「多層成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

歪みを形成することなく、単層または多層の量子ドット層を成長させる。例文帳に追加

To grow at least one quantum dot layer without causing distortion. - 特許庁

炭素ナノチューブのマトリックスの成長装置及び多層の炭素ナノチューブのマトリックスの成長方法例文帳に追加

DEVICE FOR GROWING MATRIX OF CARBON NANOTUBE, AND METHOD FOR GROWING MATRIX OF MULTI-LAYERED CARBON NANOTUBE - 特許庁

クラックの生成を抑制した結晶成長方法およびその結晶成長方法によって形成される多層構造体を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal growth method which restrains generation of cracks and a multilayer structure which is formed by the method. - 特許庁

多層の結晶成長が可能な膜厚均一性のよい液相エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for liquid-phase epitaxial growth capable of growing a multilayered crystal and good in uniformity of the film thickness. - 特許庁

多層成長層をバッチ処理により容易に形成できる液相エピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid phase-epitaxial growth method by which a multilayered growth layer can be easily formed through a batch treatment. - 特許庁

珪素基板の上に、バッファ層として多層構造層を制御性良く結晶成長させることにより、多層構造層の上に、クラックを生じることなく、窒化物半導体層を厚く結晶成長する。例文帳に追加

To crystal-grow a thick nitride semiconductor layer on a multilayered structure layer without causing cracks by crystaly growing the multilayered structure layer as a buffer layer on a silicon substrate with good controllability. - 特許庁

本発明の半導体基板の製造方法は、エピタキシャル成長法によって、結晶成長用基板１０１の表面に第１半導体多層膜１３０を形成するとともに、結晶成長用基板１３０の裏面に第２半導体多層膜１５０を形成する。例文帳に追加

Through epitaxial growth, a 1st semiconductor multilayered film 130 is formed on the top surface of a substrate 101 for crystal growth, and a 2nd semiconductor multilayered film 150 is formed on the reverse surface of the substrate 130. - 特許庁

高結晶化度の多層カーボンナノチューブを得るべく、気相成長法で得た多層カーボンナノチューブに、その生成温度を超える高温加熱処理を施す従来の多層カーボンナノチューブの製造方法の課題を解消する。例文帳に追加

To solve problems of a conventional method for manufacturing multilayer carbon nanotubes in which multilayer carbon nanotubes obtained by a vapor phase growth method are subjected to a high temperature heating process over the generation temperature of carbon nanotubes, so as to obtain multilayer carbon nanotubes in a high crystallization degree. - 特許庁

２．３ｎｍ〜４．４ｎｍの軟Ｘ線領域に用いる多層膜ミラーを作製する方法にであり、多層膜をエピタキシャル成長で積層させることにより多層膜内の結晶欠陥を減少させ、軟Ｘ線の反射率を向上させるものである。例文帳に追加

To provide a method of producing a multilayer film mirror used in a soft X-ray region of 2.3 to 4.4 nm, which comprises stacking the multilayer film by epitaxial growth and by which crystal defects in the multilayer film can be reduced and the reflectivity to soft X-rays can be improved. - 特許庁

活性層１１とそれを半導体埋込成長した構造の上下に、半導体層２４／半導体層２５の上部多層半導体層２６と、半導体層３／半導体層４の下部多層半導体層５を有する。例文帳に追加

There is provided an upper semiconductor multilayer 26, which contains semiconductor layers 24 and 25, over a structure in which an active layer 11 is embedded in a semiconductor and grown, and a lower semiconductor multilayer 5, which contains semiconductor layers 3 and 4 grown under the structure. - 特許庁

前記多層ＣＮＴに含まれるグラフェンシートにより形成され、前記多層ＣＮＴの成長基点から遠い側の端部に同心状に形成される複数の環状の切り口が、導電層にそれぞれ接触する。例文帳に追加

A plurality of annular cut areas formed in concentric circular states by a graphene sheet contained in the multilayered CNT at the end of the CNT on the side far from the growing base point of the CNT is respectively brought into contact with the conductive layers. - 特許庁

十八　次のいずれかに該当するものの多層膜からなるヘテロエピタキシャル成長結晶を有する基板例文帳に追加

(xviii) Substrates having multiple layers consisting of heteroepitaxial growth crystals that fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

次に、 III族窒化物系化合物半導体の結晶成長によりＬＥＤの半導体結晶の多層構造を形成する。例文帳に追加

Then, an LED of semiconductor crystal of multilayered structure is formed, by growing a III nitride compound semiconductor crystal. - 特許庁

半導体積層体２は、ＧａＡｓ基板１０１に成長形成された黄色発光層であるＩｎＡｌＰ／ＩｎＧａＡｌＰ多層膜１０２とコンタクト層１０３を含む。例文帳に追加

A semiconductor laminate 2 includes An InAlP/InGaAlP multilayered film 102 which is a yellow light-emitting layer grown/formed on the GaAs substrate 101. - 特許庁

半導体層を多層用いる本発明の光半導体素子では歪量子井戸のみを前記面方位で成長させてもよい。例文帳に追加

Since this optical semiconductor is formed having many semiconductor layers, only the strained quantum well may be grown along the plane orientation with the lower piezoelectric field. - 特許庁

化学的気相成長法または液相成長法により多層カーボンナノチューブ３を生成する際に、化学的気相成長法または液相成長法の主反応剤（ＣＨ_4、Ｈ_2 ）の他に吸熱反応性の反応補助剤（Ｈ_2 Ｓ）を添加して、単層カーボンナノチューブ４を生成する。例文帳に追加

In producing the multi-walled carbon nanotube 3 with a chemical vapor growth method or with a liquid growth method, the single-walled carbon nanotube 4 is produced by adding an auxiliary reactive agent (H_2S) for an endothermic reaction other than main reactants (CH_4, H_2) of the chemical vapor growth method or the liquid growth method. - 特許庁

基板上に成長マスクを形成し、この成長マスクを用いて基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を選択成長させる場合に、成長マスクとして、少なくとも最表面が窒化物からなり、かつ、幅が４．８μｍ以下のストライプ形状の多層膜を用いる。例文帳に追加

At the time of forming a growth mask on a substrate, and selectively growing a nitride system group III-V compound semiconductor on the substrate by using the growth mask, a stripe-shaped multi-layer film at least whose mostsurface is made of nitride, and whose width is 4.8 μm or less is used as the growth mask. - 特許庁

基板となるＳｉ上に３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮをエピタキシャル成長させるときに、有機金属原料により多層（２層）のエピタキシャル成長膜を形成する。例文帳に追加

Upon the epitaxial growth of 3C-SiC or GaN which is effected on a substrate of Si, multi-layered (2 layered) epitaxial growth film is formed of an organic metall material. - 特許庁

温度の変更が完了した後に、第２の半導体光素子のためのIII−Ｖ化合物半導体多層膜３３を成長炉３２で基板Ｅ１上にマスク２７を用いて成長する。例文帳に追加

After change of the temperature is completed, a III-V compound semiconductor multilayer film 33 for a second semiconductor optical element is grown on the substrate E1 by using a mask 27 in the growth furnace 32. - 特許庁

こうした斜め成長結晶粒によれば、多層結晶層３６ではエピタキシャル成長に基づき結晶粒の結晶面は特定の方向に十分に揃えられることができる。例文帳に追加

By such oblique growth crystal grains, crystalline planes of crystal grains can fully be arranged in the prescribed direction based on epitaxial growth in the multilayered crystal layer 36. - 特許庁

多層構造を有する発光ダイオード素子の各層が順次結晶成長されてなる結晶成長用基板を分割して複数の発光ダイオード素子が直線状に配列された棒状体とする。例文帳に追加

A substrate for crystal growth composed by successively crystal- growing the respective layers of a light emitting diode element provided with a multi-layer structure is divided and a bar-shaped body for which the plurality of light emitting diode elements are linearly arrayed is attained. - 特許庁

自転機構上に基板を取り付けた基台をリアクタ内で公転させる装置を用いて、有機金属気相成長法により基板上に第１の半導体層と第２の半導体層を交互に積層して半導体多層反射膜を成長させる際、半導体多層膜の成長効率分布の傾斜を３〜１０（１０^−３／ｍｏｌ）とする。例文帳に追加

When the semiconductor multilayer reflection film is grown by alternately laminating a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on a substrate by an organic metal vapor growth method using an apparatus in which a substrate tray mounting a substrate on a self-rotating mechanism is self-rotated in a reactor, the inclination of the growth effect distribution of the semiconductor multilayer film is set to 3 to 10 (10^-3/mol). - 特許庁

半導体多層膜、例えば、コレクタ、ベース、エミッタに供する各半導体層をエピタキシャル成長により連続して形成する半導体多層膜において、上記コレクタ／ベース及びエミッタ／ベースの各層界面での、結晶性の悪化に伴うリーク電流の発生を抑制する。例文帳に追加

To suppress the generation of a leakage current accompanying the deterioration of crystallinity on respective layer interfaces of a collector and a base and an emitter and the base in a semiconductor multilayer film, for instance the semiconductor multilayer film for which respective semiconductor layers to be used for the collector, the base and the emitter are continuously formed by epitaxial growth. - 特許庁

化合物半導体多層エピタキシャル基板の製造方法において、所定の電気特性を満たすことができるように該多層エピタキシャル基板を構成する各エピタキシャル層の膜厚、不純物濃度及び組成の少なくとも一部を理論計算により決定し、その決定値に従ってエピタキシャル成長を実施する化合物半導体多層エピタキシャル基板の製造方法。例文帳に追加

In this manufacturing method of the compound semiconductor multilayer epitaxial substrate, at least one portion of the film thickness, impurity concentration, and composition of each epitaxial layer for composing the multilayer epitaxial substrate is determined by a theoretical calculation so that specific electrical characteristics can be met, and epitaxial growth is executed according to the determined values. - 特許庁

触媒が存在し且つ所定温度に保持された加熱雰囲気内に炭素源気体を流通し、前記触媒の表面から多層カーボンナノチューブを成長させる触媒気相成長法によって多層カーボンナノチューブを製造する際に、前記触媒として、鉄含有のガーネット粉末を用いることを特徴とする。例文帳に追加

In the process of manufacturing multilayer carbon nanotubes by a catalytic vapor phase growth method in which a carbon source gas is made to flow in a heated atmosphere held at a predetermined temperature in the presence of a catalyst and multilayer carbon nanotubes are grown from the surface of the catalyst, an iron-containing garnet powder is used for the catalyst. - 特許庁

光送信モジュールは、基板１１０と、注入光及び光信号を増幅させる第１の領域１２０ａと、該第１の領域で増幅された前記注入光と同じ波長を持つ光信号を生成する第２の領域１２０ｂとを含む多層結晶成長層１２０と、該多層結晶成長層の各領域に独立して電流を注入する電極手段１５０ａ〜ｃと、を有する。例文帳に追加

The optical transmitting module comprises a substrate 110, a multilayer crystal growth layer 120 which includes a first region 120a for amplifying the injected light and the optical signal and a second region 120b for generating an optical signal equal in wavelength to the injected light as amplified in the first region 120a, and electrode means 150a-150c for independently injecting currents into respective regions of the multilayer crystal growth layer 120. - 特許庁

結晶成長条件の異なる２以上の半導体層を含む多層構造からなる半導体デバイスの製造方法であって、一の半導体層の結晶成長工程１０と他の半導体層の結晶成長工程１２との間における結晶成長中断工程２０において、降温工程２０ａおよび前記降温工程後の昇温工程２０ｃを含む半導体デバイスの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device, having a multilayer surface including two or more semiconductor layers different in crystal growing conditions, comprises a temperature-lowering step 20a and a temperature-rising step 20c, after the temperature-lowering step in a crystal growth interrupted step 20 between a crystal growing step 10 of one semiconductor layer and a crystal growing step 12 of another semiconductor layer. - 特許庁

加熱雰囲気内に炭素源ガスを流通し、前記炭素源ガスと接触する触媒の表面から多層のカーボンナノチューブを成長させる触媒気相成長法によってカーボンナノチューブを製造する際に、前記触媒として、鉄含有の鉱物粉末を用いることを特徴とする。例文帳に追加

When carbon nanotubes are manufactured by a catalytic vapor-phase growth method comprising circulating a carbon source gas in a heating atmosphere and growing multi-walled carbon nanotubes from the surface of a catalyst being brought into contact with the carbon source gas, a mineral powder containing iron is used as the catalyst. - 特許庁

ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶマスク（多層膜反射マスク）のパターンにおける日向面側と日陰面側とにＥＵＶ露光に伴いそれぞれ成長する異物の成長量の差に応じて、ＥＵＶマスクの交換時期又はクリーニング時期を決定する。例文帳に追加

A replacement period or cleaning period of the EUV mask is determined in accordance with the difference in growth amount of the foreign bodies growing through EUV exposure on the sunny side and shade side of the pattern of the EUV mask (multilayer reflective mask) for EUV lithography. - 特許庁

成長力の強い雑草であっても、マルチ層を貫通して成長することを防止でき、また、雑草の成育防止効果を長期間に渡って十分に維持することができ、更にピンを用いずに地面に敷設固定可能で安全であり、しかも敷設の際の作業性のよい多層マルチを提供する。例文帳に追加

To provide a multilayered mulch capable of preventing growth of weeds through a mulch layer even if growing force of weeds is strong and sufficiently keeping growth preventing effect of weeds over a long period and further being laid and fixed on the ground without use of any pin and having good workability in laying. - 特許庁

基板はＳｉ（１００）もしくはＧａＡｓ（１００）面を使用し、その上に水素化窒化炭素薄膜をスパッタ装置およびプラズマＣＶＤ装置によって２層もしくは多層成長し、膜厚増加方向に窒素含有量が増加するように成長させる。例文帳に追加

In a white light emitting element, an Si(100) or GaAs (100) surface is used as a substrate, and two layers or multiple layers of hydrogenated carbon nitride thin films are grown using a sputtering apparatus and a plasma CVD apparatus on the substrate while nitrogen content is increased in the film thickness increase direction. - 特許庁

半導体基板上に整合性を持たせながらエピタキシャル成長させることで、分極を大きくした膜多層構造体を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a film multilayer structure in which a polarization is increased by an epitaxial growth while imparting a consistency on a semiconductor substrate. - 特許庁

透光性基板上に酸化物薄膜を結晶成長させる工程や熱処理工程における温度を正確に検出することができる多層基板を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer substrate capable of correctly measuring temperatures during a step of crystal-growing an oxide thin film on a translucent substrate and a step of thermal processing. - 特許庁

シリコン基板１１上に、貫通転位１４を有する歪緩和シリコンゲルマニウム層１２をエピタキシャル成長させ、次いで金属層１３を形成して多層膜中間構造体１０を作製する。例文帳に追加

A strain relaxation silicon germanium layer 12 with through-dislocation 14 is epitaxially grown on a silicon substrate 11, and then a metallic layer 13 is formed to manufacture a multilayer film intermediate structure 10. - 特許庁

所定値以上の格子定数の差を有する複数の窒化物系化合物半導体層を結晶性の良い状態で多層形成することができ、エピタキシャル成長方向への貫通転位の伝播を抑制できること。例文帳に追加

To enable multilayer formation of a plurality of nitride compound semiconductor layers with lattice constant difference of a prescribed value or more in good crystallinity, and to restrain propagation of threading dislocation to an epitaxial growth direction. - 特許庁

基板への微小な凹凸の形成あるいは傾斜方向へ細長い成長領域を形成することで転位の少ない良好な格子定数または極性の異なる半導体多層基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate of superior lattice constant of little dislocation or different polarity by forming fine unevenness in a substrate or forming a slender growth region in an inclined direction. - 特許庁

多層カーボンナノチューブを基板上に概ね高さ均等で形状の直線性と基板上での垂直配向性とが共に高く、高密度に成長させることができる触媒構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a structure of a catalyst, which is formed by growing a multilayer carbon nanotube on a substrate in high density so that the grown carbon nanotube has almost uniform height, high linearity in shape and a high vertical orientational property on the substrate. - 特許庁

ｐ型半導体多層膜反射鏡７の最表面は、例えばＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛）をドーパントとして用い、Ｚｎを１．０Ｅ１９ｃｍ^-3ドープして成長したＧａＡｓ層からなっている。例文帳に追加

An outermost surface of a p-type semiconductor multilayer film reflecting mirror 7 consists of a GaAs layer that grows after doped with Zn by 1.0 E 10 cm^-3 with the use of, for example, DMZn (dimethyl zinc) as a dopant. - 特許庁

そして、この凸部の形成された半導体基板上に上に厚み２ｎｍのＧａＡｓ結晶薄膜３３および１００ｎｍのＳｉ結晶薄膜３４を成長して半導体多層基板を得る。例文帳に追加

A GaAs crystal thin film 33 of 2 nm in thickness and an Si crystal thin film 34 of 100 nm in thickness are grown on a semiconductor substrate wherein the protrusions are formed, thereby obtaining the semiconductor multilayer substrate. - 特許庁

基板として（０００１）面を主方位面とするｎ型のＳｉＣを用い、有機金属気相成長法により、窒化物半導体の多層薄膜を形成した。例文帳に追加

In a nitride semiconductor light emitting element, multiple thin nitride semiconductor films are formed by using n-type SiC having its main bearing face on its (0001)-face as a substrate. - 特許庁

この多層絶縁膜は、化学的気相成長法を用いて、薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層することによって製造される。例文帳に追加

This multi-layer insulation film is manufactured by laminating a plurality of insulation films formed by injecting intermittently material used for thin film forming using a chemical vapor growth method. - 特許庁

気相成長法で得た多層のカーボンナノチューブに、その生成温度を超える高温加熱処理を施す従来のカーボンナノチューブの製造方法の課題を解消する。例文帳に追加

To solve the problem in the conventional method for manufacturing carbon nanotubes, in which multi-walled carbon nanotubes obtained by a vapor phase growth method are subjected to a heat treatment at a high temperature higher than the formation temperature of the carbon nanotubes. - 特許庁

半導体多層構造をなすエピタキシャルウェーハ５０は、単結晶基板１の主表面上にバッファ層２を介して化合物半導体からなる素子層３をヘテロエピタキシャル成長させた構造をなす。例文帳に追加

An epitaxial wafer 50 constituting a semiconductor multilayer structure is composed of a single-crystal substrate 1 and a device layer 3 of compound semiconductor which is formed by hetero-epitaxial growth on the major surface of the single-crystal substrate 1 via a buffer layer 2. - 特許庁

基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長する場合、窒化物半導体素子厚さに依存しない反りの制御が可能になる多層構造窒化物半導体素子の構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure of a multilayer-structured nitride semiconductor device, wherein the bow of the wafer thereof can be controlled irrespective of the thickness of the nitride semiconductor device in the case the nitride semiconductors are epitaxially grown on a substrate. - 特許庁

シリコン基板１上に熱酸化法によりシリコン酸化膜を形成した後、その上に化学気相成長法によりシリコン酸化膜を形成し、上層ほど密度が低い多層シリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film is formed on a silicon substrate 1 through a thermal oxidation method, and another silicon oxide film is formed thereon through a chemical vapor growth method so as to form a multilayered silicon oxide film whose upper part gets lower in density than its lower part. - 特許庁