意味 | 例文 (5件) |
弗化キセノンの英語
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英訳・英語 xenon fluoride
「弗化キセノン」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5件
集束イオンビーム装置では、ヨウ素または二弗化キセノンなどのガスが金属や絶縁体のミリングを(補助的に)促進するために使われる。例文帳に追加
In the focused ion beam system, gases such as iodine or xenon difluoride are used to assist the milling of metals and insulators. 発音を聞く - 科学技術論文動詞集
光学基材200の主表面にキセノンガスのイオンビームを照射することによって光学基材200の平滑化された主表面上に、キセノンガスのイオンビームで支援された蒸着により、弗化バリウム膜210を形成し、弗化バリウム膜210の上にセレン化亜鉛膜220を形成する。例文帳に追加
By irradiating the principal surface of the optical substrate 200 with ion beams of xenon gas, the barium fluoride film 210 is formed by vapor deposition supported by the ion beams of the xenon gas on the smoothened principal surface of the optical substrate 200, and further the zinc selenide film 220 is formed on the barium fluoride film 210. - 特許庁
また、ソーダガラス管1からなる透光性気密容器の内壁面に前記弗化物蛍光体(YF_3:Tb,Ceなど)からなる蛍光体層2を形成し、ガラス管1内に冷陰極5、6とキセノンを含む希ガスを封入して蛍光ランプを得る。例文帳に追加
The other objective fluorescent lamp is obtained by the following process: a fluorescent layer 2 consisting of the above fluoride fluorescent substance (e.g. YF3:Tb, Ce) is provided on the inner wall surface of a translucent airtight vessel consisting of a soda glass tube 1, and the glass tube 1 is encapsulated with cold cathodes 5 and 6 and a xenon-containing rare gas. - 特許庁
また、ソーダガラス管1からなる透光性気密容器の内壁面に真空紫外線励起で発光する希土類付活弗化イットリウム(YF_3:Gd,Pr)蛍光体からなる蛍光体層2を形成し、ガラス管1内に電極5、6とキセノンガスを封入する。例文帳に追加
A phosphor layer 2 comprising a rare-earth-activated yttrium fluoride (YF3: Gd, Pr) phosphor that emits light by vaccuum ultraviolet radiation excitation is formed on the inner wall of a light-transmittant hermetic vessel composed of a soda glass tube 1, and electrodes 5 and 6 and gaseous xenon are encapsulated in the glass tube 1. - 特許庁
反射膜間にアモルファス・シリコン犠牲層の成膜を行い、弗化キセノンガスで除去することにより、高温で損傷を生ずる高反射率の反射膜が使用でき、しかも、犠牲層除去時に薄膜、光学部材にダメージを与えることの無い製造手段が得られる。例文帳に追加
Such manufacturing means that reflection films with high reflectance, which are damaged at high temperature can be used and that no damage is given to thin films or optical members when a sacrificial layer is removed, can be obtained by depositing an amorphous silicon sacrificial layer between reflection films and then removing the layer with xenon fluoride gas. - 特許庁
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