前接合体選択の英語

接合体は、前記異方性導電膜を介して、電子部品及び基板から選択される２種以上が、電気的に接合されてなる。例文帳に追加

Two or more kinds selected from electronic components and circuit boards are electrically bonded through the anisotropic conductive film to form the bonded body. - 特許庁

混合ガス中の水素を選択的に分離するための水素分離膜モジュールは、水素分離膜と少なくとも１枚の多孔性の補強板とを接合した接合体と、前記接合体の補強板側に接合した精製ガス回収路を有するベースプレートと、前記接合体の水素分離膜側に接合した混合ガス中の鉄化合物を取り除く多孔体とを備える。例文帳に追加

The hydrogen separation membrane module for selectively separating hydrogen in a mixed gas includes: a bonded body in which the hydrogen separation membrane and at least one porous reinforcing plate are bonded; a base plate provided with a refined gas recovery path bonded to the reinforcing plate side of the bonded body; and a porous body bonded to the hydrogen separation membrane side of the bonded body, for removing the iron compound in the mixed gas. - 特許庁

前記時間Ｔ１、時間Ｔ２及び時間Ｔ３は、各々前記発電部の膜・電極接合体特性、または、実験で得た好ましいパラメータのいずれかの方式の選択に従って決定する。例文帳に追加

Each of the above hours of T1, T2 and T3 is decided in accordance with selection of either formula of the membrane/electrode assembly characteristics of the power generating part or preferable parameters obtained in the experiment. - 特許庁

その製造方法は、半導体基板上に、少なくともＡｌ含有半導体層を積層し、該Ａｌ含有層を部分的に除去し、該除去された領域に犠牲層を埋め込み、前記Ａｌ含有層および犠牲層上に半導体接合層を積層し、前記犠牲層を選択的に除去した後、前記Ａｌ含有層を選択的に酸化する工程を含む例文帳に追加

At least an Al containing semiconductor layer is laminated on a semiconductor substrate, and the Al containing layer is partially removed, and a sacrificial layer is embedded in the removed area, and a semiconductor joint layer is laminated on the Al including layer and the sacrificial layer, and the sacrificial layer is selectively removed, and the Al including layer is selectively oxidized in this method for manufacturing this semiconductor element. - 特許庁

選択成長工程を含むエピタキシャル成長法により、ｐｎ接合を有する化合物半導体基板を製造する方法において、選択成長工程より前のすべてのエピタキシャル成長工程における最高温度より、該エピタキシャル成長工程より後の工程における最高温度を低くすることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。例文帳に追加

In the method of manufacturing the compound semiconductor board having the pn junctions using the epitaxial growth method including the selective growth process, the maximum temperature of the epitaxial growth processes after the selective growth process is made lower than that of the entire epitaxial growth processes before the selective growth process. - 特許庁

ＩＧＢＴ部２０と、ＩＧＢＴ部２０の異常状態を検知する制御回路２１を備え、前記ＩＧＢＴ部２０のｐコレクタ領域５側のｐｎ接合界面には、バッテリ電圧より高いｐｎ接合耐圧を有するように設定されるｎ型バッファ領域４６を選択的に形成する構成を備える半導体装置とする。例文帳に追加

The semiconductor device is equipped with: an IGBT section 20; and a control circuit 21 detecting an abnormal condition of the IGBT section 20, and also is provided with a configuration of selectively forming an n-type buffer area 46 set up so as to have a pn junction breakdown voltage higher than a battery voltage, in a pn junction interface in a p collector area 5 side of the IGBT section 20. - 特許庁

本発明はｎチャネル及びｐチャネルに相当する半導体へテロ接合において、金属もしくは金属間化合物で形成されたソース及びドレインと前記半導体の各チャネルに用いた半導体層との間に形成されるショットキー障壁の高さφ_Bの違いを用いて各チャネルに選択的にキャリア注入をできるようにする。例文帳に追加

In a semiconductor hetero junction corresponding to the N channel and the P channel, a difference in height ϕB of a Schottky barrier formed between a source and drain formed of metal or intermetallic compound and a semiconductor layer used for each channel of a semiconductor is used for enabling selectively injecting the carriers into each channel. - 特許庁