中性ガス圧力の英語

イオン注入装置のチャンバ１内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上にすることにより、レジスト付きウエーハ２にイオン注入を行っても、レジストからのアウトガスの圧力の割合を低くすることができ、イオンビームの中性化（又はイオン化）に対する影響を少なく抑えることを特徴とする。例文帳に追加

It is possible to lower a ratio of pressure of out gas in a resist and reduce the effect of ion neutralization (or ionization) even when ion implantation on a wafer 2 having the resist is carried out by holding the pressure more than 1×10-4 Torr within a chamber 1 of the ion implantation apparatus. - 特許庁

絶縁体59に窒化珪素を用いることにより、窒化珪素に中性子を照射しても体積変化が少なく膨張しにくいためアルミナに比べて絶縁体59あるいは周囲が割れなどによりアルゴンガス34が流れることがなくなり、アルゴンガス34の圧力の変化による感度の変化を防止できる。例文帳に追加

The silicon nitride is used for the insulator 59, thus preventing the argon gas 34 from flowing to the insulator 59 or the periphery due to cracks or the like as compared with aluminum since change in volume is small and expansion cannot be easily made even if the neutron is applied to the silicon nitride, and hence preventing change in sensitivity due to change in the pressure of the argon gas 34. - 特許庁