微細構造進展の英語

ＤＲＡＭ等に代表される半導体装置の高集積化、微細構造化が進展した場合であっても、量産に適した構造を有するリセスチャネル構造を有するトランジスタを含む半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device including a transistor with a recess channel structure suitable for mass production even when a higher integration and a finer structure of the semiconductor device represented by a DRAM etc. are developed. - 特許庁

ゲートアレイ構造の半導体集積回路において、微細加工技術の進展によりゲート長が短くなる傾向があり、それに伴うリーク電流の増加を抑える。例文帳に追加

To suppress an increase in leak current in a semiconductor integrated circuit with a gate array structure because of the trend for the gate length to become shorter due to the development in the fine machining technique. - 特許庁

マイクロエレクトロニクスの進展、エレクトロニクス構成部品の微細化及びエレクトロニクス集合体の複雑性の増大により、厚い、かつ/又は薄いチップをすでに形成されている集積素子プレート上に積層する3次元構造の製造が求められている。例文帳に追加

To produce three-dimensional structures where thick and/or thin chips are stacked on integrated element plates already formed, the structures being required by development of microelectronics, miniaturization of electronic components, and increasing complexity of electronic assemblies. - 特許庁