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格子間原子クラスタの英語
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英訳・英語 interstitial cluster
「格子間原子クラスタ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1件
第１の不純物領域２２を形成するイオン注入は、化合物層２４の格子定数と半導体基板３の格子定数との不整合による応力を緩和するとともに、半導体基板内３に発生する格子間原子がクラスタを形成することのない条件で行われる。例文帳に追加
The ion implantation for forming the first impurity area 22 softens a stress caused from a mismatch between a lattice constant of the compound layer 24 and that of the semiconductor substrate 3, and is carried out in a condition that an atom does not form a cluster between lattices developed in the semiconductor substrate 3. - 特許庁
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