double quantum well structureとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor crystal may have a structure having a double hetero junction or a structure having a quantum well structure.例文帳に追加

半導体結晶がダブルへテロ接合を有する構成でもよいし、量子井戸構造を有する構成でもよい。 - 特許庁

To provide a material for solid solution semiconductor light emitting element for manufacturing a light emitting element which emits light in an ultraviolet visible wavelength region, is variable in wavelength and operates near room temperature, especially the light emitting element having a lattice matching double hetero-junction structure, a quantum well structure, and a quantum dot structure; and to provide the light emitting element.例文帳に追加

本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a laser element and a material for solid-solution semiconductor laser element, with which a laser element which oscillates in an infrared region of wavelength 0.4-8 μm and operates near room temperature with variable wavelength, especially a laser element of a lattice matched double heterojunction structure and a quantum well structure is manufactured.例文帳に追加

本発明は、波長０．４〜８μｍの赤外領域で発振し、波長可変で室温付近で動作するレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造および量子井戸構造のレーザ素子を製作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor laser in which the quality of a double heterostructure part including an n-type Multiple Quantum Well is enhanced by accelerating surface migration of group III material species thereby flattening the cross-sectional shape of a DH structure part.例文帳に追加

ＩＩＩ族原料種の表面マイグレーションを促進することにより、ＤＨ構造部の断面形状を平坦化することで、ｎ型多重量子井戸構造を含むダブルへテロ構造部の品質を向上させた半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

In the luminous diode made of a compound semiconductor, light is emitted from an active region of multiple quantum well structure and the active region is coated in the state of sandwich by upper and lower double layers of InGAlP and an upper clad layer whereby the improvement of the luminous efficiency increases the light beams in the light emitting diode thereby reinforcing an electronic reflection layer.例文帳に追加

化合物半導体で製造された発光ダイオードにおいて、多重量子井戸構造の活性領域より光を発射し、活性領域が上下二層のＩｎＧａＡｌＰと上層のクラッド層でサンドイッチ式に被覆され、活性領域の発光効率が発光ダイオード中で光線を増加し電子反射層を強化する。 - 特許庁