後半寸法の英語

タンクカバー２２の前後寸法に合わせて前半体２と後半体３との間隔を調整する。例文帳に追加

A space between the bodies 2 and 3 is adjusted depending on the longitudinal dimension of a tank cover 22. - 特許庁

それから、半導体チップ３を搭載した配線基板２に対してプラズマ処理を施した後、半導体チップ３より大きな寸法の半導体チップ４を半導体チップ３上に搭載する。例文帳に追加

Subsequently, after applying plasma treatment to the wiring substrate 2 having the mounted semiconductor chip 3 thereon, a semiconductor chip 4 whose dimension is larger than the one of the semiconductor chip 3 is mounted on the semiconductor chip 3. - 特許庁

第１食刻工程を通じてマスクであるフォトレジストパターンの構造的な安定性を保持しながら、第１寸法を有するトレンチを形成した後、半導体基板または絶縁膜の種類により相異する組成を有する食刻溶液を使用する第２食刻工程を通じてトレンチの寸法を拡張させることができる。例文帳に追加

While holding the constitutive stability of the photoresist which is the mask through the first etching process, the dimensions of the trench can be expanded through a second etching process, using an etchant provided with a composition which is different according to the type of the semiconductor substrate or the insulating film, after forming the trench having the first dimension. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上面に凹部５または凸部を形成した後、半導体基板１の上面にホモエピタキシーを実行してホモエピタキシャル膜４と欠陥層６とを形成し、そして、欠陥層６のオフ方向の長さ寸法を測定することに基づいてホモエピタキシャル膜４の膜厚を測定するように構成したものである。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a recess 5 or a protrusion on the upper surface of a semiconductor substrate 1, then performing a homoepitaxy on the upper surface of the substrate 1 to form a homoepitaxial film 4 and a defect layer 6, and measuring the thickness of the film 4 based on the measurement of the length dimension of the layer 6 in the off direction. - 特許庁