平均基底面の英語

基底部２２及びシールリップ部２５の各表面部では、ＴＰＯに添加された固体粒子状減摩材２７がＴＰＯ表面をミクロ的に盛り上げて微小凹凸を作り、表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１０〜３０μｍとなっている。例文帳に追加

On the surface parts of the base part 22 and the seal lip part 25, a solid particle-form antifriction material 27 added in the TPO protrudes in a microform state on a PTO surface to produce a fine uneven surface, and ten point average coarseness (Rz) of the surface is 10-30 μm. - 特許庁

図３（ａ）に示すように圧縮力とこの圧縮方向に対して垂直方向にせん断力が独立に作用することにより、圧縮方向に対して垂直方向に結晶（六方晶構造）の基底面であるＣ面が強く配向するとともに、結晶粒径が微細に平均化され緻密化する。例文帳に追加

Shear force is applied separately to a thermoelectric semiconductor material as it is kept vertical to a compressive force and the direction of compression, whereby a C plane as the base plane of a crystal (hexagonal crystal structure) is oriented strongly in a direction vertical to the direction of compression, and the thermoelectric semiconductor material is averaged finely in crystal grain diameter and increased in density. - 特許庁