二重寄生の英語

スイッチを構成する素子に存在する寄生ダイオードによる悪影響を防止することができる二重化出力装置を提供する。例文帳に追加

To provide a duplexing output device capable of preventing adverse effects of parastic diode which exists in an element configuring a switch. - 特許庁

寄生素子は、信号の送信又は受信あるいその両方を行うために用いられる能動素子も提供しながら、アンテナのアレイ部のエッジ素子に均一なインピーダンスを呈する二重の意図をになう。例文帳に追加

The edge element has two functions; one is to serve as an active element used for transmitting and/or receiving radio wave signal, and the other is to offer uniform impedance to an edge element of the antenna array. - 特許庁

ソース／ドレイン領域下の寄生容量を顕著に低減した二重ゲート型電界効果トランジスタ（ＤＧＦＥＴ）構造体およびそれを形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual gate field-effect transistor (DGFET) structure, with a significantly reduced parasitic capacity in the source/drain region and its formation method. - 特許庁

寄生バイポーラトランジスタの動作の抑制と二重拡散型ＭＯＳトランジスタのオン抵抗の低減とを好適に両立することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor and the manufacturing method of the same capable of optimally compatible with both of the suppression of operation of a parasitic bipolar transistor, and of the reduction of on-resistance of a double diffused MOS (metal oxide semiconductor) transistor. - 特許庁

ソース／ドレイン領域下の寄生容量を顕著に低減できる二重ゲート型電界効果トランジスタ（ＤＧＦＥＴ）構造体およびその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual-gate field effect transistor (DGFET) structure which can noticeably reduce the parasitic capacitance under its source/drain region, and its manufacturing method. - 特許庁

本発明による二重帯域アンテナは、一端が接地面と接続され、他端が給電部に接続される誘導放射部に加え、一端が接地面と接続され、他端が開放される寄生放射部、を有する。例文帳に追加

The double-band antenna comprises an induction radiating part with one end connected to the ground and the other end connected to a power feeding part and a parasitic radiating part with one end connected to the ground and the other end opened. - 特許庁

高電位がドレインに印加された状態で二重絶縁ゲート電界効果トランジスタをオフ状態とするときのドレイン漏れ電流の増加を軽減し、かつソース、ドレイン寄生抵抗の増加によるオン電流低下が抑制できる二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する例文帳に追加

To provide an insulated double gate field-effect transistor capable of decreasing an increase in drain leakage current when the insulated double gate field-effect transistor is turned off in a state wherein a high potential is applied to the drain, and suppressing a decrease in on current due to an increase in drain parasitic resistance. - 特許庁