方形導体平板の英語

正方形状のヒートシンク３１の上面に絶縁層４４を介してトランジスタ等のパワー半導体素子を設置し、パワー半導体素子の上面に平板状の導体の接続片２２ａ，２１ａを重合固定する。例文帳に追加

The power semiconductor element such as a transistor is installed on an upper surface of the heat sink 31 in a square shape via an insulating layer 44, and connection pieces 22a and 21a of a flat plate type conductor are superposed on and fixed to an upper surface of the power semiconductor element. - 特許庁

半導体放射線検出器１２は、例えばＣｄＴｅからなる長方形の平板からなる５枚の半導体素子２と、半導体素子２の一方の面のカソード電極３と、半導体素子２の他方の面のアノード電極４と、５枚の半導体検出素子１を外側から被覆する絶縁体５とを含んで構成されている。例文帳に追加

The semiconductor radiation detector 12 includes five semiconductor elements 2 comprising a rectangular flat plate comprising, for example, CdTe, a cathode electrode 3 on one face of each semiconductor element 2, an anode electrode 4 on the other face of the semiconductor element 2, and an insulator 5 for coating five semiconductor detecting elements 1 from an outside. - 特許庁

半導体放射線検出器１２は、例えばＣｄＴｅからなる長方形の平板からなる５枚の半導体素子２と、半導体素子２の一方の面のカソード電極３と、半導体素子２の他方の面のアノード電極４と、５枚の半導体検出素子１を外側から被覆する絶縁体５とを含んで構成されている。例文帳に追加

This semiconductor radiation detector 12 is constituted to include five semiconductor elements 2, for example, comprising a rectangular flat plate comprising CdTe, a cathode electrode 3 on one side face of the semiconductor elements 2, an anode electrode 3 on the other side face of the semiconductor elements 4, and an insulator 5 for coating five semiconductor detection elements 1 from an outside thereof. - 特許庁

半導体膜３４と上部遮光膜４２との間に配置されるソース電極３８及びドレイン電極３９を金属によりチャネル方向に直交する方向に長い長方形の平板状に形成すると共に、その両端部を逆テーパー形状を有するように形成している。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a source electrode 38 and a drain electrode 39 disposed between a semiconductor film 34 and an upper shielding film 42 in a tabular state of a long longitudinal shape in a direction perpendicular to a channel direction of a metal, and forming both ends so as to have an inverted tapered shape. - 特許庁

肉厚部の厚さｄ２が、蓋体１４の他の平板部分の厚さｄ１よりも、１．２５倍、厚くなるように、構成されると共に、この肉厚部２０ｂの平面形状が、半導体ウエハ１…の並列方向で、この蓋体本体２０の略全幅で、しかも、被係合部１８，１８間に渡り、一定の幅Ｗを有する長方形面状を呈して、構成されている。例文帳に追加

The thickness d2 of a thick portion is made 1.25 times larger than that d1 of other plate portion of the cover 14, and the plane shape of the thick portion 20b is rectangular with a uniform width W in the parallel direction of a semiconductor wafer 1 between parts 18 and 18 to be engaged in the nearly total width of the cover body 20. - 特許庁