二重量子井戸の英語

半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element 20 includes a plurality of layers including an n-type GaAs buffer layer 2 that are formed on an n-type GaAs substrate 1, and an InGaAs multiple quantum well active layer 5 including two InGaAs quantum well layers 5A and 5B having different light-emitting peak wavelengths that is formed on the plurality of layers. - 特許庁

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。例文帳に追加

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure. - 特許庁

化合物半導体で製造された発光ダイオードにおいて、多重量子井戸構造の活性領域より光を発射し、活性領域が上下二層のＩｎＧａＡｌＰと上層のクラッド層でサンドイッチ式に被覆され、活性領域の発光効率が発光ダイオード中で光線を増加し電子反射層を強化する。例文帳に追加

In the luminous diode made of a compound semiconductor, light is emitted from an active region of multiple quantum well structure and the active region is coated in the state of sandwich by upper and lower double layers of InGAlP and an upper clad layer whereby the improvement of the luminous efficiency increases the light beams in the light emitting diode thereby reinforcing an electronic reflection layer. - 特許庁