多層成長の英語

クラックの生成を抑制した結晶成長方法およびその結晶成長方法によって形成される多層構造体を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal growth method which restrains generation of cracks and a multilayer structure which is formed by the method. - 特許庁

多層の結晶成長が可能な膜厚均一性のよい液相エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for liquid-phase epitaxial growth capable of growing a multilayered crystal and good in uniformity of the film thickness. - 特許庁

多層成長層をバッチ処理により容易に形成できる液相エピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid phase-epitaxial growth method by which a multilayered growth layer can be easily formed through a batch treatment. - 特許庁

珪素基板の上に、バッファ層として多層構造層を制御性良く結晶成長させることにより、多層構造層の上に、クラックを生じることなく、窒化物半導体層を厚く結晶成長する。例文帳に追加

To crystal-grow a thick nitride semiconductor layer on a multilayered structure layer without causing cracks by crystaly growing the multilayered structure layer as a buffer layer on a silicon substrate with good controllability. - 特許庁

本発明の半導体基板の製造方法は、エピタキシャル成長法によって、結晶成長用基板１０１の表面に第１半導体多層膜１３０を形成するとともに、結晶成長用基板１３０の裏面に第２半導体多層膜１５０を形成する。例文帳に追加

Through epitaxial growth, a 1st semiconductor multilayered film 130 is formed on the top surface of a substrate 101 for crystal growth, and a 2nd semiconductor multilayered film 150 is formed on the reverse surface of the substrate 130. - 特許庁

高結晶化度の多層カーボンナノチューブを得るべく、気相成長法で得た多層カーボンナノチューブに、その生成温度を超える高温加熱処理を施す従来の多層カーボンナノチューブの製造方法の課題を解消する。例文帳に追加

To solve problems of a conventional method for manufacturing multilayer carbon nanotubes in which multilayer carbon nanotubes obtained by a vapor phase growth method are subjected to a high temperature heating process over the generation temperature of carbon nanotubes, so as to obtain multilayer carbon nanotubes in a high crystallization degree. - 特許庁

２．３ｎｍ〜４．４ｎｍの軟Ｘ線領域に用いる多層膜ミラーを作製する方法にであり、多層膜をエピタキシャル成長で積層させることにより多層膜内の結晶欠陥を減少させ、軟Ｘ線の反射率を向上させるものである。例文帳に追加

To provide a method of producing a multilayer film mirror used in a soft X-ray region of 2.3 to 4.4 nm, which comprises stacking the multilayer film by epitaxial growth and by which crystal defects in the multilayer film can be reduced and the reflectivity to soft X-rays can be improved. - 特許庁

活性層１１とそれを半導体埋込成長した構造の上下に、半導体層２４／半導体層２５の上部多層半導体層２６と、半導体層３／半導体層４の下部多層半導体層５を有する。例文帳に追加

There is provided an upper semiconductor multilayer 26, which contains semiconductor layers 24 and 25, over a structure in which an active layer 11 is embedded in a semiconductor and grown, and a lower semiconductor multilayer 5, which contains semiconductor layers 3 and 4 grown under the structure. - 特許庁