伝導帯不連続性の英語

そのため、伝導帯の不連続性が大きくなり、レーザ構造(100)の閾値電流を増大させることなく、高温性能を向上させることができる。例文帳に追加

Therefore, discontinuity of the conduction band becomes large, and high-temperature performance is improved, without increasing the threshold current of the laser structure (100). - 特許庁

クラッド層と活性層との間の屈折率差を確保することができると同時に、伝導帯におけるバンド不連続を大きくとることができる。例文帳に追加

Thus, a refractive index difference between the clad layer and the active layer is secured and, at the same time, band discontinuity in a conduction band is enlarged. - 特許庁

エミッタ／ベース界面の伝導帯不連続が小さくなって、コレクタ電流・電圧特性に見られるオフセット電圧が小さく、ベースリーク電流が低減される。例文帳に追加

Conduction band discontinuity at the interface of an emitter and a base becomes small, an offset voltage that is seen in the collector current and voltage characteristics becomes small, and a base leak current is reduced. - 特許庁

このように障壁層にのみSbを含むため、伝導体のバンド不連続を大きくしても、従来の材料よりも価電子帯のバンド不連続を小さくでき、井戸層の数を増加させた際の正孔と電子の不均一な分布の発生を避けることが可能となり、温度特性の改善や高速変調を実現できる。例文帳に追加

Since only the barrier layer contains Sb, the band discontinuity of the valence band can be reduced, compared to a conventional material even if the band discontinuity of the conduction band is increased, so that the occurrence of a non-uniform distribution of holes and electrons in increasing the number of well layers can be avoided, thereby improving temperature characteristics and achieving high-speed modulation. - 特許庁

活性層６内のバリア層６ａ，６ｃ，６ｄのうちの量子井戸層６ｂ，６ｄによって挟まれたバリア層６ｃと量子井戸層６ｂ，６ｄとの伝導帯側のバンド不連続量ΔＥ_C1は、２６ｍｅＶ以上、３００ｍｅＶ未満に設定される。例文帳に追加

Among the barrier layers 6a, 6c, 6d inside the active layer 6, the band discontinuous amount ΔE_C1 at a conduction band side of the barrier layer 6c held by the quantum well layers 6b, 6d and the quantum well layers 6b, 6d is set at 26 meV or more and 300 meV or less. - 特許庁

活性層４は、Ｎが添加されたことにより、格子定数が小さく、波長が長波長となり、また、Ｎがその電気陰性度が大きいことにより、バンドギャップエネルギーが小さく、かつ、伝導帯のバンド不連続が大きくなり、従来の材料系であるＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた発光素子に比べて、注入キャリアのオーバーフローが激減し、温度特性が向上している。例文帳に追加

Because N is added to the layer 4, lattice constant is small and wavelength is long, in addition, band gap energy is small because of the large electronegativity of N, and band discontinuity in a conduction band increases, overflow in implanted carrier remarkably decreases, and temperature characteristics are improved, as compared with a light emitting device where a GaInAsP/InP based material that is a conventional material is used. - 特許庁