「反磁性効果」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。例文帳に追加

A magnetoresistive laminated film 10 is formed by laminating a substrate film 14, an anti-ferromagnetic film 11, a ferromagnetic fixed layer 15, a non-magnetic intermediate layer 12, a soft magnetic free layer 13, a long distance anti-parallel coupling laminated film 17, and a differential soft magnetic free layer 16. - 特許庁

磁気抵抗効果素子は、窒化物で形成される下地層５２上に反強磁性層５３は積層される。例文帳に追加

The magnetoresistance effect element includes an antiferromagnetic layer 53 laminated on a base layer 52 formed of nitride. - 特許庁

反強磁性体膜とそれを用いた交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置例文帳に追加

ANTIFERROMAGNETIC FILM, EXCHANGE-COUPLING FILM USING THE SAME, MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC DEVICE - 特許庁

磁性膜の磁化反転方法、磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気メモリ例文帳に追加

METHOD OF INVERSION OF MAGNETIZATION FOR MAGNETIC FILM, MAGNETIC RESISTANCE EFFECT FILM AND MAGNETIC MEMORY EMPLOYING THE SAME - 特許庁

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層（固定層）が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。例文帳に追加

As to a ferromagnetic tunnel junction element provided with a tunnel barrier layer pinched between ferromagnetic layers, the ferromagnetic layer (stationary layer) located on an anti-ferromagnetic layer side is formed of, at least, a two or more-layered ferromagnetic film. - 特許庁

磁束ガイド１０の磁化と、ＧＭＲ効果或いはＴＭＲ効果磁気抵抗センサ膜の自由層である第１の強磁性層２２とを、非磁性中間層２１を介して反強磁性的に結合させる。例文帳に追加

Magnetization of the magnetic flux guide 10 and a first ferromagnetic layer 22 which is a free layer of a GMR or TMR effect sensor film are bonded anti-ferromagnetically through a non-magnetic intermediate layer 21. - 特許庁

磁気抵抗効果素子１は、非磁性中間層１２を介して積層された強磁性フリー層１４及び強磁性ピンド層１０と、強磁性ピンド層１０の磁化を固定する反強磁性ピニング層８とを備えた磁気抵抗効果膜１ｘを有している。例文帳に追加

The magnetoresistive effective element 1 includes a magnetoresistive film 1x having a ferromagnetic free layer 14 and a ferromagnetic pinned layer 10 laminated through a nonmagnetic intermediate layer 12, and an anti-ferromagnetic pining layer 8 fixing magnetization of the ferromagnetic pinned layer 10. - 特許庁

反強磁性層１ａ、１ｂ、磁化固定層２ａ、２ｂ、磁化自由層３、非磁性層４及び磁化固定層５を具備する磁気抵抗効果素子を用いる。例文帳に追加

The magnetoresistive effect element comprises antiferromagnetic layers 1a and 1b, magnetizing fixed layers 2a and 2b, a magnetizing free layer 3, a nonmagnetic layer 4, and a magnetizing fixed layer 5. - 特許庁

さらに、固定磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層を、巨大磁気抵抗効果素子よりもハイト方向奥側の位置に備える。例文帳に追加

Further, an antiferromagnetic layer that fixes the magnetization direction of the fixed magnetic layer is provided at a position deeper in a height direction than that of the giant magnetoresistive element. - 特許庁

磁気抵抗効果再生ヘッドおよび磁気トンネル接合装置に組み込まれる積層構造は、改良された反強磁性結合(ＡＦＣ)膜に対して反強磁性的に結合された２層の強磁性層の強磁性構造を有する。例文帳に追加

A layer structure incorporated in the magnetoresistance effect reproducing head and the magnetic tunnel junction device has a ferromagnetic structure of two ferromagnetic layers which are antiferromagnetically coupled against an improved antiferromagnetic coupled (AFC) film. - 特許庁

書き込み動作時には、強磁性ワード線と前記非磁性ビット線との間に電流を流し、強磁性ワード線から非磁性ビット線にスピンを蓄積させることで磁気抵抗効果素子の自由層の磁化方向を反転させる。例文帳に追加

In writing operation, a current is supplied to between the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line and then spins are accumulated in the nonmagnetic bit line from the ferromagnetic word line to invert the magnetization direction of a free layer of the magneto-resistance effect element. - 特許庁

ハーフメタル強磁性層１２に反強磁性層１３を隣接させることにより、従来の強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に比べ磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい且つ高出力な強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッドを得る。例文帳に追加

The ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect head having smaller bias dependency of the magnetic resistance ratio as compared with the conventional ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect element and also having the higher output power is obtained by placing an antiferromagnetic layer 13 adjacent to a half metal ferromagnetic layer 12. - 特許庁

耐蝕性の高い反強磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、耐蝕性が高く、かつ反強磁性を付与するための加熱処理の温度が低い材料からなる反強磁性層を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect element having an antiferromagnetic layer made of an antiferromagnetic material with high corrosion resistance and antiferromagnetism obtained by a low-temperature heat treatment. - 特許庁

磁気抵抗効果素子を構成する反強磁性層の下地層に第１下地強磁性層／第１下地非磁性層／第２下地強磁性層といった構造とすることで、自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向に対して下地層を構成する磁性体が影響を及ぼすことを低減して、出力特性の向上と熱的に安定した特性を示す磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

A magnetoresistive effect element which is improved in output characteristic and shows thermally stable characteristics is obtained by reducing the influence of a magnetic material constituting the foundation layer of an antiferromagnetic layer constituting the element on the directions of magnetization of the free and fixed magnetic layers by constituting the foundation layer in a three-layer structure of a first ferromagnetic foundation layer, a first nonmagnetic foundation layer, and a second ferromagnetic foundation layer. - 特許庁

GMR、CPP-GMR、またはTMR磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層体に隣接する積層膜M1は、非磁性膜15を介して反強磁性結合した少なくとも二枚の磁性膜14及び16を備え、または、GMR磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層体の自由層端部領域上部に位置する積層膜M2は、上記と同様の材料または合金である非磁性膜27を介して自由層2と反強磁性結合する磁性層を備えた磁区制御構造である。例文帳に追加

A layered film M2 positioned above the free layer end area of the magneto-resistive effect layered body of the GMR magnetic head has a magnetic domain control structure provided with a magnetic layer antiferromagnetically coupled to a free layer 2 through a nonmagnetic film 27 made of material or an alloy similar to the above. - 特許庁

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a spin MOS field effect transistor including a magnetic body forming an antiferromagnetic coupling with a full Heusler alloy of high spin polarizability, and using a magnetoresistive effect element with a high TMR ratio. - 特許庁

反強磁性層と固定層の交換結合磁界が低下することなく、スピン依存散乱を十分に得ることができ、従来よりもＧＭＲ効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive effect element and a magnetoresistive effect head which can sufficiently obtain spin dependent scattering without lowering an exchange coupling magnetic field between a diamagnetic layer and a fixed layer and has higher GMR effect than usual. - 特許庁

本発明に係る磁気抵抗効果膜２は、ハーフメタリック反強磁性体からなるハーフメタリック反強磁性層21と、非磁性スペーサ層22と、磁化の方向が変化する磁化自由層23とを積層して構成されている。例文帳に追加

The magnetoresistance effect film 2 is constituted by laminating a half metallic antiferromagnetic layer comprising a half metallic antiferromagnetic layer 21, a nonmagnetic spacer layer 22, and a magnetization free layer 23 of which the direction of magnetization is changed. - 特許庁

磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。例文帳に追加

In the magnetic memory, the movable layer of a magnetic element is the 2-layer structure of a ferromagnetic layer and an oxide antiferromagnetic layer having an electromagnetic effect, and voltage induced magnetization reversal is used as an information input system. - 特許庁

磁気抵抗効果型ヘッドの素子部２０は、反強磁性層１、第１固定層２、反強磁性結合層４、第２固定層５、非磁性導電層６、自由層７が積層されている。例文帳に追加

In an element portion 20 of the magneto-resistance effect type head, the antiferromagnetic layer 1, a first fixed layer 2, an antiferromagnetic coupling layer 4, a second fixed layer 5, a non-magnetic conductive layer 6 and a free layer 7 are layered. - 特許庁

巨大磁気抵抗効果素子内に反強磁性層を備えずに固定磁性層の磁化方向を安定させることができ、シールド層のＡＭＲ効果によるノイズとジュール熱を低減可能なＣＰＰ型巨大磁気抵抗効果ヘッドを得る。例文帳に追加

To obtain a CPP giant magnetoresistance head, with which the magnetization direction of a pinned magnetic layer can be stabilized without preparing an anti-ferromagnetic layer in a giant magnetoresistance element, and a noise and joule heat due to the AMR effect of a shield layer can be reduced. - 特許庁

軟磁性層２３と接してＰｄ、Ｍｎを主成分とする反強磁性層２４ａ，２４ｂが形成されている磁気抵抗効果素子の製造方法であって、反強磁性層２４ａ，２４ｂを形成する工程と、次いで、反強磁性層２４ａ，２４ｂを加熱処理することにより反強磁性層２４ａ，２４ｂに３０エルステッド以上の反強磁性を付与する工程とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method of a magnetoresistive effect element which has palladium- or manganese-based antiferromagnetic layers 24a and 24b adjacent to a soft magnetic layer 23 comprises a process in which the antiferromagnetic layers 24a and 24b are formed and a process in which antiferromagnetism of at least 30 oersted is given to the antiferromagnetic layers 24a and 25b by heat treatment. - 特許庁

リン酸カルシウムと正磁性物質及び反磁性物質を主体とする多孔性物質の表面に酸化チタンが把持されると共に、磁気化処理されている浄化・殺菌効果に優れた磁性セラミックス水処理材を開示する。例文帳に追加

The magnetic ceramic water treatment material excellent in cleaning/sterilization effect is constituted by depositing titanium oxide on the surface of a porous substance based on calcium phosphate, a positive magnetic substance and a diamagnetic substance and subjected to magnetization treatment. - 特許庁

強く反強磁性的に結合した２層の強磁性膜からなるセルフピン型強磁性固定層を用いたスピンバルブ磁気抵抗効果膜から第一から第八のセンサユニット５１１，５２２，５２３，５１４，５３１，５４２，５４３，５３４を作製する。例文帳に追加

A first to eighth sensor units 511, 522, 523, 514, 531, 542, 543, 534 are manufactured from a spin valve magnetoresistance effect film using a self pin type ferromagnetic fixed layer composed of two layers of ferromagnetic films coupled strongly anti-ferromagnetically. - 特許庁

磁気抵抗効果素子は、反強磁性層４１、第１強磁性層（固定層）４２、絶縁層４３、第２強磁性層（自由層）４４およびフラックスガイド層６とから構成されている。例文帳に追加

A TMR element is constituted of a anti-ferromagnetic layer 41, a first ferromagnetic layer (fixed layer) 42, an insulation layer 43, a second ferromagnetic layer (free layer) 44 and a flux guide layer 6. - 特許庁

そして、この歪をかかる部分に形成された磁性薄膜に伝達させることにより、前記磁性薄膜が有する磁気弾性効果によって、前記磁性薄膜の磁化を反転させ、書き込みを行う。例文帳に追加

Then, by transmitting the distortion to the magnetic thin film formed on such a part, the magnetization of the magnetic thin film is reversed by a magnetic elastic effect provided in the magnetic thin film, and the write-in is performed. - 特許庁

磁気抵抗効果素子の強磁性層に交換結合型フェリ磁性層あるいは非晶質層と界面磁性層を用いることにより、反磁界を小さくする。例文帳に追加

For a ferroelectric layer of the magnetoresistive device, an exchange coupling type ferrimagnetic layer or an amorphous layer and interface magnetic layer is used to reduce a diamagnetic field. - 特許庁

本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効果ヘッドは、軟質磁性の自由層Ｆ、導電性のスペーサ層Ｓ、及び硬質の反強磁性膜１７ａ５と同反強磁性膜により磁化が固着された磁性膜１７ａ４を含む固着層Ｐを積層したスピンバルブ膜１７ａを有している。例文帳に追加

This spin valve type magneto-resistance effect head has a spin valve film 17a in which a soft magnetic free layer F, a conductive spacer layer S and a fixed layer P including a hard antiferromagnetic film 17a5 and a magnetic film 17a4 in which magnetization is fixed by the antiferromagnetic film are laminated. - 特許庁

本発明に係る磁気抵抗効果膜は、基板上に、下地層、第一の強磁性体層、非磁性体層、第二の強磁性体層及び反強磁性体層が順に積層されてなる磁気抵抗効果膜において、前記第一の強磁性体層は、結晶粒径が５ｎｍ以上１４ｎｍ以下である前記下地層の上に、エピタキシャル成長していることを特徴とする。例文帳に追加

In a magnetic resistance effect film where a base layer, a first ferromagnetic layer, a non-magnetic layer, a second ferromagnetic layer and an anti-ferromagnetic layer are stacked in order on a substrate, the first ferromagnetic layer is epitaxially grown on the base layer where a crystal particle size is 5 nm-14 nm. - 特許庁

反強磁性体膜の製造方法、交換結合膜の製造方法、磁気抵抗効果素子の製造方法、および磁気装置の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF ANTIFERROMAGNETIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF EXCHANGE COUPLING FILM, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC DEVICE - 特許庁

スパッタリングタ—ゲットと、それを用いて形成した反強磁性体膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置例文帳に追加

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM FORMED BY USING THE SAME, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE - 特許庁

Ｘ−Ｍｎタイプの反強磁性材料を使用したスピンバルブ型磁気抵抗効果多層膜において交換結合磁界を向上する。例文帳に追加

To enhance a switched-connection magnetic field in a spin valve type magnetoresistance effect multilayered film formed using an X-Mn type anti-ferromagnetic material. - 特許庁

封印テープ１Ａを切断する前は、所定の交番電界の印加によって感磁性素子は大バルクハウゼン効果によって磁化反転を生じる。例文帳に追加

Before cutting this sealing tape 1A, the sensitive magnetic elements produce magnetic reversal by a large Barkhausen effect when a predetermined ac electric field is applied. - 特許庁

第一の反強磁性体層５１によって、磁気制御層５による磁気抵抗効果膜１２における磁区制御を安定化できる。例文帳に追加

Controlling of magnetic domains by the magnetic controlling layers 5 in the magneto-resistance effect film 12 can be stabilized by the first antiferromagnetic layer 51. - 特許庁

磁性層、前記磁性層上の光学可変効果発生層、前記磁性層と前記光学可変効果発生層の間の非導電性透明反射向上層を含み、 前記非導電性透明反射向上層と前記磁性層の間に光学的不明瞭化層をさらに含み、 前記光学的不明瞭化層が、単色または多色設計規定視覚読み取り情報で提供されている光学可変磁気ストライプアセンブリ。例文帳に追加

An optically variable magnetic stripe assembly includes a magnetic layer, an optically variable effect generating layer on the magnetic layer, and a non-conductive reflective layer, and further includes an optically opaquing layer between the non-conductive transparency and reflectivity improving layer and the magnetic layer while the optically opaquing layer is provided by a single-color or multiple-color design-provision-visually-reading information. - 特許庁

磁性体が交番磁界内で急激な磁化反転を生じることによる磁界変動を検出し、該磁性体が磁界内にあること検知する磁性体検知装置において、大バルクハウゼン効果による信号からノイズによる影響を排除し、高い精度で磁性体を検出する。例文帳に追加

To detect a magnetic body with high accuracy by removing an influence of a noise from a signal by a large Barkhausen effect, in a magnetic body detection device for detecting magnetic field fluctuation due to the generation of sudden magnetization inversion of the magnetic body in an alternating field, to thereby detect that the magnetic body exists in a magnetic field. - 特許庁

磁区制御膜を磁気抵抗効果積層膜上に同一トラック幅で形成し、端部が結合して閉磁路を形成する構成を、軟磁性自由層１３、単磁区化強磁性層４５に加えて軟磁性反平行層１３２の三層の磁性層により、二重の閉磁路構造をとるように構成する。例文帳に追加

Configuration for forming a closed magnetic circuit, in which magnetic domain control film is formed with the same track width on a magnetoresistive effect laminating film and an end part is joined together, is configured to take double closed magnetic circuit structure with a trilaminar magnetic layer of a soft magnetic antiparallel layer 132 in addition to a soft magnetic free layer 13 and a single magnetic domain ferromagnetic layer 45. - 特許庁

前記再生ヘッドはスピンバルブ層を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドであり、前記スピンバルブ層は磁化自由層、磁化固定層および反強磁性層を有し、該反強磁性層はイリジウムおよびマンガンを含む合金からなる。例文帳に追加

This spin valve layer has a free magnetization layer, a magnetization fixed layer, and an antiferromagnetic layer made of an alloy containing iridium and manganese. - 特許庁

積層フェリ型の磁化固定層をピン止めするための第１反強磁性層と磁化フリー層を磁区制御するための第２反強磁性層を有し、これらが略直交に設定されている磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive effect element having a first anti-ferromagnetic layer for pinning a stacked ferromagnetic type magnetization fixation layer and a second anti-ferromagnetic layer for controlling the magnetic domain of a magnetiszation free layer which are crossed nearly orthogonally to each other. - 特許庁

各磁気抵抗効果素子の固定磁性層２１はセルフピン止め型であり、直列回路を構成する磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｄ（１３ｂ，１３ｃ）同士は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が反平行となっている。例文帳に追加

A fixed magnetic layer 21 of each of the magnetic resistance effect elements is of a self-pinned type, and sensitivity axis directions P1 through P4 of the magnetic resistance effect elements 13a and 13d (13b and 13c) making up a serial circuit are antiparallel to each other. - 特許庁

本発明に係る磁気抵抗効果膜は、基板上に、面心立方晶の下地層、Ｍｎを含む合金からなる第一の反強磁性体層、第一の強磁性体層、第一の非磁性体層及び第二の強磁性体層が順に積層されてなる磁気抵抗効果膜において、前記下地層の膜厚が７ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The film thickness of a base layer is set to be 7 nm-12 nm in a magnetic resistance effect film where the base layer of face-centered cube, a first anti-ferromagnetic layer formed of alloy containing Mn, a first ferromagnetic layer, a first non-magnetic layer and a second ferromagnetic layer are stacked on a substrate in order. - 特許庁

磁気素子１は、基板６上に第１の強磁性体電極３及び第２の強磁性体電極４を隔置し磁気素子本体２と、第１の強磁性体電極３に接触して高スピンホール効果を有する電極５を配設し、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流して第１の強磁性体電極３へスピン注入して磁化反転する。例文帳に追加

The magnetic element 1 places a first ferromagnetic electrode 3 and a second ferromagnetic electrode 4 on a substrate 6 at intervals, and arranges those so as to contact an electrode 5 having a high spin hole effect to a magnetic element body 2 and the ferromagnetic electrode 3 to supply the current to the electrode 5 having the high spin effect, spin-injecting to magnetization-invert the first ferromagnetic electrode 3. - 特許庁

半導体光集積装置及びその製造方法に関し、ＭｎＡｓ、ＭｎＳｂなどをベースとする希薄磁性混晶半導体と比較して大きな磁気光学効果を示す希薄磁性混晶半導体を実現し、ファラデー効果を利用する光アイソレータなどの非相反性光素子を得られるようにする。例文帳に追加

To obtain a nonreciprocal optical element such as an optical isolator using Faraday effect by actualizing a diluted magnetic mixed crystal semiconduc tor which has larger magnetooptic effect than a diluted magnetic mixed crystal semiconductor based upon MnAs, MnSb, etc. - 特許庁

磁気抵抗効果膜がABS面に露出した磁気抵抗効果素子において、サイドトラックシールドを目的とした軟磁性膜からなるシールド部３０ａ、３０ｂが、積層フェリ構造を構成する第１のフリー層１４ａ、反強磁性結合層１５および第２のフリー層１４ｂを挟んで配置されている。例文帳に追加

In the magnetoresistance effect element wherein the magnetoresistance effect film is exposed to the ABS surface, shields 30a and 30b consisting of a soft magnetism film for shielding a side truck are arranged by sandwiching a first free layer 14a that constitutes laminated ferri-structure, an antiferromagnetism combining layer 15 and a second free layer 14b. - 特許庁