下層板の英語

基板１２上に、下層膜１３を介してレジスト１１を積層する。例文帳に追加

A resist layer 11 is deposited on a substrate 12 through the intermediary of a lower film 13. - 特許庁

半導体装置は、基板１０の上に設けられた下層層間絶縁膜１１と、下層層間絶縁膜１１の下層配線溝１３の壁面に沿って形成された下層バリアメタル層１４及び銅膜１５とからなる下層配線１６と、上層プラグ２２ａ及び上層配線２２ｂとを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes a lower layer interlayer insulation film 11 provided on a substrate 10, a lower layer wiring 16 consisting of a lower layer barrier metal layer 14 formed along the wall surface of the lower layer wiring groove 13 of the insulation film 11 and a copper film 15, an upper layer plug 22a, and an upper layer wiring 22b. - 特許庁

下層弾性体１２の下面に、下層弾性体１２より硬質の基板１３が、下層弾性体１２の下面の凸部１２１，１２２と基板１３の上面の凹部１３１，１３２との嵌合によって接合されている。例文帳に追加

A substrate 13 harder than the lower layer elastic body 12 is bonded to the under surface of the lower layer elastic body 12 by fitting between projections 121, 122 on the under surface of the lower layer elastic body 12 and recessed parts 131, 132 on the upper surface of the substrate 13. - 特許庁

ガラス基板１上に非感光性の水溶性樹脂からなる下層２を形成し、この下層上に感光性樹脂からなる上層３を形成する。例文帳に追加

On a glass substrate 1, a lower layer 2 is formed of non- photosensitive water-soluble resin and on the lower layer, an upper layer 3 is formed of photosensitive resin. - 特許庁

基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。例文帳に追加

The semiconductor films of a lower layer and an upper layer are melted by irradiating the substrate with the laser beam above the substrate to crystallize the semiconductor film of the lower layer. - 特許庁

素子基板には、画素電極５５の下層に第２絶縁膜が形成され、第２絶縁膜の下層に共通電極５６が形成される。例文帳に追加

A 2nd insulating film is formed as an under-layer of the pixel electrodes 55, and a common electrode 56 is formed as an under-layer of the 2nd insulating film. - 特許庁

隔壁７は、背面側基板上に配設された下層部７Ｂとその下層部７Ｂの上に配設された上層部７Ｔとからなる。例文帳に追加

The bulkhead 7 is made of a lower layer part 7B provided on the rear side substrate and an upper layer part 7T provided on top of the lower layer part 7B. - 特許庁

基板１上に下層レジスト膜２を形成し、下層レジスト膜２上にシリコンを含有する上層レジストパターンを形成する。例文帳に追加

A lower layer resist film 2 is formed on a substrate 1, and an upper layer resist pattern containing silicon is formed on the lower layer resist film 2. - 特許庁