半導体カウンターの英語

カウンター回路及びそれを内蔵した半導体集積回路例文帳に追加

COUNTER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCORPORATING THE SAME - 特許庁

メモリが有するセルのキャパシタに接続される基準電圧源と、セルに書き込まれるデータを保持するバッファ回路と、前記バッファ回路の保持するデータに応じて、セルのデータの書き換え時に生じるノイズ電流を打ち消すカウンターノイズ電流を前記基準電圧源へ出力するカウンターノイズ発生回路を有する半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

The semiconductor storage device has a reference voltage source connected to the capacitor of a cell included in a memory; a buffer circuit which holds data to be written in the cell; and a counter noise generation circuit which outputs a counter noise current canceling the noise current occurring when rewriting the data held in the cell to the reference voltage source according to data held by the buffer circuit. - 特許庁

半導体装置は、Ｎウェル１０１上に絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極１０５と、ゲート電極１０５の下のＮウェル１０１の表面領域にＰ型不純物を導入することによって形成したカウンター不純物層１０８とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device has a gate electrode 105 formed above an N-well 101 via an insulating film 103 and has a counter impurity layer 108 formed by introducing a p-type impurity into the surface region of the n-well 101 which is present under the gate electrode 105. - 特許庁

酸の作用によりアルカリ性現像液に対する溶解性が変化するベースポリマーと、カウンターアニオンを構成する芳香環のメタ位に少なくとも１つの電子吸引性基が導入されておりエネルギービームが照射されると酸を発生する酸発生剤とを有するポジ型の化学増幅型レジスト材料よりなり、２５０ｎｍ以下の膜厚を持つレジスト膜１１を半導体基板１０の上に形成する。例文帳に追加

A resist film 11 having ≤250 nm thickness and comprising a chemical amplification type positive resist material comprising a base polymer having solubility in an alkaline developing solution varied by the action of an acid and an acid generator in which at least one electron withdrawing group has been introduced into the meta-positions of an aromatic ring constituting a counter anion and which generates the acid when irradiated with energy beams is formed on a semiconductor substrate 10. - 特許庁