xenon difluorideとは 意味・読み方・使い方

The etching apparatus supplies xenon difluoride gas prepared by evaporating solid xenon difluoride in a cylinder 15 to an etching chamber 11 and etches a sample W conveyed into the chamber 11.例文帳に追加

エッチング装置は、シリンダ１５内の固体の二フッ化キセノンを気化させた二フッ化キセノンガスをエッチング室１１に供給し、該エッチング室１１内に搬入された試料Ｗをエッチングする。 - 特許庁

In the focused ion beam system, gases such as iodine or xenon difluoride are used to assist the milling of metals and insulators.発音を聞く 例文帳に追加

集束イオンビーム装置では、ヨウ素または二弗化キセノンなどのガスが金属や絶縁体のミリングを(補助的に)促進するために使われる。 - 科学技術論文動詞集

To provide a method of efficiently manufacturing xenon difluoride used as an isotropic etching gas for semiconductor manufacture in an electronic field.例文帳に追加

エレクトロニクス分野の中で半導体製造用等方性エッチングガスとして使用される二フッ化キセノンの効率的な製造方法を提供する。 - 特許庁

The etching apparatus includes a stage 21 for partitioning a processing space 22 movably carried in the etching chamber 11 for etching the sample W and a reservoir space 23 for temporarily reserving the xenon difluoride gas supplied to the processing space 22 and also allowing no xenon difluoride gas to flow between the processing space 22 and the reservoir space 23.例文帳に追加

エッチング装置は、エッチング室１１内で移動可能に支持され、試料Ｗをエッチングする処理空間２２と、該処理空間２２に供給する二フッ化キセノンガスを一時的に貯留する貯留空間２３とに区画するとともに、処理空間２２と貯留空間２３との間で二フッ化キセノンガスを流通不能にするステージ２１を備えた。 - 特許庁

To provide a method for refining xenon difluoride to high purity to be used as an isotropic etching gas for manufacturing a semiconductor in the field of electronics.例文帳に追加

エレクトロニクス分野の中で半導体製造用等方性エッチングガスとして使用される高純度二フッ化キセノンの精製方法を提供する。 - 特許庁

This device is provided with a processing chamber 11 for etching a substrate 91, a microwave generator 21 feeding etching gas excited by microwave into the processing chamber 11, and a gas feeder 31 feeding xenon difluoride gas into the processing chamber 11.例文帳に追加

基体９１がエッチングされる処理室１１と、処理室１１内へマイクロ波で励起されたエッチングガスを供給するマイクロ波発生装置２１と、処理室１１へ二フッ化キセノンガスを供給するガス供給装置３１とを備えたものである。 - 特許庁

The tip part 312 of a rough silicon-based field emitter is exposed to a xenon difluoride gas in a process chamber, to implement low-temperature isotropic etching for the tip part of the rough silicon- based field emitter, so that the final sharpened tip part of the field emitter is formed.例文帳に追加

おおざっぱなシリコンベースの電界放出器先端部(312)が、プロセスチャンバ内で二フッ化キセノンガスにさらされ、おおざっぱなシリコンベースの電界放出器先端部の低温等方性エッチングを実行し、最終の先鋭化された電界放出器先端部が形成される。 - 特許庁