格子間原子拡散の英語

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。例文帳に追加

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive. - 特許庁

このＲＴＡ処理は、結晶欠陥の原因となる格子間原子を拡散させるが、不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている。例文帳に追加

The interlattice atoms, which may cause the crystal defect, can be diffused by the above mentioned RTA treatment, but the diffusion of the impurity diffusion layer are not diffused. - 特許庁

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。例文帳に追加

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7. - 特許庁