反磁性効果の英語

反強磁性体膜とそれを用いた交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置例文帳に追加

ANTIFERROMAGNETIC FILM, EXCHANGE-COUPLING FILM USING THE SAME, MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC DEVICE - 特許庁

磁性膜の磁化反転方法、磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気メモリ例文帳に追加

METHOD OF INVERSION OF MAGNETIZATION FOR MAGNETIC FILM, MAGNETIC RESISTANCE EFFECT FILM AND MAGNETIC MEMORY EMPLOYING THE SAME - 特許庁

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層（固定層）が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。例文帳に追加

As to a ferromagnetic tunnel junction element provided with a tunnel barrier layer pinched between ferromagnetic layers, the ferromagnetic layer (stationary layer) located on an anti-ferromagnetic layer side is formed of, at least, a two or more-layered ferromagnetic film. - 特許庁

磁束ガイド１０の磁化と、ＧＭＲ効果或いはＴＭＲ効果磁気抵抗センサ膜の自由層である第１の強磁性層２２とを、非磁性中間層２１を介して反強磁性的に結合させる。例文帳に追加

Magnetization of the magnetic flux guide 10 and a first ferromagnetic layer 22 which is a free layer of a GMR or TMR effect sensor film are bonded anti-ferromagnetically through a non-magnetic intermediate layer 21. - 特許庁

磁気抵抗効果素子１は、非磁性中間層１２を介して積層された強磁性フリー層１４及び強磁性ピンド層１０と、強磁性ピンド層１０の磁化を固定する反強磁性ピニング層８とを備えた磁気抵抗効果膜１ｘを有している。例文帳に追加

The magnetoresistive effective element 1 includes a magnetoresistive film 1x having a ferromagnetic free layer 14 and a ferromagnetic pinned layer 10 laminated through a nonmagnetic intermediate layer 12, and an anti-ferromagnetic pining layer 8 fixing magnetization of the ferromagnetic pinned layer 10. - 特許庁

反強磁性層１ａ、１ｂ、磁化固定層２ａ、２ｂ、磁化自由層３、非磁性層４及び磁化固定層５を具備する磁気抵抗効果素子を用いる。例文帳に追加

The magnetoresistive effect element comprises antiferromagnetic layers 1a and 1b, magnetizing fixed layers 2a and 2b, a magnetizing free layer 3, a nonmagnetic layer 4, and a magnetizing fixed layer 5. - 特許庁

さらに、固定磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層を、巨大磁気抵抗効果素子よりもハイト方向奥側の位置に備える。例文帳に追加

Further, an antiferromagnetic layer that fixes the magnetization direction of the fixed magnetic layer is provided at a position deeper in a height direction than that of the giant magnetoresistive element. - 特許庁