリ１２０と、を備える。例文帳に追加

A memory system is provided with a code processing circuit 100 for performing the redundancy code processing of write-in object data Din, and for generating data RDin so that the number of bits as a prescribed value can be turned to be equal to or less than the number of all bits and a memory 120 in which the data RDin generated by the code processing circuit are written. - 特許庁

トンネル効果で電気伝導するゲート絶縁膜２と、このゲート絶縁膜２上の浮遊ゲート電極２１と、この浮遊ゲート電極２１上に配置され、膜厚の半分よりも下層側に正電荷層を有する電極間絶縁膜１１と、この電極間絶縁膜１１上の制御ゲート電極２４とを備えるメモリセルトランジスタを複数個配置する。例文帳に追加

The memory has a plurality of memory cell transistors each comprising a gate insulation film 2 electrically conducting owing to a tunnel effect, a floating gate electrode 21 on the gate insulation film 2, an inter-electrode insulation film 11 formed on the floating gate electrode 21 having a positive charge layer at the layer side of the lower half of a film thickness, and a control gate electrode 24 on the insulation film 11. - 特許庁