平均自由行路の英語

このようなプロセス条件下では、従来の成膜条件に比較して触媒体３と基板１０との距離が大きく、成膜圧力が低圧化されるため、反応ガスの平均自由行路が増加され、反応ガスの気相反応が抑制され、カバレッジのよい絶縁膜を形成できる。例文帳に追加

Under these processing conditions, the distance between the catalytic substance 3 and the substrate 10 is larger and a film-forming pressure is lower than the conventional film- forming conditions, increasing a mean free path of a reaction gas while suppressing the gas phase reaction thereof, resulting in the formation of an insulation film having prosper coverage. - 特許庁

制御装置４２は、圧力センサ４４の検出信号から処理室１２の内部が減圧され、放電ユニット２０から送られてくる活性種を含む処理ガスの平均自由行路が、ガス導入口２２から半導体基板１までの距離より大きくなると、開閉弁３８を開放して処理ガスを処理室１２に供給する。例文帳に追加

A control apparatus 42 opens a switching valve 38 and supplies the processing gas to the processing chamber 12, when the inside of the processing chamber 12 is evacuated with a detection signal of a pressure sensor 44, and the average free path of the processing gas including active seeds sent from the discharge unit 20 becomes longer than the distance from the gas inlet port 22 up to the semiconductor substrate 1. - 特許庁