格子間化合物の英語

従って、ＢＮ系化合物半導体バッファー層２４が、基板１１と半導体結晶層（３４、３５，３６）間における格子不整合を緩和する。例文帳に追加

Accordingly, the BN-based compound semiconductor buffer layer 24 acts to relax lattice misalignment between the substrate 11 and semiconductor crystalline layers 34, 35 and 36. - 特許庁

低温で格子間原子の析出を生じない高品位のＰｂＴｅ系化合物半導体の成長層が得られる。例文帳に追加

By this method, a high-quality growth layer of a PbTe compound semiconductor can be obtained which generates no precipitation of interstitial atoms at low temperatures. - 特許庁

Ｂ２規則格子であるＲｕ−Ａｌ金属間化合物からなる高抗折力の金属間化合物ターゲットの製造方法、その製造方法によって作製されるターゲットと磁気記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an intermetallic compound target having high transverse rupture strength and composed of an Ru-Al intermetallic compound of B2 superlattice, the target produced by the manufacturing method, and a magnetic recording medium. - 特許庁

また、上記の製造方法で作製した実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物粉末の焼結体でなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットである。例文帳に追加

The Ru-Al intermetallic compound target is constituted of a sintered compact which is produced by the manufacturing method and composed of the Ru-Al intermetallic compound powder composed essentially of B2 superlattice. - 特許庁

この時、金属間化合物として、格子定数の少なくとも１つが、３〜５ÅであるＡｌ系金属間化合物を使用すると更に優れた表面平滑性を有するめっき鋼材となる。例文帳に追加

When at least one of the lattice constants of the used Al-based intermetallic compound is 3-5 Å, a plated steel material having a more excellent surface smoothness is obtained. - 特許庁

このＲＨｘ化合物においては、各結晶粒が特定の格子面に強く配向し、各結晶粒間において結合に関与しない不安定な水素が低減しており、更にＹ_２Ｏ_３化合物等の不純物がほとんど含まれていない。例文帳に追加

The RHx compound has the crystalline grains strongly oriented in the specified lattice plane and less unstable hydrogen which does not contribute to coupling in the intergranular space and hardly contains impurities such as Y_2O_3. - 特許庁

このワイヤグリッド偏光子は、基板上に格子線となる多数の金属の線を、光の波長より短い間隔で平行に配置されてなるワイヤグリッド偏光子であって、格子線の表面に、金属の窒化物、金属の砒化物、金属のリン化合物および金属とアンチモンの化合物からなる群から選ばれる１種以上の半導体化合物からなる層が積層されてなることを特徴とする。例文帳に追加

In the wire grid polarizer, a large number of metal wires serving as the grid lines are disposed in parallel on a substrate at an interval shorter than the wavelength of light, and the surfaces of the grid lines are laminated with a layer formed of one or more semiconductor compounds selected from among a group consisting of metal nitrides, metal arsenides, metal phosphorus compounds, and compounds of metal and antimony. - 特許庁

基板１とＡｌＧａＩｎＮ化合物半導体３との間の結晶格子の差により誘起する転位密度が著しく低下すると共に、ＡｌＧａＩｎＮ化合物半導体３の成長が向上する。例文帳に追加

The transition density induced due to a difference of crystal lattice between the board 1 and the semiconductor 3 is remarkably reduced, and a growth of the semiconductor 3 is improved. - 特許庁