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井戸群の英語

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英訳・英語 wellfield


JST科学技術用語日英対訳辞書での「井戸群」の英訳

井戸群


「井戸群」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8



例文

井戸と墓地などの遺構が確認例文帳に追加

Remains of water well and series of tombs have been discovered from the site.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この「喜左衛門井戸」は、井戸茶碗と称される一の茶碗の中でも古来名品と称されるものである。例文帳に追加

Kizaemon Ido' tea bowls have been considered to be masterpieces among Ido tea bowls since ancient times.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

汚染地層1中に、流体2を圧入する圧入井戸3と、圧入井戸3から、流体2を、物理作用と化学反応と微生物の代謝と高圧洗浄の何れかの機能を制御する圧力で噴射する流体噴射手段と、噴射された前記流体2が前記汚染地層1を撹拌、洗浄し、汚染物質6を分離または分解させ、汚染地層1における未分解の汚染物質を含む前記流体2を回収する回収井戸群4と、を備えた汚染地層浄化システムにおいて、回収井戸群4の底部近傍から流体2を地上へ押し上げ可能な水中ポンプ90を回収井戸群4の負圧が保持されるように配設した。例文帳に追加

An underwater pump 90 for pushing up the fluid 2 from a neighborhood to the bottom part of the group of recovery wells 4 to the ground is arranged such that a negative pressure of the group of recovery wells 4 is retained. - 特許庁

これにより電荷伝送体64に形成した複数のポテンシャル井戸96の各々に隣接2画素50,50分の光電変換素子60の電荷95をまとめて拘束し駆動パルス列の相変化に応じてそれら各ポテンシャル井戸96を移動させる。例文帳に追加

Thus electric charge 95 in photoelectric transducers 60 for two pixels adjacent to potential wells 96 formed in the electric charge transmission body 64 collectively constrained, and the potential wells 96 are moved in accordance with the phase change of the driving pulse train group. - 特許庁

屍骸を池に捨て、井戸水で身体を洗った後「悪い人でも舅は親、親父どん、堪忍してくだんせ」とだんじりの集にまぎれて去っていく。例文帳に追加

Danshichi threw his body into a pond, washed himself with well water, and disappeared into a crowd of danjiri as 'Though a bad guy, still a father-in-law is a father, Father, I'm sorry.'発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

発光層103を構成する層のうち少なくとも井戸層は、As、PおよびSbよりなるから選ばれる一種以上の元素X、NおよびGaを含む窒化物半導体からなる。例文帳に追加

At least the well layer among the layers constituting the light emission layer 103 is made of a nitride semiconductor containing at least one kind of elements X, N, and Ga selected from a group of As, P, and Sb. - 特許庁

例文

発光層106を構成する層のうち少なくとも井戸層は、As、PおよびSbよりなるから選ばれる一種以上の元素X、NおよびGaを含む窒化物半導体からなる。例文帳に追加

At least the well layer of the layers constituting the light emitting layer 106 is composed of a nitride semiconductor containing one or more kinds of elements X selected from among a group composed of As, P, and Sb, N, and Ga. - 特許庁

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「井戸群」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8



例文

n-GaAs基板101上に、多重歪量子井戸活性層106と第2導電型の半導体層(p-AlGaAs第1上クラッド層108,p-AlGaAs第2上クラッド層109,p-GaAsエッチングストップ層110,p-AlGaAs第3上クラッド層111,p-GaAsコンタクト層112およびp^+-GaAsコンタクト層113)を形成する。例文帳に追加

There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113). - 特許庁

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